國內最早進行6英寸化合物半導體晶圓製造公司三安集成電路有限公司日前宣佈，將在全球範圍內為650V和1200V碳化硅(SiC)器件以及650V氮化鎵(GaN)功率高電子遷移率晶體管(HEMTs)提供寬禁帶電力電子器件代工服務。
三安集成電路CEO Raymond Cai說道：“三安集成的母公司三安光電股份有限公司擁有豐富的批量生產化合物半導體的製造經驗，這啟發了我們開始建立自己的寬禁帶半導體電力電子領域產品的生產線。”Raymond Cai補充說：“電力電子行業需要獲得最先進的代工服務。三安集成相信有能力為高增長的電子電子器件市場提供一個全面的產品原型設計平臺，將為降低進入壁壘和實現批量生產提供優質服務，同時保證安全和質量品質。”
根據Yole Développement在2019年11月的報告《 Power GaN 2019：Epitaxy，Devices，Applications and Technology Trends》中預測，功率GaN市場在2017年至2023年之間的複合年增長率（CAGR）為55％。 此外，在Yole在2019年7月的報告《 2019年功率SiC：材料，器件和應用》指出，功率SiC市場在2018-2024年期間的複合年增長率為29％。
頂級智能手機廠商發起採用的GaN解決方案和在大數據市場中SiC技術均被電子電子器件行業所認可，用於重塑系統設計。因此，三安集成將致力於促進GaN和SiC技術的發展，憑藉全面的電力電子器件市場代工服務、豐富的大規模生產經驗和對質量的嚴格把控和安全標準的遵守，三安集成致力於在以下應用領域的夥伴合作：
·電動汽車（EV）和混合電動汽車（HEV）；
·具有功率因數校正（PFC）的不間斷電源（UPS）;
·電源適配器和電池充電器；
·光伏逆變器和儲能；
·電機驅動器。
2019年6月，三安集成發佈了G06P111技術工藝，該技術工藝為650V增強型高電子遷移率晶體管（E-HEMT）GaN工藝，已通過JEDEC標準認證。自那時以來，三安集成已經開發了多個用於GaN工藝的多項目晶圓（MPW）穿梭線。該公司表示，利用三安集成的工藝設計套件（PDK）和電子代工服務，設計人員可以利用GaN器件的設計和性能，確保在批量生產之前進行首次正確設計。
今年，三安集成計劃為更多的技術選擇提供MPW運行，包括200V和100V低壓E-HEMT工藝服務以及為大電流設計提供M3工藝。該公司還計劃開發其他技術，如GaN集成電路和高度可靠的耗盡型（D-模式）金屬-絕緣體-半導體場效應晶體管（D-MISFET），預計將於今年晚些時候添加到三安集成的電源產品組合中 。
