在芯片制造领域来说我国的起步是比较晚的，对比于美国的研究来说我们已经晚了十年，而对比于整个欧洲来说就落后更多了，这样的一些技术落后也让我国在这方面的发展有着比较大的阻碍。
但是现在我国的发展也在这一些我们所不擅长的那一做着努力，再加上现在企业文化的深入以及技术的提升很多，之前我们无法攻克的领域，现在也是正在进行研制当中，并且有的已经取得了比较好的成效，今天要介绍的就是在芯片领域的一项技术。
芯片领域算是一个技术尖端的东西，所以除开很多企业之外，我国的中科院也在进行着长时间的研制。
在这样的努力突破当中也有着一些比较好的成果，在中科院主导的这项技术的研制已经被国际标准化组织（ISO）正式发布，按照这样的发展过程来看我国能够有这样的待遇并不多，而这一次的这一项技术则是半导体线宽测量领域的首个国际标准，除了主导定制国际标准之外。
中科院此前也是公开技术成果，这一技术的突破会为我国的芯片研制领域带来非常重要的技术支持，毕竟这是我国攻克2nm芯片所需的关键技术，垂直纳米环栅晶体管，这项技术也是全球首创，这样的消息一放出，也引得了其他国家的关注，毕竟在这领域大发展是其他国家完全不敢相信的。
我国的芯片发展确实从很早以来就一直依靠着西方国家的一些制造机器来作为维持，而这一次关于2纳米技术的突破也直接增强了我国的信心，我们当前的发展当中台积电和中芯国际算是最有能力的。
两家芯片制造公司在一些技术的突破上是依然需要有专业人员经过长时间研制的，现在中科院公布了这一技术，也会为我国的芯片制造提供很强大的信心。
关于14纳米的芯片我们已经完全完成了量产，7纳米的技术现在也有了突破，量产也是指日可待的，而现在有了2纳米技术的研究成功，那么关于这一领域的芯片突破也成了一个势在必得的。
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