2020 年 3 月 11 日 — 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出另两个碳化硅（SiC）MOSFET系列，扩展了其宽禁带（WBG）器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电、不间断电源（UPS）、服务器电源和 EV 充电桩，提供的性能水平是硅（Si） MOSFET 根本无法实现的。
安森美半导体的新的 1200 伏（V）和 900 V N 沟道 SiC MOSFET 提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二极管具有低反向恢复电荷，显著降低损耗，提高工作频率以及整体方案的功率密度。
小芯片尺寸进一步增强高频工作，达至更小的器件电容和更低的门极电荷 -Qg（低至 220 nC），从而降低在高频下工作时的开关损耗。这些增强功能比基于 Si 的 MOSFET 提高能效，降低电磁干扰（EMI），并可使用更少（或更小）的无源器件。极强固的 SiC MOSFET 比 Si 器件提供更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命，这对高要求的现代电源应用至关重要。较低的正向电压提供无阈值的导通状态特性，减少器件导通时产生的静态损耗。
1200 V 器件的额定电流高达 103 A（最大 ID），而 900 V 器件的额定电流高达 118 A。对于需要更高电流的应用，安森美半导体的 MOSFET 可易于并联运行，因其正温系数 / 不受温度影响。
安森美半导体电源方案部功率 MOSFET 分部副总裁 / 总经理 Gary Straker 针对新的 SiC MOSFET 器件说：“如果设计工程师要达到现代可再生能源、汽车、IT 和电信应用要求的具挑战性的高能效和功率密度目标，他们需要高性能、高可靠性的 MOSFET 器件。安森美半导体的 WBG SiC MOSFET 提升性能至超越硅器件所能提供的，包括更低的损耗，更高的工作温度，更快的开关速度，改善的 EMI 和更高的可靠性。安森美半导体为进一步支援工程界，还提供广泛的资源和工具，简化和加速设计流程。”
安森美半导体的所有 SiC MOSFET 都不含铅和卤化物，针对汽车应用的器件都符合 AEC-Q100 车规和生产件批准程序（PPAP）。所有器件都采用行业标准的 TO-247 或 D2PAK 封装。
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