與非網 4 月 18 日訊，受到半導體市場低迷的影響，2019光刻膠、輔助材料的全球市場出現了負增長；2020 年雖然有新冠肺炎的影響，但預測會轉為正增長。
據預測，主要的 G-Line/I-Line、DUV 光刻膠的 2020 年的市場規模繼 2018 年之後，會再次超過 16 億美元（約人民幣 112 億元）。另一方面，EUV光刻膠的市場規模在 2020 年超過 1,000 萬美元（約人民幣 7,000 萬元），到 2023 年年平均增長率預計達到 50%以上，但是從當前的 EUV 光蝕刻膠的整體市場來看，EUV 光刻膠的佔比不足 1%。
近幾年不同的新 EUV 光刻膠技術陸續問世，例如也是液態式的金屬氧化物光刻膠，或是乾式的光刻膠等，在整個半導體產業鏈生態中，這是一次材料革新帶來的巨大商機。
美國有一家材料商 Inpria 就很積極投入 EUV 光刻膠技術，這是一家 2007 年從俄勒岡州立大學化學研究所獨立出來的公司，傳出之後獲得許多半導體公司如三星、英特爾等投資。
Inpria 是研發負性光刻膠，其分子大小是 CAR 有機光刻膠的 5 分之 1，重點是光吸收率可達 CAR 的 4〜5 倍，因此能更精密、更準確地讓電路圖形成形。
主要是因為，2019 年日本對韓國進行 EUV 光刻膠的出口管制，讓韓國的半導體公司為了尋找替代和創新的解決方案的態度比其他半導體大廠是更加積極。
根據估計，韓國半導體有 90％ 以上的光刻膠技術是仰賴日本供應，EUV 光刻膠也同樣是高度仰賴日商。
三星和臺積電是全球遷移引入 EUV 工藝的兩大半導體廠，雙方從 7nm 一路纏鬥至今，臺積電都是一路領先，未來要決勝 3nm 工藝節點，三星必須要在材料上有完全把握，才能再次一宣戰。
根據調研機構 IC Insights 統計，尺寸小於 10 nm 的半導體產量將從 2019 年的每月 105 萬片晶圓，增加到 2023 年每月 627 萬片，且未來幾年內 EUV 將主導 7nm 以下的大部分工藝技術。
7nm 以下先進工藝的產能大增，也代表整個業界對於新的 EUV 光刻膠技術，以及不同來源的材料需求更為迫切。
近期還有一種新的 EUV 光刻膠技術，也備受關注，由 Lam Research 和光刻機龍頭 ASML 、比利時微電子中心 imec 聯手研發，提出了一種全新的 EUV 乾式光刻膠技術，目的是取代傳統的 CAR 光刻膠，這對於半導體工藝的演進，可能會是一個巨大的突破。
Lam Research 執行副總裁兼首席技術官 Rick Gottscho 表示，這個新技術的優勢在於提升 EUV 的敏銳度和分辨率，更可以減少原本 5〜10 倍的光刻膠使用量，在成本節約上帶來顯著成果。
