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来源：中时电子报（台）
台积电21日发布108年度年报，在先进制程及先进封装等技术研发上已有明显突破。今年除了5纳米进入量产、3纳米持续研发外，台积电今年会加快2纳米研发速度。另外，台积电看好整合型扇出（InFO）等先进封装保持强劲成长，今年投入包括系统整合芯片（SoIC）等3D先进封装技术开发，以提供业界系统级解决方案。
台积电董事长刘德音及总裁魏哲家在年报中也联名发布致股东报告书，提及台积电去年达成许多里程碑，尽管面临国际间贸易紧张局势所带来业务上的逆风，年度营收依旧连续10年创下纪录。台积电今年在先进制程持续往5纳米及3纳米推进，3D先进封装技术能提供业界系统级解决方案，期待5G相关及高效能运算（HPC）应用的发展，将会在未来几年带动台积电先进技术的强劲需求。
台积电去年晶圆出货量达1,010万片12吋晶圆，16纳米及以下更先进制程的销售金额占整体晶圆销售金额的50％，提供272种不同的制程技术并为499个客户生产10,761种不同产品，在晶圆代工市场占有率提升至52％。
此外，台积电去年持续增加研发费用，达到29.6亿美元的历史新高，延续技术上的领导地位。台积电指出，去年5纳米制程（N5）进入试产并在今年进入量产，台积电指出，虽然半导体产业逼近矽晶的物理极限，N5制程仍遵循摩尔定律，3纳米（N3）制程技术大幅提升芯片密度及降低功耗并维持相同的芯片效能，去年的研发着重于基础制程制定、良率提升、晶体管及导线效能改善以及可靠性评估，今年将持续进行N3制程技术的全面开发。
台积电去年领先半导体产业进行2纳米（N2）制程技术的研发，在关键的光刻技术上开始进行N2以下技术开发的先期准备。年报中指出，N5技术已经顺利移转，针对N3技术的开发，EUV光刻技术展现优异的光学能力与符合预期的芯片良率。台积电今年将在N2及更先进制程上将着重于改善EUV技术的品质与成本。
展望未来，刘德音及魏哲家认为，5G网络在通讯上带来的显著进展，将开启许多不同类型的终端连结装置间崭新的应用模式，并且驱动数据量呈指数成长。数位运算如今已逐渐变得无所不在，同时需要大量的运算能力，期待5G相关及HPC应用的发展，将会在未来几年带动台积电先进技术的强劲需求。
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