在MOSFET中，除了有与JFET相同的耗尽特性外还有增强特性。对于N沟MOSFET增强型是指VGS不在正的电压范围时就没有漏极电流流过的特性。（P沟时VGS极性相反）
耗尽型MOSfet
对于N沟MOSFET即是VGS为正ID任有电流流动,耗尽型MOSFET 的IDss不是源极漏极之间流过的最大电流只是VGS等于0时漏极电流ID值。
耗尽型MOSFET由于VGS=0时任有漏极电流流过，所以该种器件无法应用在开关电路及电机驱动电路中，但是他的优点是在高频放大器中容易构成偏置电路，所以高频用MOSFET几乎都是耗尽型的。
目前应用在开关、调节器或者电机驱动电路等功率放大电路中的MOSFET几乎都是增强型的FET。
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