針對5G通訊毫米波(mm-Wave)開發趨勢，AiP(Antenna in Package)封裝技術將成為實現手機終端裝置的發展關鍵。
隨著高通(Qualcomm)於2018年7月推出的AiP模組(QTM052及525)陸續問世後，各家廠商對此無不摩拳擦掌，爭相投入相關模組的技術研製上；其中半導體制造龍頭臺積電及封測大廠日月光投控，對此最為積極。
日月光投控對於AiP封裝技術之演進，憑藉日月光及矽品對於相關封裝的長期研發，以及旗下環旭電子增設天線測試實驗室的積極投入態度，為此將進一步擴充5G毫米波之發展進程。
高通推出AiP模組後，製造龍頭臺積電與封測大廠日月光等皆已躍躍欲試
面對5G通訊毫米波逐步發展之際，加上高通已推出的AiP模組產品，各家IDM廠、Fabless廠、製造及封測代工廠商，對此無不躍躍欲試，試圖加速開發相關產品，從而應付為數龐大的射頻前端市場及5G應用商機。
為了實現AiP封裝製造技術，現行除了已開發出InFO-AiP封裝技術的半導體制造龍頭臺積電外，其他封測廠商(如日月光、Amkor、江蘇長電及矽品等)也有相應的佈局動作，並採取默默耕耘的發展態勢，以求提供後續5G通訊毫米波之市場需要。
其中，若以日月光及矽品發展動態為例，現階段AiP封裝技術主要採用RFIC於底層的設計架構，相較於臺積電在內層及其他廠商於上層之結構，整體於製作成本上，相較其他產品將更具吸引力。
日月光與臺積電於AiP封裝技術差異，使產品特性及成本已成為選擇難題
針對現行AiP封裝技術，進一步比較於臺積電內層式之InFO-AiP構造，以及日月光與矽品於底層式的AiP結構差異，可發現RFIC的擺放位置，將是決定模組產品之性能表現(天線訊號損耗、散熱機制)及成本高低(製造良率及難易度)的重要指標。
圖：RFIC於不同位置之AiP結構比較表(Source：拓墣產業研究院整理)
其中，以日月光與矽品開發之AiP封裝架構為探討主題時，當RFIC放置於底層結構中，此結構確實能有效降低封裝成本，並且對於開發流程上也十分有利；由於封測廠商於相關製作流程中，可獨立開發重分佈層(RDL)，並搭配上單獨封裝好的RFIC，最後再將二者結合於一體，以完成AiP所需的架構。
如此之設計理念，對於管控封裝成本而言，已起到節省工序作用；然而卻也衍生出另一個難題，“如何將底層的RFIC在運作時產生之熱源有效導引出來”，這將是後續亟需克服的關鍵要務之一。
另一方面，臺積電開發的InFO-AiP封裝技術，由於運用本身擅長的線寬微縮技術，當RFIC於元件製造完成後，隨之進行一系列的後段封裝程序；也在此時延伸原有的通訊元件金屬線路，將使重分佈層得以連結RFIC並導引至天線端，從而達到降低天線端訊號衰弱之效果。
整體而言，雖然日月光及矽品的AiP結構可有效降低成本，但散熱機制仍需額外考量，且臺積電的InFO-AiP能成功增進產品效能，然而整體封測製造成本卻依舊偏高。
由此可見，AiP封裝技術於產品特性及成本表現之因素中，已成為一項選擇難題，考驗未來客戶在產品設計及應用需求上應該如何取捨。
Source：拓墣產業研究院
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