全球存儲器龍頭廠三星10日宣佈，正式量產堆疊數高達90層的第5代V-NAND快閃存儲器。該項產品不但堆疊數為當前最高，而且還首發Toggle DDR 4.0傳輸介面，使得傳輸速率達到了1.4Gbps。
三星的V-NAND是3D NAND快閃存儲器中的一種。目前市場中的主力，還是堆疊數64層的第4代V-NAND快閃存儲器。如今，三星宣佈正式量產的是第5代V-NAND快閃存儲器，其核心容量256Gb並不算高，但是各項性能指標卻不能小覷。
其中，它是業界首發支援Toggle DDR 4.0傳輸介面的V-NAND快閃存儲器，傳送速率達到了1.4Gbps，相較過去64層堆疊的V-NAND快閃存儲器來說，足足提升了40%。
而除了採用新的傳輸介面以提升速率之外，第5代V-NAND快閃存儲器的性能、功耗也進一步優化。其工作電壓從1.8V降至1.2V，同時寫入速度也是目前最快的500us，這個速度也是比上一代V-NAND快閃存儲器提升了30%。至於，在讀取速率上的回應時間也縮短到了50us。
據瞭解，三星的第5代V-NAND快閃存儲器，內部堆疊了超過90層CTF Cell單元，是目前市面上堆疊層數最高的3D NAND TLC架構快閃存儲器。這些儲存單元通過微管道孔洞連接，每個孔洞只有幾百納米寬，總計包含超過850億個CTF單元，每個單元可以儲存3位元資料。
此外，第5代V-NAND快閃存儲器在製程技術上也做了改進，製造生產效率提升了30%。而藉由先進的製程技術，使得每個快閃存儲器單元的高度降低了20%，減少了單位之間干擾的發生率，提高了資料處理的效率。三星目前正在加強第5代V-NAND快閃存儲器的量產，以便滿足高密度儲存領域，包括高效能運算、企業伺服器及移動設備市場的需求。
而除了第5代V-NAND快閃存儲器的量產之外，三星目前也還在擴展V-NAND快閃存儲器，準備推出核心容量高達1Tb的NAND快閃存儲器，及QLC架構的快閃存儲器產品，繼續推動下一代快閃存儲器發展。
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