90年代開始，被“留學熱”影響的中國學子不計其數。其實我很能理解，畢竟那個時候中國還在發展初期，教育的硬件、軟件都比不上國外，科研條件、薪資待遇更是沒法比，但我不能理解的是，為什麼“留學熱”持續至今仍沒有“退燒”的跡象。現如今只要有錢的家庭，孩子必定送出國，說的不好聽，靠錢留學的孩子們成績是其次，“鍍金”最重要。我覺得，大家的觀念應該改一改，以現在中國教育和科研水平，在國內發展也可以做出成績，今天我就要介紹這樣一位，堅決不出國卻做出世界級科研成就的北大才女——黃芊芊。
黃芊芊，1989年出生於江西省上饒市信州區，高中就讀於上饒一中，是學校數一數二的尖子生。2006年高考，黃芊芊高分考入北大信息技術學院微電子學系，那一年，她還只有17歲。本科畢業後，她沒有和很多同學一樣出國留學，而是繼續留在北大深造，5年過後，黃芊芊又順利在北大讀完博士。讀博這5年，是榮耀的5年，黃芊芊不僅綜合成績第一，還先後獲得教育部博士研究生學術新人獎、北京大學學術十傑、北京市優秀畢業生、中國電子學會優秀博士論文等多項獎勵和榮譽。
2016年，黃芊芊獲得“中國博士後科學基金特別資助”；2017年，入選“未來女科學家計劃”，同年能入選這一計劃的青年科學家，全國只有4人，也就是在這一年，黃芊芊入職北大，成為微電子學系的研究員、博士生導師；2018年，她又獲得國家優秀青年科學基金項目資助；2019年，當選中國電子學會青年女科學傢俱樂部第一屆理事會理事。
2019年10月，黃芊芊獲得她人生最重要的獎項之一，因為在超低功耗微納電子器件基礎研究領域的重要貢獻，美國電氣和電子工程協會（IEEE）在召開國際電子元件會議（IEDM）時，將2019年年度“IEEE青年成就獎”，頒發給了中國青年科學家黃芊芊。
這個IEDM會議有多牛？這可是被譽為“微電子器件領域的奧林匹克盛會”，會議始於1955年，在國際上有很高的學術地位和影響力。2019年，全球僅有3人獲獎，黃芊芊是亞洲地區唯一一位！
黃芊芊為啥能拿這個獎？答案很簡單，她實力夠強！別看黃芊芊如今才30出頭，但已經取得眾多科研成就：她研製出的新機理超低功耗器件打破了國際上硅基隧穿器件的亞閾擺幅紀錄，器件綜合性能為國際報道中器件同類最高，相關成果被知名國際科研機構引用，黃芊芊此項研究成果，還與中國最先進集成電路芯片製造企業合作，研製了世界上首個基於12英寸CMOS生產線的互補隧穿器件集成技術。
可能專業名詞太多，大家和我一樣一臉懵，我們可以簡單理解：黃芊芊研製出的電子器件，是國際同類產品中最好的，外國科研機構也借鑑此項技術，此外，黃芊芊此項成果為中國芯片製造帶來了福音。
最後，我想說給那些一門心思往國外跑的學子們聽：看到沒有，不是隻有出國才能做出成就，中國的教育和科研硬件，也能培育出頂級科學家。中國學子在海外做出成績，不能為國所用也是枉然，像黃芊芊這樣既能做出成就又愛國的科學家，才稱得上中國驕傲。
