最近比亞迪發佈的一項被稱為“IGBT 4.0”的技術，在電動汽車行業內頗受關注，打破了目前國內碳化硅大功率器件被德國英飛凌、日本富士壟斷的局面，不吹不黑也沒收過錢，確實應該給比亞迪點個贊。
SiC綜合性能
SiC是碳化硅的化學式，比亞迪發佈的這一項技術就是碳化硅大功率元件，目前電動汽車的電機控制器、直流充電樁普遍使用的是IGBT，但IGBT在效率、功率、頻率、耐高溫、耐高壓等方面遠比SiC遜色。
大功率場景
例如在需要輸出200kw功率的場合，可能需要使用10個左右的IGBT模塊並聯，每個模塊輸出20kw左右的功率，通過堆模塊的方式來拼湊出需要的功率；如果將功率器件換成SiC，可能使用2個就可以實現200kw的大功率穩定輸出。
功率損耗小
開過電動汽車的朋友應該知道，電動汽車最大輸出功率在100kw左右，充電功率最大不超過50kw，目前電動汽車使用IGBT能夠滿足使用需求，但IGBT在大功率工況下發熱嚴重，所以市面上具備真正意義上交流快充功能的電動汽車，充電模塊都使用水套對IGBT進行冷卻。同樣的，直流充電樁只不過是將充電模塊搬到充電樁裡面，大功率輸出時IGBT同樣會大量發熱。
對於使用SiC的電動汽車或直流充電樁，由於SiC發熱量遠小於IGBT，可以將充電模塊做得很小，不需要複雜的液冷系統，例如使用SiC功率器件的充電樁，可以同時為2~4臺電動汽車提供快充所需的功率。
耐高溫性能
瞭解半導體的讀者應該知道，半導體的性能對溫度很敏感。對於IGBT，工作時會發熱，但IGBT本身又非常“怕熱”，所以使用IGBT的電控、充電模塊、充電樁，在IGBT過熱時會觸發保護機制，導致輸出功率受限。
SiC的耐高溫性能非常好，通過上圖可以發現，SiC在很大的溫度範圍內都能保持較低的導通電阻，SiC對溫度的敏感程度遠小於IGBT。
耐高壓性能
在大功率工況下，為減少電能損失，提高電壓是必然的選擇，並且越高越好。對於IGBT，1000V左右的電壓已經接近極限，而SiC可以在3300V、6500V甚至更高的電壓下工作，這個電壓對於IGBT是不可能做到的。
未來電動汽車快充一定是趨勢，在能夠保證安全的情況下，充電電壓可能還會繼續上調，如果上調到接近目前IGBT的極限，那麼IGBT一定會被SiC所代替。
大功率半導體器件是電動汽車的核心技術，無論是電動汽車充電，還是電動汽車行駛時都會使用到；之前因為芯片被西方國家“卡脖子”，國產SiC已經打破了幾家廠商所壟斷的局面，大功率半導體受制於人的歷史已經結束。
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