东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“TLP5231”，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和MOSFET的预驱动光耦，适用于工业逆变器和光伏（PV）的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1]，其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。
TLP5231 产品示意图
新型预驱动光耦使用外部 P 沟道和 N 沟道互补的 MOSFET 作为缓冲器，来控制中大电流 IGBT 和 MOSFET。
目前现有产品[2]需要使用双极型晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大，这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补 MOSFET 缓冲器，仅在缓冲器 MOSFET 的栅极充电或放电时消耗电流，有助于降低功耗。
通过改变外部互补 MOSFET 缓冲器的大小，TLP5231 能够为各种 IGBT 和 MOSFET 提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET 缓冲器以及 IGBT／MOSFET 的配置可用作平台来满足系统的功率需求，从而简化设计。
其他功能包括：在检测到 VCE(sat)过流后使用另一个外部 N 沟道 MOSFET 控制“栅极软关断时间”；另外，除了能通过监控集电极电压检测到 VCE(sat)之外，还有 UVLO[3]检测，将任意故障信号输出到一次侧。以上这些现有产品[2]不具备的新特性，能够让 TLP5231 帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。
应用：
- IGBT 与功率 MOSFET 栅极驱动（预驱动）
- 交流电机和直流无刷电机控制
- 工业逆变器与不间断电源（UPS）
- 光伏（PV）电源调节系统
特性：
- 内置有源时序控制的双输出，适用于驱动 P 沟道和 N 沟道互补 MOSFET 缓冲器。
- 当检测到过流时，通过使用另一个外部 N 沟道 MOSFET 实现可配置栅极软关断时间。
- 当监控集电极电压检测到过流时或 UVLO 时，故障信号会输出到一次侧。
主要规格：
（除非另有说明，@Ta＝-40 至 110℃，典型值@Ta＝25℃）
注释：
[1] 栅极信号软关断、故障反馈功能
[2] TLP5214、TLP5214A
[3] UVLO：欠压锁定
[4] 常见 VE
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