近日，長江存儲科技有限責任公司宣佈，128層QLC 3D NAND閃存研發成功，這標誌著國產存儲廠商向世界最先進技術水準又邁進了一步。
此前，1月初，長江存儲在市場合作夥伴年會上就透露過，他們將會跳過96層，直接投入128層閃存的研發和量產。長江存儲市場與高級副總裁龔翊表示：“作為閃存行業新人，長江存儲用3年時間實現了32層、64層再到128層的跨越。”
據悉，長江存儲的128層QLC 3D NAND閃存產品將會在最晚明年第二季度量產，而達到滿產時將會有月均10萬片的產能。
長江存儲在2019年9月在IC China 2019紫光集團展臺推出了64層3D NAND閃存，並開始量產，對於此產品，龔翊表示，長江存儲的64層閃存絕不是低端產品，在保證質量的同時，也能保證盈利。
現在，隨著5G、人工智能等高新技術的快速發展，為了滿足它們的需求，128層QLC閃存將會率先應用到消費級SSD產品中，並且逐步進入到企業級服務器、數據中心等領域。
目前，受到疫情的影響，今年半導體市場將會很艱難，根據Gartner給出的報道顯示，2020年全球半導體收入預計將會下降0.9%，不過，僅就存儲器市場而言，由於需求增大，NAND閃存全年收入預計將會增加40%。
所以，對於研發出128層QLC NAND閃存的長江存儲來說，2020年有望是實現突破的一年，而且，進入到100+層數之後，他們與三星、Intel等國際巨頭的距離進一步縮小，對於長江存儲的未來，我們還是非常看好的。
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