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不對。
光譜光是指在特定光度條件下，引起光強度感覺相等的、兩個輻射的輻射的輻通量之比，人對各種波長光所感受的平均相對靈敏度，簡稱光視見效率。
兩種光譜的光應該是指光的干涉現象 ：
它是指因兩束光波相遇而引起光的強度重新分佈的現象。干涉現象的必要條件是：①頻率相同；②光矢量(即電場強度矢量E)的振動方向相同；③在相遇處兩束光的相位差恆定。因此兩種光譜，是指頻率不同，所以不會發生干涉現象。
我們在刻蝕機方面已經獲得了不錯的進步，這就要為我們的中微半導體點讚了，是他們的努力，讓我們的刻蝕機技術進入了5nm領域，這是世界上領先的，而光刻機，這就有些遺憾了，可以說我們和國際上的差距可不是一句話可以說完的。
光刻機研製異常艱難，涉及到的領域非常多，大家都知道，現在高端光刻機基本上都被外國所壟斷了，甚至可以直接說是被荷蘭的“ASML”所壟斷了，而這個壟斷是包含很多的“壟斷”的。
光刻膠：作為微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料，光刻膠是光刻機研發的重要材料，通俗的解釋是光刻機就是利用特殊光線將集成電路“映射”到硅片表面，而要想在硅片表面的避免留下“痕跡”，這就需要在硅片表面塗上一層特殊的物質，這個物質就是“光刻膠”。這個光刻膠可不是平時的膠水，性能指標要求極高，比如特殊感光性能，不能說感光無痕跡，粘附性要求高，不能說不能附著在硅片表面，或者不能勻稱的附著，粘滯性低，這樣光刻膠厚度才能均勻，另外，抗蝕性、表面張力上都有極高的要求。
光刻膠不止應用於芯片，而在高端面板、模擬半導體、發光二極管、光電子器件以及光子器件上應用廣泛，而說一個很無奈的話，現在我們所需要的高端光刻膠基本上都是從國外進口的，這個不但影響了我們高端光刻機的研製，同時也影響到了其他相關產業的發展。
製造芯片現在普遍使用的是193納米準分子激光，10～15納米的極紫外線光刻技術，這裡的193、10、15指的是光的波長。用兩種不同波長的紫外線光重疊不能發生干涉現象，也不能出現0.1納米干涉線寬，如果能夠使其發生干涉而減小線寬，那麼對機器精細的要求程度特別高。
