電子產業新材料之PI行業深度研究:半導體、5G、顯示等

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1. 電子 PI:柔性、耐高溫、絕緣性能突出的高分子材料

1.1. PI 概述:綜合性能最佳的有機高分子材料之一

聚酰亞胺-高性能的工程和微電子材料。聚酰亞胺(Polyimide, PI)是指主鏈上含有酰亞胺 環(-CO-N-CO-)的一類聚合物,其中以含有酞酰亞胺結構的聚合物最為重要,是綜合 性能最佳的有機高分子材料之一。PI 耐高溫達 400℃以上,長期使用溫度範圍為-269~ 260℃,部分無明顯熔點,且具有高絕緣性能。

聚酰亞胺列為“21 世紀最有希望的工程塑料”之一,其研究、開發及利用已列入各先進工 業國家中長期發展規劃。

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芳香族聚酰亞胺是微電子工業的重要材料。根據化學組成,聚酰亞胺可以分為脂肪族和芳 香族聚酰亞胺兩類;根據加工特性,聚酰亞胺可分為熱塑性和熱固性。芳香族結構聚酰亞 胺的熱學性能最穩定,是微電子工業通常所用的聚酰亞胺材料,其一般是由芳香族的四酸 二酐和芳香族二胺在有機溶液中發生縮聚反應生成聚酰胺酸或聚酰胺酯,再經過一定的方 法使其亞胺化(環化)而製得。

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聚酰亞胺產品應用領域廣泛。聚酰亞胺產品以薄膜、複合材料、泡沫塑料、工程塑料、纖 維等為主,可應用到航空航天、電氣絕緣、液晶顯示、汽車醫療、原子能、衛星、核潛艇、微電子、精密機械包裝等眾多領域。

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美日韓企業壟斷全球 PI 市場。

目前全球市場由國外少數美日韓企業所壟斷,包括美國杜邦, 韓國 SKC Kolon PI,日本住友化學、宇部興產株式會社(UBE)、鍾淵化學(Kaneka)和東麗等。 國內企業主要包括中國臺灣的達邁科技和達勝科技,以及中國大陸的時代新材、丹邦科技、 鼎龍股份和瑞華泰。

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1.2. PI 核心性能優勢:柔性,耐高溫,絕緣

PI 材料綜合性能優異。PI 材料具有優異的熱穩定性,在-269~260℃溫度範圍內可長期使 用,短期使用溫度達 400~450℃,開始分解溫度一般在 500℃左右;良好的機械性能,均 苯型 PI 薄膜拉伸強度達 250MPa,聯苯型 PI 薄膜拉伸強度達 530MPa;具有低熱膨脹係數, 熱膨脹係數一般在(2~3)×10-5/℃;聯苯型的可達 10-6/℃;具有良好的介電性,其介電常 數一般在 3.4 左右,介電強度為 100~300kV/mm,體積電阻為 1017Ω·cm,介電損耗為 10-3。

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1.3. PI 薄膜材料性能優勢顯著,電子應用領域廣泛

PI 薄膜是目前世界上性能最好的薄膜類絕緣材料之一。PI 材料中,PI 薄膜具備高強度高韌 性、耐磨耗、耐高溫、防腐蝕等特殊性能,已經成為電子和電機兩大領域上游重要原料之 一。PI 薄膜按照用途分為以絕緣和耐熱為主要性能指標的電工級和賦有高撓性、低膨脹系 數等性能的電子級。用於電子信息產品中的電子級 PI 薄膜作為特種工程材料,被稱為“黃 金薄膜”。

電子級 PI 薄膜具有廣泛的應用場景。由於聚酰亞胺 PI 在性能和合成方面的突出優點,電 子級 PI 薄膜的主要應用包括:柔性基板和蓋板材料、COF 柔性基板、FPC 基板和覆蓋層材 料、石墨散熱片的原膜材料和 5G 應用的 MPI 等。

1.4. PI 合成工藝和路線:兩步法是常用方式

聚酰亞胺的合成方法主要分為一步法、兩步法和三步法。其中,兩步法是常用的合成方法, 三步法較為新穎,逐漸受到關注。

➢ 一步法:最早的合成方法,反應溶劑選擇是關鍵。一步法是二酐和二胺在高沸點溶劑 中直接聚合生成聚酰亞胺,即單體不經由聚酰胺酸而直接合成聚酰亞胺該發的反應條 件比熱處理要溫和,關鍵要選擇合適的溶劑。

➢ 兩步法:現在常用的合成方法,化學亞胺化法是核心技術。兩步法是先由二酐和二胺 獲得前驅體聚酰胺酸,再通過加熱或化學方法,分子內脫水閉環生成聚酰亞胺。

1) 熱法是將聚酰胺酸高溫,使之脫水閉環亞胺化,製成薄膜。

2) 化學亞胺化法,是在將溫度保持在-5℃以下的聚酰胺酸溶液中加入一定量脫水劑 和觸媒,快速混合均勻,加熱到一定溫度使之脫水閉環亞胺化,製成薄膜。

在製造聚酰亞胺薄膜時,相比於化學亞胺化法,熱亞胺化法的工藝過程與設備較簡單。 通常化學亞胺化法的產能高,且所得薄膜的物化性能好,但在我國幾乎所有廠家均採 用熱亞胺化法。

二步法工藝成熟,但聚酰胺酸溶液不穩定,對水汽很敏感,儲存過程中常發生分解。

➢ 三步法:逐漸受關注的新穎合成方法。三步法是經由聚異酰亞胺結構穩定,作為聚酰 亞胺的先母體,由於熱處理時不會放出水等低分子物質,容易異構化成酰亞胺,能制 得性能優良的聚酰亞胺。該法較新穎,正受到廣泛關注。

PI 薄膜的塗膜方法按其工藝的不同可分為浸漬法、流延法和雙向拉伸法。其中雙向拉伸法 製備的薄膜性能最佳,且工藝難度大,具有很高的技術壁壘。

➢ 浸漬法:最早的薄膜製備方法,製備簡單,但經濟性差。浸漬法即鋁箔上膠法,是最 早生產 PI 薄膜的方法之一,生產工藝簡單,操作方便。但也有一些不足之處:(1) 採用鋁箔為載體,生產需消耗大量鋁箔;(2)使用的 PAA 溶液固含量小(8.0%-12.0%), 需消耗大量溶劑;(3)薄膜剝離困難,表面常粘有鋁粉,產品平整度差;(4)生產效 率低,成本高等。

➢ 流延法:國內PI薄膜的主流製造方式。流延法制得的PI薄膜(PAA固含量15.0%-50.0%) 均勻性好,表面平整乾淨,薄膜長度不受限制,可以連續化生產,薄膜的電氣性能和 機械性能較浸漬法有所提高。

➢ 雙向拉伸法:高性能薄膜的製備工藝。雙向拉伸法與流延法類似,但需要雙軸定向, 即縱向定位和橫向定位,縱向定位是在 30-260℃溫度條件下對 PAA 薄膜(固含量 15.0%-50.0%)進行機械方向的單點定位,橫向定位是將 PAA 薄膜預熱後進行橫向擴幅 定位、亞胺化、熱定型等處理。採用該法制備的 PI 薄膜與流延法相比,物理性能、電 氣性能和熱穩定性都有顯著提高。

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1.5. PI 材料行業核心壁壘高:設備、工藝、資金、人才

製備工藝複雜,核心技術被寡頭公司壟斷。製造工藝複雜、生產成本高(單體合成、聚合 方法)、技術工藝複雜、技術難度較高,且核心技術掌握在全球少數企業中,呈現寡頭壟 斷的局面,行業寡頭對技術進行嚴密封鎖。

投資風險高、壓力大。PI 膜的投資規模相對較大,一條產線需要 2-3 億元人民幣的投資, 對於國內以民營為主的企業來說,其高風險和長投資週期的壓力較大。

生產設備定製化程度高。以 PI 薄膜為例,PI 膜的生產參數與下游材料具體需求關係緊密, 對下游的穩定供應需要公司定製專門的設備,但設備定製週期較長,工藝難度大、定製化 程度高。

技術人才稀缺。具備 PI 膜生產能力的研發和車間操作人員需要較高的理論水平和長期的研 發實踐,難以速成。

儘管 PI 膜技術壁壘較高,但隨著中國半導體產業的發展,以及柔性 OLED 手機和 5G 應用 的需求拉動,現階段成了國產替代發展的重要機遇。

1.6. PI 產業新方向:輕薄、低溫、低介電常數、透明、可溶、低膨脹等

1.6.1. 方向 1:低溫合成聚酰亞胺 PI

一般情況下,PI 通常由二胺和二酐反應生成其預聚體—聚酰胺酸(PAA)後,必須在高溫(> 300℃)下才能酰亞胺化得到,這限制了它在某些領域的應用。同時,PAA 溶液高溫酰亞 胺化合成 PI 過程中易產生揮發性副產物且不易儲存與運輸。因此研究低溫下合成 PI 是十 分必要。目前改進的方法有:1)一步法;2)分子設計;3)添加低溫固化劑。

1.6.2. 方向 2:薄膜輕薄均勻化

為滿足下游應用產品輕、薄及高可靠性的設計要求,聚酰亞胺 PI 薄膜向薄型化發展,對其 厚度均勻性、表面粗糙度等性能提出了更高的要求。PI 薄膜關鍵性能的提高不僅依賴於樹 脂的分子結構設計,薄膜成型技術的進步也至關重要。目前 PI 薄膜的製備工藝主要分為: 1)浸漬法;2)流延法;3)雙軸定向法。

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伴隨著宇航、電子等工業對於器件減重、減薄以及功能化的應用需求,超薄化是 PI 薄膜 發展的一個重要趨勢。按照厚度(d)劃分,PI 薄膜一般可分為超薄膜(d≤8 μm)、常 規薄膜(8 μm<d≤50 μm,常見膜厚有 12.5、25、50 μm)、厚膜(50 μm<d≤125 μm,常見厚度為 75、125 μm)以及超厚膜(d>125 μm)。目前,製備超薄 PI 薄膜的 方法主要為可溶性 PI 樹脂法和吹塑成型法。

➢ 可溶性聚酰亞胺樹脂法:

傳統的 PI 通常是不溶且不熔的,因此只能採用其可溶性前 軀體 PAA 溶液進行薄膜製備。而可溶性 PI 樹脂是採用分子結構中含有大取代基、 柔性基團或者具有不對稱和異構化結構的二酐或二胺單體聚合而得的,其取代基或者 不對稱結構可以有效地降低 PI 分子鏈內或分子鏈間的強烈相互作用,增大分子間的 自由體積,從而有利於溶劑的滲透和溶解。

與採用 PAA 樹脂溶液製備 PI 薄膜不同,該工藝首先直接製得高分子量有機可溶性 PI 樹脂,然後將其溶解於 DMAc 中配製得到具有適宜工藝黏度的 PI 溶液,最後將溶液 在鋼帶上流延、固化、雙向拉伸後製得 PI 薄膜。

➢ 吹塑成型法:吹塑成型製備通用型聚合物薄膜的技術已經很成熟,可通過改變熱空氣 流速度等參數方便地調整薄膜厚度。該裝置與傳統的吹塑法制備聚合物薄膜在工藝上 有所不同,其薄膜是由上向下吹塑成型的。該工藝過程的難點在於聚合物從溶液向氣 泡的轉變,以及氣泡通過壓輥形成薄膜的工藝。但該工藝可直接採用商業化聚酰胺酸 溶液或 PI 溶液進行薄膜製備,且最大程度上避免了薄膜與其他基材間的物理接觸; 軋輥較鋼帶更易於進行表面拋光處理,更易實現均勻加熱,可製得具有高強度、高耐 熱穩定性的 PI 超薄膜。

1.6.3. 方向 3:低介電常數材料

隨著科學技術日新月異的發展,集成電路行業向著低維度、大規模甚至超大規模集成發展 的趨勢日益明顯。而當電子元器件的尺寸縮小至一定尺度時,佈線之間的電感-電容效應逐漸增強,導線電流的相互影響使信號遲滯現象變得十分突出,信號遲滯時間增加。而延 遲時間與層間絕緣材料的介電常數成正比。較高的信號傳輸速度需要層間絕緣材料的介電 常數降低至 2.0~2.5(通常 PI 的介電常數為 3.0~3.5)。因此,在超大規模集成電路向縱深 發展的大背景下,降低層間材料的介電常數成為減小信號遲滯時間的重要手段。

目前,降低 PI 薄膜介電常數的方法分為四類:1)氟原子摻雜;2)無氟/含氟共聚物;3) 含硅氧烷支鏈結構化;4)多孔結構膜

1. 氟原子摻雜:氟原子具有較強的電負性, 可以降低聚酰亞胺分子的電子和離子的極化 率, 達到降低介電常數的目的。同時, 氟原子的引入降低了分子鏈的規整性, 使得高分 子鏈的堆砌更加不規則, 分子間空隙增大而降低介電常數。

2. 無氟/含氟共聚物:引入脂肪族共聚單元能有效降低介電常數。脂環單元同樣具有較低 的摩爾極化率,又可以破壞分子鏈的平面性,能同時抑制傳荷作用和分子鏈的緊密堆 砌,降低介電常數;同時,由於 C-F 鍵的偶極極化能力較小,且能夠增加分子間的空 間位阻,因而引入 C-F 鍵可以有效降低介電常數。如引入體積龐大的三氟甲基,既能 夠阻止高分子鏈的緊密堆積,有效地減少高度極化的二酐單元的分子間電荷傳遞作用, 還能進一步增加高分子的自由體積分數,達到降低介電常數的目的。

3. 含硅氧烷支鏈結構化:,籠型分子——聚倍半硅氧烷(POSS)具有孔徑均一、熱穩定 性高、分散性良好等優點。POSS 籠型孔洞結構頂點處附著的官能團,在進行聚合、接 枝和表面鍵合等表面化學修飾後,可以一定程度地分散到聚酰亞胺基體中,形成具有 孔隙結構的低介電常數複合薄膜。

4. 多孔結構膜:由於空氣的介電常數是 1,通過在聚酰亞胺中引入大量均勻分散的孔洞 結構, 提高其中空氣體積率, 形成多孔泡沫材料是獲得低介電聚酰亞胺材料的一種有 效途徑。目前, 製備多孔聚酰亞胺材料的方法主要有熱降解法、 化學溶劑法、導入具 有納米孔洞結構的雜化材料等。

1.6.4. 方向 4:透明 PI

有機化合物的有色,是由於它吸收可見光(400~700 nm)的特定波長並反射其餘的波長,人 眼感 受到反射的光而產生的。這種可見光範圍內的吸收是芳香族聚酰亞胺有色的原因。 對於芳香族聚酰亞胺,引起光吸收的髮色基團可以有以下幾點:a)亞胺環上的兩個羧基; b)與亞胺環相鄰接的苯基;c) 二胺殘餘基團與二酐殘餘基團所含的官能團。

由千聚酰亞胺分子結構中存在較強的分子間及分子內相互作用,因而在電子給體(二胺) 與電子受體(二胺)間易形成電荷轉移絡合物(CTC),而 CTC 的形成是造成材料對光產生 吸收的內在原因。

要製備無色透明聚酰亞胺,就要從分子水平上減少 CTC 的形成。目前廣泛採用的手段主要 包括:1)採用帶有側基或具有不對稱結構的單體,側基的存在以及不對稱結構同樣也會 阻礙電子的流動,減少共輒;2)在聚酰亞胺分子結構中引入含氟取代基,利用氟原子電 負性的特性,可以切斷電子雲的共扼,從而抑制 CTC 的形成;3)採用脂環結構二酐或二 胺單體,減小聚酰亞胺分子結構中芳香結構的含量。

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1.6.5. 方向 5:可溶性 PI 薄膜

聚酰亞胺分子中的芳雜環結構所形成的共扼體系、階梯及半階梯鏈結構,使其分子鏈具有 很強的剛性分子鏈段自由旋轉的能壘較高,導致聚酰亞胺材料具有很高的玻璃化轉變溫度、 較高的熔點或軟化點,從而難溶解千有機溶劑且在普通加工溫度下呈現不熔化或不軟化的 性能。因此, 在保持聚酰亞胺原有的耐熱性能等優良特性的同時, 降低聚酰亞胺材料的剛性 並增加其在有機溶劑中的溶解能力, 已成為高性能聚酰亞胺功能材料研製開發的熱點之一。
改善聚酰業胺溶解性的基本途徑有 2 個:1)引入對溶劑具有親和性的結構,例如引入含 氟、硅或磷的基團;2)使聚合物的結構變得“鬆散”,如引入橋聯基團或側基,也可以採 用結構上非對稱的單體,或用共聚打亂大分子的有序性和對稱性等。

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1.6.6. 方向 6:黑色 PI 薄膜

傳統 PI 薄膜因表面光澤度較大和透明性較高,在應用過程中會存在因光反射造成眩光或散 光和線路設計分佈易於解讀而被同業抄襲的問題,故而要求 PI 薄膜具備低光澤度、低透光性及絕緣性等特性,低光澤度可使元件外觀更具質感與美觀,絕緣性及低透光性則可保護 內部電路設計。

黑色 PI 薄膜的製作分兩種:1)將各種遮光物質如炭黑、石墨、金屬氧化物、苯胺黑、茈 黑等無機或有機染料塗覆在普通 PI 薄膜上;2)將遮光物質添加於 PI 樹脂,經流涎乾燥、 高溫亞胺化處理制膜。

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1.6.7. 方向 7:低膨脹 PI 薄膜

PI 薄膜雖具有優異的熱穩定性、機械性能和電性能,但與無機材料相比 PI 薄膜的熱膨脹系 數要大的多。當 PI 材料與金屬、陶瓷等無機材料形成複合材料時,其熱應力的存在會使聚 合物層與無機基材發生翹曲、開裂或脫層。因此如何使 PI 的熱膨脹係數減小就成為 PI 薄 膜研究較多的方向之一。大量的結構研究分析認為,具有剛性棒狀結構的芳香族 PI,分子 鏈較平直,因此分子間的堆砌緊密,有利於降低聚合物的自由體積,使熱膨脹係數減小。

有效製備低熱膨脹係數 PI 薄膜的途徑:

➢ 合成層面:採用兩種或兩種以上的二酐或二胺單體共聚。多種二酐或二胺聚合而成的 聚酰胺酸形成互穿網路或半互穿網絡結構。

➢ 製備層面:利用溶劑、塗膜方式、乾燥程序、酰亞胺化程序,牽伸條件及退火條件等, 調控 PI 薄膜的聚集態結構。

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2. 重要應用 1-半導體封裝:IGBT 等功率模塊&先進封裝核心材 料

2.1. 廣泛應用於 IGBT 等功率模塊封裝

IGBT 是實現電能轉換的功率器件,在電動車領域具有重要應用。功率器件主要用途包括 逆變、變頻等。功率半導體可以根據載流子類型分為雙極型功率半導體和單極型功率半導 體。雙極型功率半導體包括功率二極管、雙極結型晶體管(BJT)、電力晶體管(GTR)、晶 閘管、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等。單極型功率半導體包括功率 MOSFET、肖特基勢 壘功率二極管等。它們的工作電壓和工作頻率也有所不同。功率半導體器件廣泛應用於消 費電子、新能源交通、軌道交通、發電與配電等電力電子領域。

全球政策同時推進新能源汽車發展。在國內,雙積分政策等一系列的新能源車補貼政策頻 頻出臺,對汽車製造企業,電動車基礎設施建設和消費者都有優惠,旨在促進新能源汽車 在我國的普及和發展。放眼全球,歐美等發達國家也積極佈局新能源車的市場,通過各種 補貼優惠政策和法案,推動新能源車市場的發展,促進傳統燃油車到電動汽車的轉變。

國內新能源車市場有望自 2020 年進入第二個快速增長期。國內新能源乘用車市場在 2019 年之前經歷了補貼引導下的快速發展期,2019 年 7 月之後,由於補貼大幅退坡,增速有所 下滑。根據中汽協的數據,2019 年我國新能源乘用車總銷量為 106 萬輛,同比增長僅 0.7%。 但隨著 2020 年各大車企的新能源車型不斷推出,特別是特斯拉 Model3、大眾 ID.3、比亞 迪漢、榮威 Ei6、豐田奕澤等諸多新車型的上市,行業有望由補貼驅動轉向需求驅動,進 入第二個快速增長期。

電動車市場的增長將帶來聚酰亞胺薄膜市場的相應增長:

高壓功率器件的表面鈍化工藝是功率器件製造過程中的重要工藝環節。對器件的電學性能 和可靠性有重要影響。表面鈍化工藝是通過高壓鈍化材料將功率器件與周圍環境氣氛隔離 開來,防止芯片表面沾汙影響器件的電學性能(如表面電導和表面態),控制和穩定半導 體表面的特性,保護器件內部的互連以及防止器件受到機械和化學損傷,提高功率器件的 可靠性水平

聚酰亞胺是高壓 IGBT 芯片表面鈍化工藝的重要材料。聚酰亞胺耐高溫,絕緣性 能良好, 工藝簡單,化學性質穩定,臺階覆蓋好,與鋁的熱匹配性好,廣泛應用於高壓芯片最外層 表面鈍化,但其抗潮、抗離子玷汙能力不夠強,需與無機鈍化結構搭配使用。根據不同結 構對光的敏感程度不同,聚酰亞胺又可以分為非光敏聚酰亞胺和 光敏聚酰亞胺。兩種不 同結構聚酰亞胺的鈍化工藝 流程不同,使用非光敏聚酰亞胺鈍化的工藝流程一般為:預 處理→塗覆→塗光刻膠→光刻→刻蝕→去膠→固化。非光敏聚酰亞胺的光刻工藝非常複雜, 也增加了整個鈍化工藝的難度和可靠性,同時製作成本較高。

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2.2. 先進封裝工藝中多環節應用的核心材料

封測行業先進封裝佔比不斷提升。智能手機追求輕薄化需求,帶動對晶圓級封裝(WLP) 和芯片級封裝(CSP)等先進封裝的需求,目前先進封裝晶圓產量已接近全球晶圓總產量 的 40%。

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國產替代下封測訂單拉昇。受中美貿易戰影響,國內大客戶將供應鏈逐步轉移至國內,將 拉動國內封測訂單需求。先進封裝對材料提出更高要求,目前微電子工業正在發生的重大 變化使業已成熟的微電子封裝工藝和封裝材料面臨嚴重的挑戰。0.13~0.10mm 時代的到來 將不但影響封裝工藝技術,同時 對封裝材料性能的要求也將發生重大的變化。

聚酰亞胺已成為先進封裝核心材料。現代的電子封裝技術需要將互連、動力、冷卻和器件 鈍化保護等技術組合成一個整體以確保器件表現出最佳的性能和可靠性。聚酰亞胺在很大 程度上滿足高純度、高耐熱、高力學性能、高絕緣性能、高頻穩定性;低介電常數與介電 損耗、低吸潮性、低內應力、低熱膨脹係數和低成型工藝溫度的要求,成為先進封裝的核 心材料。

3. 重要應用 2-5G 手機:MPI 天線和石墨散熱原膜需求旺盛

3.1. 石墨散熱片:原膜材料

3.1.1. 手機散熱驅動方案

隨著智能手機對輕薄化、小型化設計的追求,手機內部的空間變小。但由於手機硬件配置 的提高、CPU 多核高性能的升級,以及通信速率的提升,帶來的散熱需求也不斷上升,進 而驅動對高散熱性能材料的需求。目前智能手機上採用的散熱技術主要包括石墨烯熱輻射 貼片散熱、金屬背板散熱、導熱凝膠散熱以及導熱銅管散熱。

3.1.2. 石墨散熱是重要路線之一,對 PI 需求拉動顯著

石墨二維層狀結構是散熱性能的核心。石墨晶體具有六角平面網狀結構,具有耐高溫、熱 膨脹係數小、良好的導熱導電性、化學性能穩定、可塑性大的特點。石墨獨特的晶體結構, 使其熱量傳輸主要集中在兩個方向:X-Y 軸和 Z 軸。其 X-Y 軸的導熱係數為 300~1,900W/(m·K),而銅和鋁在 X-Y 方向的導熱係數僅為 200~400W/(m·K)之間,因 此石墨具有更好的熱傳導效率,可以更快將熱量傳遞出去。與此同時,石墨在 Z 軸的熱傳 導係數僅為 5~20W/(m·K),幾乎起到了隔熱的效果。因此石墨具有良好的均熱效果,可 以有效防止電子產品局部過熱。

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石墨是優秀的散熱材料。從比熱容的角度看,石墨的比熱容與鋁相當,約為銅的 2 倍, 這意味著吸收同樣的熱量後,石墨溫度升高僅為銅的一半。因石墨在導熱方面的突出特性, 可以替代傳統的鋁質或者銅質散熱器,成為散熱解決方案的優秀材料。

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消費電子的發展帶動石墨散熱片的需求增長。石墨散熱片因具有超高導熱性、重量輕、薄 型化與耐彎折等多項特點,能很好地滿足智能手機輕量化與輕薄的設計,以及 5G 手機的 散熱方案將向著超薄、高效的方向發展要求。石墨散熱片將廣泛應用於手機、平板電腦、 筆記本電腦及智能電視等電子產品的散熱中,是電子產品的上游。因此石墨散熱片的發展 與下游智能手機及其他電子設備的發展密切相關。

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PI 膜是製備石墨散熱片的核心原料。目前,石墨散熱片的主要材料是人工石墨片(Graphite sheet)。人工石墨片的主要原料就是聚酰亞胺薄膜(PI film)經過碳化和石墨化兩道高溫製程 產生:碳化是石墨化的前置程序,目的在於使得 PI 膜中的非碳成分全部或大部分揮發,需 在特定高溫下進行;石墨化工序中,發行人通過在特製的石墨化爐內加入氬氣或者氮氣作 為介質對碳化後的 PI 膜進一步升溫,高溫下多環化合物分子重整,伴隨多次週期性升溫的 振盪操作,經化學變化,最後形成高結晶度的大面積石墨原膜。隨著散熱應用市場成長, 聚酰亞胺薄膜在人工石墨片的應用也將會逐漸增加比重。

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3.1.3. 主要供應商:時代新材

時代新材致力於形成具有自主知識產權的高性能聚酰亞胺薄膜研製的關鍵技術和產業化 技術,實現高性能聚酰亞胺薄膜產品的國產化和規模化生產,為實現國內高端絕緣材料長 期以來的國際壟斷局面邁出了實質性步伐。並完成了實現聚酰亞胺薄膜材料應用於智能手 機和平板電腦的石墨散熱墊片材料的規模化生產,產品在國內供不應求。

目前,公司新型材料項目產業化進展基本順利,公司年產 500 噸聚酰亞胺薄膜生產線量 產日趨穩定,導熱膜具備向華為、蘋果、三星、VIVO 等品牌批量供貨的能力,全年形成 銷售收入 1.2 億元,目前正在籌建二期擴能項目。未來,公司在聚酰亞胺薄膜材料產業方 向,計劃形成年產量超過 2000 噸的產能發展。

3.2. 5G 材料:MPI

3.2.1. 5G 手機終端未來高速增長

5G 手機助力智能手機市場高速發展。

根據 IDC 預測數據,雖然 2019 年是 5G 元年,5G 手 機開始上市,但預計第一年的出貨量將會很低,預計只會出貨 670 萬部左右,遠低於 4G 手機 13.3 億部的預計出貨量,大概會佔據 0.5% 的市場份額。隨著智能手機市場的發展, 5G 手機的市場滲透率將快速提升。到 2023 年時,全球手機的出貨量會在 5G 的帶動下 來到 15.4 億部左右,其中 5G 手機將會大幅增長至 4 億部左右,佔全球智能手機市場 份額的 26%。

3.2.2. 天線等射頻拉動 MPI 需求

5G 手機的高頻率需要低損耗天線材料。智能手機作為 5G 的關鍵場景之一,5G 的驅動無 疑為智能手機天線的發展和革新帶來機會。手機通信所使用的無線電波頻率隨著從 1G 到 5G 的發展而逐漸提高。目前,5G 的頻率最高,分為 6GHz 以下和 24GHz 以上兩種。由於 電磁波具有頻率越高,波長越短,越容易在傳播介質中衰減的特點,所以 5G 的高頻率要 求天線材料的損耗越小越好。

MPI 是 5G 手機前期發展的主流材料選擇。4G 時代的天線製造材料開始採用 PI 膜(聚酰 亞胺)。但PI在10GHz以上損耗明顯,無法滿足5G終端的需求; LCP (Liquid Crystal Polymer, 液晶聚合物)憑藉介子損耗與導體損耗更小,具備靈活性、密封性等特性逐漸得到應用。 但是由於 LCP 造價昂貴、工藝複雜,目前 MPI(Modified Polyimide,改良的聚酰亞胺)因 具有操作溫度寬,在低溫壓合銅箔下易操作,表面能夠與銅較易接著,且價格較親民等優 點,有望成為 5G 時代天線材料的主流選擇之一。

4. 重要應用 3-柔性顯示:理想的 OLED 基板、蓋板和 COF 材料

4.1. OLED-柔性基板和蓋板材料

聚酰亞胺是柔性顯示工藝理想的材料。柔性基板是整個柔性顯示器件的重要組成部分,其 性能對於柔性顯示器件的品質與壽命均具有重要的影響。柔性顯示器件對於基板材料的性 能要求主要體現在如下幾個方面:1)耐熱性與高穩尺寸穩定性要求;2)柔韌性要求;3) 阻水阻氧特性要求;4)表面平坦化要求。PI 基板材料以其優良的耐高溫特性、良好的力 學性能以及優良的耐化學穩定性而備受關注。剛性的酰亞胺環賦予了這類材料優異的綜合 性能,從而使得 PI 成為柔性顯示器件基板的首選材料。

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4.1.1. 柔性 OLED 手機滲透率持續提升

OLED 面板快速增長。柔性 OLED 面板市場需求旺盛,行業發展速度加快,而且未來的成 長空間很大,展示出很大的市場需求潛力。

柔性 OLED 手機滲透率持續提升。柔性 OLED 手機是未來手機發展的趨勢,OLED 出貨量 的增加促進了柔性 OLED 手機滲透率的提升。

柔性 OLED 手機滲透率提升的原因:(1)OLED 顯示屏的色彩更逼真、更輕薄和更省電等 優點;(2)可屏下指紋解鎖方案,能夠最大限度提升手機的屏佔比; (3)可以實現曲面化、 可彎曲,提升手機的應用場景。

4.1.2. 2020 年摺疊手機出貨量有望突破百萬級,2021 年有望達千萬級出貨量

2019 年可摺疊手機元年開啟,摺疊屏手機發展趨勢清晰。可摺疊手機通過摺疊能縮小屏 幕面積,方便用戶攜帶;手機展開後,成為可比擬平板電腦的大屏幕通信設備,提升用戶 的視覺體驗。未來摺疊手機將在極大提升人機信息交互的效率,實現多任務並行和信息平 行輸入輸出,智能手機終端將從媒體社交平臺升級至生產力平臺(辦公等)。

可摺疊手機的發展與柔性 OLED 屏幕技術成熟度緊密相關。柔性 OLED 面板的彎曲特性 保證手機摺疊時的彎曲半徑,是實現手機可摺疊的關鍵所在。

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4.1.3. PI 基板和 CPI 蓋板材料需求旺盛

PI 基板:柔性 OLED 基板材料的最佳選擇。

伴隨著 OLED 取代 LCD 正沿著曲面→可摺疊→ 可捲曲的方向前進,有機發光材料和薄膜是 OLED 實現柔性的關鍵點,具有優良的耐高溫 特性、力學性能及耐化學穩定性的聚酰亞胺 PI 基板,是當前柔性基板材料的最佳選擇。

PI 基板市場需求旺盛。受益於 OLED 產能的持續增長,PI 基板材料具有旺盛的市場需求, 且未來還有很大的成長空間。國內目前如在撓性印製線路基材方面的應用的高端 PI 薄膜約 85%需要依賴進口產品,替代進口的市場空間很大。

CPI(Colorless Polyimide)蓋板是摺疊屏的理想材料。為全面實現柔性顯示,顯示器蓋板 部分應當具備可反覆彎折、透明、超薄、足夠硬度的特點。摺疊屏對於蓋板材料要求較高, 需要同時滿足柔韌性、透光率且表面防劃傷性能好等特點。目前的摺疊屏蓋板材料有 CPI、 PI、PC、壓克力、PET 幾種,其中 CPI 蓋板的可行性最高,相比於普通淡黃色的 PI 蓋板材 料,無色透明的 CPI 蓋板具有更高的透光率。受益於摺疊屏手機的發展,CPI 蓋板材料將 迎來快速發展時期。

無色透明的聚酰亞胺薄膜實現的難度較大。

由於 PI 薄膜的透明度與其耐高溫性能存在著矛 盾關係,即增加薄膜的透明度時將降低其耐高溫性能。部分廠商嘗試混合 PI,PMMA,PET 和 PU 等來製作柔性蓋板,但是效果不及預期,也很難量產化。

硬質塗布是增強 CPI 薄膜強度的重要手段。為提升摺疊式面板用 CPI 膜強度,需於表面進 行數十微米厚的硬質塗布製程,如使用有/無機物混合材料硅氧烷(siloxane),將有助 CPI 觸感接近玻璃,改善塑膠類保護層質感不及玻璃等問題。

4.1.4. 主要公司:住友化學、Kolon Industries、SKC 等

OLED 用的 CPI 蓋板和 PI 基板被日韓企業所壟斷。

住友化學率先拿下三星Galaxy Fold的CPI膜訂單。目前,能夠提供CPI膜的廠商僅為Kolon Industries,SKC 和住友化學。在三星 Galaxy Fold 手機 CPI 訂單的爭奪戰中,住友化學搶佔 先機。住友化學能搶佔先機拿下三星 Galaxy Fold 的 CPI 膜訂單,主要得益於住友化學多年 來的技術積累,在 CPI 膜材料上的穩定性和良品率更加具有競爭力。

Kolon Industries 將為華為 Mate X 供應 CPI 膜

。Kolon Industries 公司早在 2016 年就率先 研發出 CPI 膜,隨後在 2016 年 8 月開始投資 900 億韓元在龜尾工廠建造 CPI 膜生產線, 2018 年上半年完成量產設備鋪設工作。今年,Kolon Industries 將供應華為 Mate X 所需的 CPI 膜,證明了 Kolon Industries 在 CPI 膜生產方面的能力和產品品質。

SKC 積極佈局 CPI 薄膜研發。在 2016 年的業績發佈會上,SKC 表示已經成功完成 CPI 薄 膜的研發工作,且 SKC 能靈活使用現有的 PI 薄膜生產線,資金壓力比較小。公司 2018 年 在忠北鎮川舉行了 CPI 膜產業園奠基儀式,為 SKC 打造 CPI 膜全套生產體系提供穩定的產 業鏈,也為 SKC 在全球市場的擴張做好準備。

4.2. COF-柔性基板

COF(Chip on flexible printed circuit)柔性封裝基板作為印製電路板產品中的重要高端分 支產品,指還未裝聯上芯片、元器件的封裝型柔性基板。在芯片封裝過程中,起到承載芯 片、電路連通、絕緣支撐的作用,特別是對芯片起到物理保護、提交信號傳輸速率、信號 保真、阻抗匹配、應力緩和、散熱防潮的作用。

COF 柔性封裝基板性能優異。COF 柔性封裝基板具有配線密度高、重量輕、厚度薄、可折 疊、彎曲、扭轉等優點,是一種新興產品,有利於先進封裝技術的使用和發展。目前,COF 產品廣泛應用於液晶電視,智能 3G 手機及筆記本電腦等產品液晶屏的顯示與驅動。

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4.2.1. TV 高清化、手機全面屏驅動 COF 方案需求持續增長

TV 高清化發展滿足視覺體驗需求。隨著人們對視覺體驗的要求的提高,TV 高清化的發展 速度加快。大尺寸和高清化的 TV 產品的存在著很大的市場空間,超薄和窄邊框也是發展 的趨勢。TV 從常見的 1080P 逐漸向 4K 和 8K 發展,分辨率的提升,帶來更高清的視覺體 驗。

大尺寸高清電視滲透率將大幅提升。根據 IHS 數據,2018 年 60 吋以上面板以 4K 為主, 滲透率高達 99%,隨著 8K 開始進入市場,未來三年的滲透率將大幅提升,預計由 2019 年 的 5%拉昇到 2020 年的 9%。在 TV 市場上, 2018 年 8K TV 出貨量為 2 萬部,預計 2019-2020 年出貨量將分別達到 43 萬部和 200 萬部,且主要集中制 60 英寸以上的大尺寸 TV;2019 年,OLED TV 出貨量預計增長超過 40%,達到 360 萬部,而 QD-LCD TV 的出貨量預計將 達到 400 萬部。

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全面屏是智能手機的發展趨勢。2016 年,小米 MIX 推出後,“全面屏手機”開始走進了大 眾視野,隨後,整個智能手機行業隨後便掀起了一股“全面屏”的設計風潮。受制於屏下攝像頭等的技術限制,2018 年之後,整個行業卻一股腦轉向了蘋果的劉海屏設計。進入 2019 年之後,整個安卓行業在全面屏上五花八門,市面上水滴屏、挖孔屏、升降結構成為 三大主流。整體來說,未來全面屏將是智能手機發展的必然趨勢,全面屏帶來了更好的觀 影和遊戲等視覺體驗,以及體積更小、單手操作和更好的便攜性。

全面屏手機滲透率持續上升,將成為智能手機屏幕的標配。全球智能手機出貨量經歷了十 幾年的高速增長後,雖然出貨量有所放緩,但全面屏手機滲透率的快速提升是確定的發展 趨勢。根據 Witsview 數據預測,2018 年全面屏滲透率躍升至 44.6%,並且在 2019 年將繼 續快速攀升至 71.6%;預計到 2021 年全面屏手機的滲透率將到 92.1%,成為智能手機屏幕 的標準配置。

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TV 高清化和手機全面屏發展帶動顯示驅動封裝方案超高密度方向發展。隨著面板朝著高 像素和高分辨率發展的演進,以及芯片輕薄、短小化的需求,驅動 IC 線路中心到中心距 (pitch)、間距(spacing)等越來越微細化,封裝基板設計也必須配合晶片電路間距微細化提 供對應的封裝基板,引導封裝基板朝向高密度的構裝技術方向發展。

COF 方案減少顯示屏幕邊框技術優勢明顯。目前,主流的 COG(Chip On Glass)封裝方 式,是將 Source IC 芯片直接邦定到玻璃上,因為玻璃背板上的那塊芯片體積較大,所以 邊框比較寬,面板端子部的邊框一般在 4-5mm 左右。為了縮小邊框寬度,面板廠商開始 採用 COF 封裝技術。相比於傳統的 COG 封裝技術,COF 技術中玻璃背板上的 Source IC 芯片被放在了屏幕排線上,可以直接翻轉到屏幕底部,COF 技術可以縮小邊框 1.5mm 左 右的寬度。在手機全面屏和高清化 TV 具有廣闊的應用前景。

TV 高清化和手機全面屏發展促進 COF 產品創新。隨著產品輕量化與薄型設計及顯示密度 與屏佔比的提升,未來高清電視與智能型手機用的 COF 型式驅動 IC 將會是以 1-Metal(單 面) 18/16um Pitch 的 COF 及 2-Metal(雙面)的 COF 為未來的設計應用主流。2-Metal(雙面) 的 COF 是把在單面形成電路的 COF,在兩面形成電路,比單面 COF 的電路集成度更高, 還能縮小尺寸,適合用於手機。

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4.2.2. 4K 高清電視和智能手機 COF 需求持續增長

根據 IHS 數據,4K 的比重保持上升將驅動 COF 薄膜需求上升,預計 2019 年 4K 高清電視 的 COF 薄膜需求量將達到 1.46 億片,同比增長 29.2%;伴隨著 4K 高清電視對 COF 薄膜需 求的穩定增長,預計 2022 年 4K 高清電視對 COF 薄膜需求將達到 1.63 億片。以智能手機 市場來看,因為全面屏窄邊框的要求,COF 方案已經廣泛採用於 AMOLED 和 LTPS LCD 產 品中,IHS Markit 預估 2019 年智能手機用 COF 薄膜需求量將擴大至 5.9 億片,同步增長 達 70%。

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4.2.3. PI 材料是 COF 封裝核心難點

COF 方案主要採用聚酰亞胺(PI 膜)混合物材料,厚度僅為 50-100um,線寬線距在 20um 以下。COF 封裝則是採用自動化的卷對卷設備生產,生產過程中會被持續加熱至 400 攝氏 度。由於 COF 卷對卷生產過程中需要加熱,而 PI 膜的熱膨脹係數為 16um/m/C,相比芯 片的 2.49 um/m/C 而言,熱穩定性較差,所以對設備精度和工藝要求很高。

4.2.4. 重要公司:住友和東麗

目前,COF 用 FCCL 材料主要掌握住友化學、東麗先進材料和 KCFT3 大日韓公司手中。

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5. 重要應用 4-FPC:基板和覆蓋層材料,目前 PI 下游重要需求

5.1. FPC 需求持續增長

FPC 是現代電子產品的關鍵互聯器件。FPC(Flexible Printed Circuit Board,柔性印製電路 板)是 PCB(Printed Circuit Board,印製線路板)的一種,是電子產品的關鍵電子互連器 件。FPC 是用柔性的絕緣基材製成的印製線路板,相比於硬性印製電路板,它具有配線密 度高、輕薄、可彎折、可立體組裝等特點,以及良好的散熱性和可焊性以及易於裝連、綜 合成本較低等優點。

FPC 助力電子產品的高密度、小型化和高可靠性方向發展。利用 FPC 可大大縮小電子產品 的體積,符合電子產品向高密度、小型化、高可靠性發展的方向。因此,FPC 在消費電子、 汽車電子、5G 通訊設施和國防軍工等領域得到了廣泛的應用。

全球 FPC 產值整體持續上升。隨著智能手機、電腦、可穿戴設備、汽車電子等現代電子 產品的發展,FPC 產值整體呈上升趨勢。根據 Prismark 的統計, 2017 年全球 FPC 產值 為125.2 億美元,同比增長14.9%,佔印制線路板總產值份額由2016 年的20.1%上升至2017 年的 21.3%,全球 FPC 產值整體呈上升趨勢。

全球 FPC 產業轉移,中國大陸發展迅速。

21 世紀以來,隨著歐美國家的生產成本提高, 以及亞洲地區 FPC 下游市場不斷興起,FPC 生產重心逐漸轉向亞洲。具備良好製造業基 礎及生產經驗的日本、韓國、中國臺灣等國家和地區 FPC 產業迅速成長,併成為全球 FPC 的主要產地。隨著日本、韓國和中國臺灣生產成本持續攀升,發達國家的 FPC 廠商紛紛 在中國投資設廠,製造中心由國外移至中國大陸,國際知名的 FPC 廠商如日本 NOK、日 東電工和住友電工等均在中國投資設廠,與此同時中國本土的 FPC 廠商也不斷髮展壯大, 在全球 FPC 市場中佔據越來越重要的角色。

中國 FPC 產值規模持續攀升。近年來,中國逐漸成為 FPC 主要產地,中國地區 FPC 產值 佔全球的比重不斷提升,據 Prismark 的數據,2016 年中國 FPC 行業產值達到 46.3 億 美元,中國地區 FPC(含外資企業)產值佔全球的比重從 2009 年 23.7%已增至 2016 年 42.5%,2017 年全球 FPC 行業產值達到 125.2 億美元。

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5.2. FPC 應用領域:基板和覆蓋膜

PI 膜是 FPC 的核心材料。FPC 的使用一般以銅箔與 PI 薄膜材料貼合製成軟性銅箔基板 (FCCL),覆蓋膜(Cover layer)、補強板及防靜電層等材料製作成軟板。PI 膜的厚度主要 可以區分為 0.5mil、1mil、2mil、3mil 及厚膜(甚至 10mil 以上等產品),先進或是高階的軟 板需要厚度更薄(0.3mil),尺寸安定性更穩定的 PI 膜。一般的覆蓋膜主要使用厚度 0.5mil 的 PI 膜,而較厚的 PI 膜主要用於補強板及其它用途上。

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FCCL 是電子級 PI 膜的重要應用市場。撓性覆銅板(Flexible Copper Clad Laminate, FCCL)是 FPC 的加工基材,一般以銅箔與 PI 薄膜材料貼合製成,是 FPC 的核心原材 料。FPC 的應用包括軍事、汽車、電腦、相機、手機等。近年來,智能手機、平板電腦、 LCD 顯示與 LED 背光模組等應用需求的增加,驅動了 PI 膜需求增長。隨著中高階手機市 場出貨比例的逐年增加,加上東南亞等新興國家地區的智慧型手機上需求大增,我們預期 FPC 需求未來 3-5 年內可維持可觀增長。

5.3. SKC Kolon PI

SKC 與 Kolon 均擁有 40 年以上的塑料薄膜的製造技術和經驗,雙方都從 2006 年起開始向 市場量產供應聚酰亞胺薄膜。為了應對劇烈變化的市場情況,SKC 與 Kolon 於 2008 年 6 月合併了 PI 薄膜部門,新設立合資企業 SKC Kolon PI。兩個公司合併後持續投資,更進一 步提升研發技術,使 SKC Kolon PI 成為一家全球領先的 PI 薄膜供應商,該公司的聚酰亞胺 薄膜主要用於柔性印刷電路板(FPCB)。

6. 美日韓壟斷格局,加速國產替代,全球產能有望吃緊

6.1. PI 技術發展歷史

美國:聚酰亞胺的產業的先驅。聚酰亞胺是最早進行實用化開發的特種工程塑料。1908 年首先合成芳族聚酰亞胺,50 年代末期值得高分子量的芳族聚酰亞胺。1953 年美國杜邦 公司申請了世界上第一件有實用價值的聚酰亞胺產品專利 US2710853A。19 世紀 60 年 代初,杜邦的聚酰亞胺薄膜(Kapton)、 模塑料(Vespel)和清漆(Pyre ML)陸續商品 化,逐步確立了其在聚酰亞胺產業中的領先地位。

美國Amoco公司分別在1964年和1972年開發了聚酰胺-亞胺電器絕緣清漆(AI)和聚酰 亞胺模製材料(Torlon),並 在 1976 年使聚酰亞胺模製材料(Torlon)實現了商業化;1969 年法國羅納-普朗克公司首先開發成功雙馬來酰亞胺複合材料預聚體(Kerimid 601),是先 進複合材料的理想基體樹脂。隨後該公司在此基礎上研發了壓縮和傳遞模塑成型用材料 (Kinel)。

1972 年美國 GE 公司開始研究開發聚醚酰亞胺(PEI),並於 1982 年形成年產萬噸級生 產裝置。

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半導體產業的第一次轉移:從美國轉移到日本。隨著半導體技術的創新,半導體逐漸從軍 工應用轉向民用家電領域。從 20 世紀 70 年代起,因有美國對日本的產業扶植,一些美國 的裝配產業開始向日本轉移。日本抓住了這次發展機會,其半導體產業趁勢崛起,全球半 導體產業開始出現了第一次轉移:從美國轉移到日本。

宇部興產首次打破杜邦聚酰亞胺薄膜壟斷。作為微電子應用的明星材料,日本的聚酰亞胺 產業隨著日本半導體產業的崛起而快速發展。1978 年日本宇部興產公司先後發展了聚聯 苯四甲酰亞胺 Upilex R 和 Upilexs,打破了“Kapton”薄膜獨佔市場 20 年的局面,其 薄膜製品優異的線膨脹係數(12~20ppm)達到接近單晶硅和金屬銅(17ppm)的線膨脹系 數,成為覆銅箔薄膜的最佳選材,可廣泛應用於柔性印刷線路版,是聚酰亞胺電子薄膜劃 時代的很大進步。

日本鍾淵化學(Kaneka)於 1980 年開始實驗室內研究聚酰亞胺薄膜,併成功開發出一種新 型“均苯”型 PI 薄膜,商品名為“Apical”,公司於 1984 年建立了量產 PI 薄膜的生產線, 商品牌號為 Apical,產品主要應用於柔性印刷電路板(FPCs)。1995 年,公司 APICAL AH 型號生產厚度規格有 175μm、200μm 和 225μm。

1983 年 杜邦與日本東麗對半合資建立東洋產品公司,由杜邦提供技術和原料,專門生產 Kapton PI 薄膜;1985 年 9 月,公司投產生產,薄膜寬度為 1500mm。

1994 年日本三井東壓化學公司報道了全新的熱塑性聚酰亞胺(Aurum)注射和擠出成型用 粒料,該樹脂的薄膜商品名為 Regulus。

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半導體產業的第二次轉移:從日本轉移到韓國和中國臺灣。

在 20 世紀 90 年代前後,日 本的半導體產業發展突飛猛進,一躍成為全球第一大半導體國家。之後,由於美國擔心日 本半導體產業對其本土半導體產業的衝擊,開始對日本的半導體進行打壓,同時對韓國進 行扶植,隨後半導體產業進行了第二次轉移。

PC 時代的興起帶動韓國和中國臺灣聚酰亞胺產業的發展。隨著 PC 時代的興起,韓國和 中國臺灣抓住了從大型機到消費電子的轉變期對新興存儲器與代工生產的需求,承接了半 導體產業轉移的市場,高端製造業迅速發展。作為半導體產業支撐的關鍵材料之一,韓國 和中國臺灣的聚酰亞胺產業也獲得了發展機遇。

韓國 SKC 於 2001 年啟動 PI 薄膜的研發 2005 年完成 LN、IF 型號的開發(12.5~25.0 μm),並建立了批量生產線。2006 年完成 LS 型號的開發,並於 2007 年 6 月應用於三 星/LG 手機,2009 年 10 月開始供應給世界一號 FPCB 公司使用。中國臺灣達邁公司從 2001 年開始試運行 T1 產線,後於 2012 年 T4 產線投入運營,至今,達邁工藝已經運營 5 條產線。2008 年 SKC 和 Kolon Industries 合資成立了 SKC KOLON PI 公司。

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中國:未來聚酰亞胺的重要供應市場。隨著移動互聯網和 5G 時代的發展,中國龐大的市 場和能容納各種商業模式與應用場景的特點將進一步加強,中國大陸對於半導體產業的需 求將大幅提升。中國廣闊的市場需求未來將極大地帶動中國半導體產業的發展,以及吸引 眾多海內外廠商和人才,這必然會促進半導體產業向中國大陸轉移。因此,未來中國的聚酰亞胺產業將迎來發展的黃金時期,促進中國聚酰亞胺產業走向從低端走向中高端材料供 應的發展道路。

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6.2. 中美貿易戰和日韓貿易摩擦

貿易戰中美國針對部分中國企業實施制裁,並對中國商品加徵高額關稅,提高了下游終端 客戶經營的成本和難度。基於對生產經營安全性和穩定性的考慮,下游部分大客戶將配套 供應鏈向國內轉移,國內企業訂單有望增加。

根據日本 METI 政府網站消息,從 2019 年 7 月 1 日開始,日本將韓國從出口貿易“白名單” 中刪除;從 7 月 4 日開始,日本向韓國出口氟化聚酰亞胺、光刻膠和高純氟化氫這三種材 料需要單獨申請出口許可證並進行出口審查。

韓國是全球 OLED 和半導體制造和出口大國,對半導體產業發展有較高依賴度,根據韓國 貿易協會數據,2018 年韓國半導體出口額約 1267 億美元,約佔總出口 21%。日本把控全 球電子材料重要產能,特別是高端電子材料,例如光刻膠、硅片、特種氣體等,對包括韓 國、臺灣、大陸的半導體產業有著至關重要的作用。

PI 是此次日韓貿易摩擦中日本限制出口的三種電子材料(PI、光刻膠和高純氟化氫)之一, 主要用於柔性 OLED 基板製程,日本基本壟斷了全球主要產能:OLED 用 PI 在全球範圍內 目前主要是日本的 UBE 和 Kaneka 兩家公司生產,分別供應韓國三星和 LGD。

此次日本三大材料出口韓國政策調整的影響,我們判斷其影響類似 18 年底韓國 OLED 行 業的 TopTec 對大陸設備出口限制事件,主要影響有:(1)下游各 OLED 和半導體制造商 會長期逐步降低對單一供應商或者單一地區供應商的依賴;( 2)加快扶持本土產業集群是 降低供應鏈安全的重要趨勢。因此我們判斷韓國會逐步加快培養本土 PI/光刻膠/高純氟化 氫等產品供應商,同時大陸 OLED 和半導體用戰略物資(不僅僅是此次三大材料)將加速 進口替代。

6.3. PI 材料進口受日韓疫情影響,將加速國產替代進程

我國目前的 PI 薄膜市場在製造水平上比較落後,高端 PI 膜高度依賴進口。2017 年,PI 膜 市場主要參與者,分別是美國杜邦、日本宇部興產、鍾淵化學、邁達、韓國 SKC 等。

日韓疫情有望加速進口替代、行業盈利能力提升。目前,此次疫情若在日韓擴散,電子原 材料產商受到影響,可能會出現供貨不足的問題。而我國目前 PI 材料依賴日韓進口,勢必 受到影響,在這種環境下,國產替代必將加速進行,同時毛利率有望提升。達邁是專注聚 酰亞胺(PI)薄膜研發的中國臺灣公司,近年毛利率在 25-35%,16Q1-16Q3 毛利率提升 顯著,我們判斷主要是因為上一輪行業提價,19Q1 以來行業盈利水平回有所回落,我們 判斷日韓產能緊張情況下,行業盈利水平有望提升。

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7. 投資機會:大陸 PI 行業加速國產化紅利(略)

7.1. 萬潤股份:精細化工領先公司,佈局發力 PI 新產品

7.2. 時代新材:立足軌交應用,突破散熱、摺疊、功率材料等新產品

7.3. 鼎龍股份:打印耗材領先公司,佈局發力 CMP、PI 漿料

7.4. 國內非上市公司

7.4.1. 深圳瑞華泰

7.4.2. 武漢依麥德

……

8. 附錄:PI 行業全球重要公司介紹(略)

8.1. 美國杜邦

8.2. 日本住友化學

8.3. 韓國 SKC Kolon PI

8.4. 日本鍾淵化學

8.5. 宇部興產

8.6. 中國臺灣達邁

……

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