4月14日晚間，比亞迪發佈公告宣佈，近期已經通過下屬子公司間的股權轉讓和業務劃轉，完成了對全資子公司深圳比亞迪微電子有限公司（下簡稱“比亞迪微電子”）的內部重組，並正式更名為比亞迪半導體有限公司（下簡稱“比亞迪半導體”）。比亞迪表示，擬以增資擴股等方式引入戰略投資者，積極尋求於適當時機獨立上市。不過，引入戰略投資者完成後，比亞迪半導體將仍為比亞迪控股子公司。
資料顯示，比亞迪微電子成立於2004年10月，是比亞迪的第六事業部，主要承擔著公司集成電路及功率器件的開發、整合性晶圓製造服務的生產任務。事業部現有員工2300餘人，在深圳、寧波擁有兩大生產基地。目前產品主要覆蓋功率半導體器件、IGBT功率模塊、電源管理IC、CMOS圖像傳感器、傳感及控制IC、音視頻處理IC等。應用領域覆蓋了對光、電、磁及聲等信號的感應、處理及控制，提供IC產品及完整的解決方案。相關產品可廣泛應用於汽車、能源、工業、通訊和消費類電子領域。
根據比亞迪此次公佈的內部重組方案顯示，比亞迪微電子將受讓寧波比亞迪半導體有限公司100%股權和廣東比亞迪節能科技有限公司100%股權，並收購惠州比亞迪實業有限公司智能光電、LED光源和LED應用相關業務。
重組後比亞迪將完成半導體業務的聚焦和深度整合，主要業務覆蓋功率半導體、智能控制IC、智能傳感器及光電半導體的研發、生產及銷售，擁有包含芯片設計、晶圓製造、封裝測試和下游應用在內的一體化經營全產業鏈。
比亞迪表示，作為國內車規級 IGBT領導廠商，未來，比亞迪半導體仍將以車規級半導體為核心，同步推動工業、消費等領域的半導體發展，致力於成長為高效、智能、集成的新型半導體供應商。
國產IGBT產業鏈正在崛起
資料顯示，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是由 BJT（雙極型三極管）和 MOSFET（絕緣柵型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動功率半導體器件，結合了 BJT 和 MOSFET 的優點，既有 MOSFET 的開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有 BJT 導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，在逆變/變頻、開關電源、電力電網、牽引傳動等領域有著廣泛應用。
例如，電動汽車在轉換過程中，電池電壓一般在200V以上，過流能力在300A以上，功率器件的擊穿電壓在600-1200V左右，開關頻率在20KHz以內，所以需要對高壓大電流進行操作，主要通過IGBT來實現，堪稱稱電力電子裝置的“CPU”，是軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車、新能源裝備等領域的核心技術。
近年來，隨著電動汽車市場的快速增長以及配套的充電樁需求的快速爆發，對於IGBT的需求也呈井噴之勢。資料也顯示，IGBT是新能源汽車電控系統和直流充電樁的核心器件，其成本佔到新能源整車成本的10%，佔到充電樁成本的20%。
2018 年全球 IGBT 市場規模 50 億美元，同比增長 11.06%。其中中國 IGBT 市場規模達 21 億美元，約佔全球 40%，是全球最大市場，遠超日本 19%、歐洲的 23%、美國的 5%、其他地區的 13%。近幾年，下游領域的加速發展推動國內 IGBT 需求迎來爆發，預計到 2023 年中國 IGBT 市場將達 30.1 億美金，複合年增長率為 8％，增速遠超其他，本土 IGBT 市場景氣度凸顯。
雖然中國市場對於IGBT的需求巨大，但由於國內相關人才缺乏，工藝基礎薄弱，國內企業產業化起步較晚，多年來IGBT模塊大部分仍依賴進口，IGBT核心技術也主要掌握在美國、日本、歐洲等國外廠商手中。
從IGBT技術的發展歷程來看，也主要由國外廠商推動了 IGBT 從第一代升級至第七代，從早期 PT 穿通型、NPT 非穿通型，發展到最新的增強溝槽柵 FS 型，在工藝線寬、芯片面積、飽和壓降、關斷時間、能耗等方面顯著提升。其中，芯片面積減少了 2/3，功耗降低了 80%。芯片面積縮小超過 70%，硅片厚度減少 1/3 以上，從而使得製造成本、可靠性及產品性能均得到大幅改善。目前三菱電機、瑞薩等基本處於第 7-8 代 IGBT。而以華虹、華潤微電子為首的國內企業，目前還只掌握第 6 代 IGBT 技術，但這已經是代表了中國最先進的 IGBT 技術。
得益於技術上的領先性，全球IGBT 市場份額也主要集中在美日歐廠商手中。根據IHS Markit的數據顯示，2017年全球前五大 IGBT 廠商分別為英飛凌、三菱、富士電機、安森美、瑞士 ABB 等，前五廠商份額超過了70%，國內企業目前的市場份額普遍偏小。數據顯示，目前國內IGBT市場90%仍依賴於進口。
最近幾年，隨著國家的重視與扶持，中國半導體產業的發展迅速，我國IGBT產業化水平有了一定提升，部分企業已經實現量產，本土 IGBT 產業鏈已經初步完善。
目前，國內的華虹、華潤微、中芯國際、中車、斯達半導、士蘭微、比亞迪等在 IGBT 上進步較快，其中華虹成功量產 600V-1700V 基於溝槽結構的 NPT 和 FS（晶圓減薄）型 IGBT，華潤微則開發了 600V-1200V 平面與 Trench NPT 型 IGBT，而株洲中車則突破了 1700V-6500V 溝槽柵 IGBT 全套工藝，斯達也突破了 600V-3300V 平面與 Trench NPT 型 IGBT。而比亞迪也依靠自身下游新能源整車廠的帶動，將自研自產的IGBT 導入，目前 IGBT 芯片產能約在 10 萬片/月。
需要指出的是，比亞迪是目前國內唯一一家擁有IGBT完整產業鏈的車企，掌握了從IGBT芯片設計和製造、模組設計和製造、大功率器件測試應用平臺、到電源模塊及電控等關鍵環節。
比亞迪的IGBT自研之路
早在2005年之時，比亞迪就成立了IGBT研發團隊。那麼比亞迪為何要自研IGBT呢？
當時任深圳比亞迪微電子有限公司高級研發經理的吳海平就曾在一個論壇上表示，“因為我們做電動車做的比較早，當時在市面上幾乎找不到針對電動車的IGBT，基本上都是工業級的IGBT。我們也找過一些廠家去談定製，基本上都不理，所以當時也是被逼的沒有辦法才做這個事情。”
隨後在2008年收購了寧波中瑋，2009年比亞迪推出IGBT 1.0技術，模塊廠正式投產（採用的是外購芯片），2011年實現比亞迪e6的批量裝車。2012年比亞迪自研的IGBT開始大規模量產。數據顯示2015年，比亞迪IGBT模塊銷售額超過3個億，2017年底在汽車上累計出貨超過50萬支。
2018年12月，比亞迪全資子公司比亞迪微電子發佈了全新一代車規級IGBT標杆性產品——比亞迪IGBT 4.0。打破了從前被歐美和日本公司壟斷的現狀，甚至在電流輸出、綜合損耗及溫度循環壽命等許多關鍵指標上超越了像德國半導體巨頭英飛凌等主流企業的產品。
據介紹，比亞迪IGBT 4.0相比當時市場上的主流的IGBT在電流輸出能力上要高出15%，同等工況下，綜合損耗較當前市場主流的IGBT降低了約20%。溫度循環壽命可以做到當前市場主流IGBT的10倍以上。
目前，比亞迪已經擁有國內首個車用IGBT產業鏈條，包括IGBT芯片設計、晶圓製造、模塊封裝等部分，還有仿真測試以及整車測試。目前比亞迪IGBT芯片晶圓的產能為10萬片/月，年供應新能源汽車或達120萬輛。
經過十餘年的研發積累和於新能源汽車領域的規模化應用， 比亞迪半導體目前已成為國內車規級 IGBT領導廠商。
此前集邦諮詢的分析報告也指出，比亞迪微電子憑藉擁有終端的優勢，在車用IGBT市場快速崛起，取得中國車用IGBT市場超過兩成的市佔率，一躍成為中國銷售額前三的IGBT供應商。這樣的成績得益於比亞迪一直以來在IGBT領域的大力研發投入，根據統計數據顯示，截至2018年11月，比亞迪累計申請IGBT相關專利175件，其中授權專利114件。
需要指出的是，雖然此前比亞迪的IGBT主要是自用，但是 IGBT 4.0推出之時就已經實現對外供應。今年1月，長沙比亞迪半導體有限公司也正式成立，隨後長沙比亞迪IGBT項目正式啟動建設，這些都是為進一步加強IGBT產業相關佈局。
而隨著此次比亞迪半導體的獨立，無疑將有利於其IGBT客戶的擴展，進一步推動其IGBT業務的增長，加速IGBT的國產化進程。
安信證券也指出，引入戰略投資者、獨立上市一方面可以減輕上市公司融資壓力，為比亞迪半導體的持續研發提供資金支持；另一方面，更高的獨立性有利於比亞迪半導體拓展更多客戶，實現更快發展。
另據中金公司預計，比亞迪半導體拆分上市後可達300億市值。花旗發表的研究報告也表示，比亞迪半導體業務若獨立上市將大力提高現在上市公司的現金狀況，同時為後續電池業務的IPO奠定基礎。
另外值得一提的是，比亞迪還發布公告稱，宣佈陳剛已辭任公司副總裁職務，自公告日生效。辭任後，陳剛將專職擔任比亞迪半導體董事長及總經理職務，專注於比亞迪半導體的經營發展
編輯：芯智訊-林子
注：部分資料來源中信建投、興業證券、海通證券
