近日，據韓國媒體報道，三星目前正在開發具有 160 層或更高層的第 7 代 V-NAND 快閃存儲器，並且在相關技術方面已經取得重大進展。當前，3D NAND Flash 快閃存儲器產品量產的最高堆疊層數為 128 層，而如果報道屬實的話，三星所研發的更高層數的快閃存儲器將是一次突破。另外，報道還指出，三星的第 7 代 V-NAND 快閃存儲器將採用“雙堆疊”的技術來達到更多堆疊層的目的。就現階段來說，如果完成 160 層堆疊的 V-NAND 快閃存儲器開發，將成為業界最高堆疊層數的產品。
在存儲器產業中，當下的存儲器均稱為 3D NAND Flash 的快閃存儲器，而三星則正在研發 V-NAND 快閃存儲器，從名字來看就是下一代的產品。另一方面，堆疊層數的多少是 3D NAND Flash 快閃存儲器廠商的核心競爭力，而目前三星是被公認為業界技術最先進的廠商。這一方面也是無需質疑的，一個證據就是，三星在 2019 年以 166.7 億美元(約 20 萬億韓元)的營收，在全球 3D NAND Flash 快閃存儲器市場上成為龍頭，市佔率達到 35.9%。
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人類存儲數據的需求可謂歷史悠久，存儲器的形態歷年來也發生了翻天覆地的變化：早期的軟盤現早已不見蹤影，光學存儲的DVD/CD也漸行漸遠，越來越多的電腦已不再配備光驅，傳統的電腦硬盤使用的磁盤作為大量數據存儲的首選方案現也已受到SSD的威脅。眾多形態的存儲方式按照其原理可大致分為光學存儲、半導體存儲和磁性存儲。半導體存儲是存儲領域的應用領域最廣、市場規模最大的存儲器件。
存儲器產業鏈較長，涉及多個環節。存儲器產業鏈可分為三大核心環節：設計、製造和封裝測試。設計是建立電子器件、器件間互連線模型，包括邏輯設計、電路設計；製造環節是對晶圓進行製造和加工，包括氧化、光刻、刻蝕、擴散、植入、沉積等過程；封測是將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。半導體設備和材料為製造和封測多環節提供相應需求，也是產業鏈的重要組成部分。
根據WSTS統計數據顯示，2018年全球存儲器銷售額為1579.67億美元，相較於2017年存儲器單價有較為明顯的下滑，但是銷售額增速仍有27.4%，可以看到在2016年之前，存儲器銷售額佔到整體半導體市場銷售規模20%左右，但是在2016年，由於存儲器價格在2017年及2018年出現大幅上漲，銷售額佔比一度高於30%，預計在2019年佔比仍將保持在30%左右。
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小編：痴冬
