在芯片製造領域來說我國的起步是比較晚的，對比於美國的研究來說我們已經晚了十年，而對比於整個歐洲來說就落後更多了，這樣的一些技術落後也讓我國在這方面的發展有著比較大的阻礙。
但是現在我國的發展也在這一些我們所不擅長的那一做著努力，再加上現在企業文化的深入以及技術的提升很多，之前我們無法攻克的領域，現在也是正在進行研製當中，並且有的已經取得了比較好的成效，今天要介紹的就是在芯片領域的一項技術。
芯片領域算是一個技術尖端的東西，所以除開很多企業之外，我國的中科院也在進行著長時間的研製。
在這樣的努力突破當中也有著一些比較好的成果，在中科院主導的這項技術的研製已經被國際標準化組織（ISO）正式發佈，按照這樣的發展過程來看我國能夠有這樣的待遇並不多，而這一次的這一項技術則是半導體線寬測量領域的首個國際標準，除了主導定製國際標準之外。
中科院此前也是公開技術成果，這一技術的突破會為我國的芯片研製領域帶來非常重要的技術支持，畢竟這是我國攻克2nm芯片所需的關鍵技術，垂直納米環柵晶體管，這項技術也是全球首創，這樣的消息一放出，也引得了其他國家的關注，畢竟在這領域大發展是其他國家完全不敢相信的。
我國的芯片發展確實從很早以來就一直依靠著西方國家的一些製造機器來作為維持，而這一次關於2納米技術的突破也直接增強了我國的信心，我們當前的發展當中臺積電和中芯國際算是最有能力的。
兩家芯片製造公司在一些技術的突破上是依然需要有專業人員經過長時間研製的，現在中科院公佈了這一技術，也會為我國的芯片製造提供很強大的信心。
關於14納米的芯片我們已經完全完成了量產，7納米的技術現在也有了突破，量產也是指日可待的，而現在有了2納米技術的研究成功，那麼關於這一領域的芯片突破也成了一個勢在必得的。
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