這幾天，中國企業研發出128層 3D NAND芯片的信息刷遍了IT圈。但是可能很多人還在一臉懵地問——3D NAND是什麼？我家裡的SSD是3D NAND的嗎？
事實上，3D NAND技術在過去幾年已經開始出現，在2017年已經有相關的成品，早在2018年，浦科特的M8V也使用了64層堆疊的BiCS 3D NAND顆粒，而M9P Plus則採用96層3D BICS4顆粒，實際上M8V也算間接推動了入門級3D NAND顆粒在SSD中的普及。
在過去幾年，購買固態硬盤時大家可能更在意的是使用的NAND顆粒是MLC？還是TLC或者QLC。
因為NAND閃存由多個以（bit）為單位的單元構成，這些位通過電荷被打開或關閉，如何組織這些開關單元來儲存在SSD上的數據，也決定了NAND閃存的命名，比如單層單元（SLC）閃存在每個存儲單元中包含1個位。
由於SSD電路板規格具有行業標準尺寸，因此同樣的單元物理空間下，多層單元（MLC）能使容量翻倍，三層單元（TLC）更能使容量變為三倍，基於這種發展，為SSD趨向大容量開闢了道路。在性能、體積的優勢基礎上，NAND閃存目前發展的方向便是降低每比特存儲成本、提高存儲容量，因此就有了後來的四層單元（QLC），每個存儲單元有4個bits的格式。
但是，也因為每增加一層單元，單位面積容量就越高，但同時導致不同電壓狀態越多，越難控制，所以導致顆粒穩定性越差，壽命低。到了QLC，其理論壽命與性能都不被人看好，所以QLC技術很早便實現，但遲遲不能推出市場的原因。
不過3D NAND技術的出現，可以說給NAND市場注入了新的技術動力。
簡單地說，過去的存儲單元都是在平面架構，而3D NAND則是立體架構，如果說過去的NAND是平房，那麼3D NAND就是高樓大廈。把存儲單元立體化，這意味著每個存儲單元的單位面積可以大幅下降，從而大幅提升閃存的存儲容量。理論上來講NAND可以無限堆疊，但是由於技術和材料限制，目前量產中的3D NAND芯片仍然以64層與96層為主，而128層技術已經被成功研發出來，但是仍未實現量產。
3D NAND技術的應用能讓過去的內存顆粒容量成倍地增加，從而降低了單位存儲成本，同時也讓NAND顆粒的擦寫次數大大增長——無論是TLC還是QLC都是如此，TLC在滿足性能的同時也可以擴大容量和安全性，成為了SSD的主力軍，而QLC則更多被應用在入門級的產品吸納對價格敏感的群體。
3D NAND目前主要是由日美韓幾家大公司生產，韓國自然是三星和SK現代，而日本則是鎧俠KIOXIA（東芝）、美國則是鎂光。以鎧俠KIOXIA為例，東芝是閃存技術的發明人，所以很早就投入3D NAND研發了，2007年他們獨闢蹊徑推出了名為BiCS—Bit Cost Scaling技術的3D NAND，強調的就是隨NAND規模而降低成本，號稱在所有3D NAND閃存中BiCS技術的閃存核心面積最低。目前來說，除了鎧俠KIOXIA自家的品牌，像是浦科特也全系運用了鎧俠KIOXIA的BiCS技術的3D NAND芯片。
總而言之，過去被一些消費者所不信任的TLC NAND顆粒，在結合了3D NAND技術後也搖身一變使得速度和壽命都不遜色於過去MLC的性能，加上價格下滑，大家都開始喊著真香了。需要特別提到的是，不同品牌、技術的3D NAND顆粒都會對速度與品質產生影響，大家在選購的時候也需要多留個心眼。目前來說浦科特的M8V採用了行業公認的頭部品牌鎧俠KIOXIA（東芝）的BiCS 3D NAND顆粒，M9P Plus則為96層3D BICS4顆粒，在品質、速度、穩定性上都有保證。在未來，隨著3D NAND技術的不斷突破，容量更大更便宜的NAND顆粒將會陸續面世，這樣子，購買SSD乃至筆記本，成本也都會不斷地減低了。
