近日，功率半導體領域最頂級的學術年會——第三十屆國際功率半導體器件與集成電路年會（IEEE ISPSD 2018）在美國芝加哥舉行。電子科技大學陳星弼院士因對超結功率半導體器件的卓越貢獻入選ISPSD首屆名人堂，成為國內首位入選名人堂的華人科學家。
大會主席Jhon Shen和顧問Mutsuhiro Mori共同為陳星弼院士頒獎
ISPSD是國際電氣與電子工程師協會（IEEE）主辦的不帶地區色彩的高水平學術會議，是功率器件領域的頂級國際學術會議。該會每年舉辦一屆，自1992年的第三屆開始，輪流在日本（2007年為韓國）、美國（1999年為加拿大）和歐洲舉辦。自2015年起，中國成為該會的常任舉辦國之一。ISPSD首屆名人堂入選者是由ISPSD委員會根據成立30年以來全球相關領域的科學家對功率半導體器件與功率集成電路做出的貢獻進行評選。據悉，此次全球共有32位科學家入選。接下來就帶你走進陳星弼院士，看看他和他的科研世界。
比起獎項，他更愛科學
陳星弼院士大約是在今年二月份，得知自己獲獎一事的。對於獲獎，陳星弼院士也沒有感覺到多麼高興和激動，只是認為，科研的動力是對未知世界的好奇心，而不是生存、金錢和獎項。
發明專利在全世界範圍內已被引用超過500次
令陳星弼院士感到驕傲的還有自己的發明——複合緩衝耐壓結構（超結MOS器件）。
他說：“功率器件很重要，是因為可作為開關器件用在各類電源中。我們希望耐壓很高，接通時電阻很小，但功率器件的實際情況是有限制的。有一個所謂的硅極限，相關理論是，器件作為開關在打開時的單位面積的導通電阻和它關斷時的耐壓有一個2.5次方的關係。比如，我們設計的器件是200V的耐壓，有1Ohm的電阻，這是可以忍受的。但如果想要500V的耐壓，那麼同樣器件面積下，導通時的電阻就會變成10Ohm，這個電阻就大了很多。我一直在做功率器件的研究，解決這一問題不完全是興趣的驅動，而是職業的驅動。之前做過的一些工作只是'小鬧小打'，能夠降低一點電阻，但效果不明顯。後來我做了很多終端技術的理論，從而啟發了新的思想，做出新的器件結構。這樣，導通電阻和耐壓的關係不再是2.5次方，而是1.3次方。”
超結MOS器件做出來後，引起學術界和企業界很大反響。該發明的美國專利在全世界範圍內已被引用超過500次。它的經濟效益也非常明顯，英飛凌、意法半導體、仙童、東芝等國外著名公司都投入生產。根據法國半導體領域的市場調查公司Yole Development結果顯示，超結功率器件在2018年將達到10億美元的年銷售額並預測以10.3%的年複合增長率迅速增長。超結MOS器件的應用非常廣泛，包括電腦電源、照明電源、液晶電視、光伏逆變器，以及醫療、電信、工業等多類電源都有它的“身影”。
對於未來發展，陳星弼院士信心滿滿
在被問到功率器件及功率集成電路發展前景時，陳星弼院士說：“集成電路為電子信息時代奠定了基礎。就像造房子一樣，網絡、雲等等都是重要的，但基石是微電子。小到家用電器，大到能源環境等國家戰略都離不開集成電路。我認為第二次電子革命，狹義上講，就是互聯網+一切用電力的東西。
科研取得優異成績，對於教學他也有一套
在被問到教學和科研的問題時，他說：“應該是培養人更重要。但是，如果你在科研方面沒有自己的貢獻，也很難培養出傑出的人才。教學和科研是矛盾統一的。”事實上，陳星弼院士每次上課也都做了充分的準備，寫了厚厚的教案。授課之前，我就講給夫人聽，她幫我糾正發音，我們共同推敲每一個例子是否準確，琢磨每一句話最佳的表達方式。我把厚厚的書濃縮成幾張小紙片，在心裡滾瓜爛熟，就是要給學生奉上最好的課。
關於個人問題，他覺得解決問題比吃喝玩樂更有意思
作為老一輩科學家，陳星弼院士經歷過山河破碎，他也有“科教興國”的責任感。有人說他這樣苦得很，還要去上班。而他則認為，吃喝玩樂才沒意思，比如吃得越多，身體越糟糕。打麻將的高級玩法，他在十歲時就會了，但這些東西的趣味性是有限的，只有科學的趣味是無限的，在科學的路上，遇到困難、解決困難就是一種幸福。
不畏艱辛，奮鬥在科研路上，銘記初心，肩負著時代重任。在電子科技大學像陳星弼院士這樣的科學家還有很多，電子科技大學也將繼續鼓勵和培養這樣基礎知識厚、專業能力強、綜合素質高、具有國際視野、社會責任感和健全人格的拔尖創新人才，為國家發展做出更大貢獻。
閱讀更多 成電招生 的文章
