高壓大電流IGBT芯片技術,通過2019年度國家科技進步二等獎初評

2019年7月12日,根據科技部國家科學技術獎勵工作辦公室公告第93號,公佈了

2019年度初評通過的53項國家自然科學獎項目、56項國家技術發明獎通用項目、152項國家科學技術進步獎。初評通過的20項國家技術發明獎專用項目和43項國家科學技術進步獎專用項目在委託管理單位、提名單位及項目完成單位等進行內部公佈。

值得國內功率半導體人驕傲的是,由株洲中車時代電氣股份有限公司和浙江大學聯合申報的項目《高壓大電流IGBT芯片關鍵技術及應用》,通過了2019年度國家技術發明二等獎的初評!

高壓IGBT芯片廣泛應用於軌道交通(高鐵)、高壓直流輸電(柔性直流輸電和特高壓輸電)、電磁驅動(軍事)等事關國家重大戰略的關鍵領域,這一項目的申報也標誌著,經過多年功率半導體人的努力,國家將在這些“卡脖子”芯片的關鍵領域取得突破!

高壓大電流IGBT芯片技術,通過2019年度國家科技進步二等獎初評

高壓IGBT通過國家技術二等獎初評

高壓大電流IGBT芯片技術,通過2019年度國家科技進步二等獎初評

2019年國家技術發明獎初評通過名單


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