下一代EUV光刻機:面向後3nm工藝

作為全球唯一能生產EUV光刻機的公司,荷蘭ASML公司去年出售了26臺EUV光刻機,主要用於臺積電、三星的7nm及今年開始量產的5nm工藝,預計今年出貨35臺EUV光刻機。

下一代EUV光刻機:面向後3nm工藝

目前ASML出貨的光刻機主要是NXE:3400B及改進型的NXE:3400C,兩者基本結構相同,但NXE:3400C採用模塊化設計,維護更加便捷,平均維修時間將從48小時縮短到8-10小時,支持7nm、5nm。

此外,NXE:3400C的產能也從之前的125WPH(每小時處理晶圓數)提升到了175WPH

不論NXE:3400B還是NXE:3400C,目前的EUV光刻機還是第一代,主要特點是物鏡系統的NA(數值孔徑)為0.33。

下一代EUV光刻機:面向後3nm工藝

根據光刻機的分辨率公式,NA數字越大,光刻機精度還會更高,ASML現在還研發NA 0.55的新一代EUV光刻機EXE:5000系列,主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時微電子中心。

EXE:5000系列的下一代光刻機主要面向後3nm時代,目前三星、臺積電公佈的製程工藝路線圖也就到3nm,2nm甚至1nm工藝都還在構想中,要想量產就需要新的製造裝備,新一代EUV光刻機是重中之重。

根據ASML的信息,EXE:5000系列光刻機最快在2021年問世,不過首發的還是樣機,真正用於生產還得等幾年,樂觀說法是2023年或者2024年才有可能看到NA 0.55的EXE:5000系列光刻機上市。

下一代EUV光刻機:面向後3nm工藝


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