持續同時朝多面向快速進展的晶圓代工大廠臺積電(TSMC)，於美國硅谷舉行的年度技術研討會上宣佈其7納米制程進入量產，並將有一個採用極紫外光微影(EUV)的版本於明年初量產；此物該公司也透露了5納米節點的首個時間表，以及數種新的封裝技術選項。
臺積電也繼續將低功耗、低洩漏電流製程技術往更主流的22/12納米節點推進，提供多種特殊製程以及一系列嵌入式內存選項；在此同時該公司也積極探索未來的晶體管結構與材料。整體看來，這家臺灣晶圓代工龍頭預計今年可生產1,200萬片晶圓，研發與資本支出都有所增加；臺積電也將於今年開始在中國南京的據點生產16納米FinFET製程芯片。
唯一的壞消息是，臺積電的新制程節點是不完全步驟，因此帶來的優勢也越來越薄；而新的常態是當性能增加，功耗下降幅度通常在10~20%左右，這使得新的封裝技術與特殊製程重要性越來越高。
臺積電已經開始量產的7納米制程，預期今年將有50個以上的設計案投片(tap out)，包括CPU、GPU、AI加速器芯片、加密貨幣採礦ASIC、網絡芯片、遊戲機芯片、5G芯片以及車用IC。該製程節點與兩個世代前的16FF+製程相較，能提供35%的速度提升或節省65%耗電，閘極密度則能提升三倍。
將採用EUV微影的N7+節點，則能將閘極密度再提升20%、功耗再降10%，不過在速度上顯然沒有提升──而且這些進展需要使用新的標準單元(standard cells)。臺積電已經將所謂的N7+節點基礎IP進行硅驗證，不過數個關鍵功能區塊還得等到今年底或明年初才能準備就緒，包括28-112G serdes、嵌入式FPGA、HBM2與DDR 5界面。
臺積電研究發展/設計暨技術平臺副總經理侯永清(Cliff Hou)預期，該EUV製程在佈局IP方面需要多花10%~20%的力氣：“我們開發了一種實用方法以漸進方式來轉移IP。”他表示，經過完整認證的N7+節點EDA流程將在8月份完成；在此同時，該節點的256Mbit測試SRAM良率已經與初期版本的7納米節點相當。
展望未來，臺積電預計在2019上半年展開5納米制程風險試產，鎖定手機與高性能運算芯片應用；相較於第一版不採用EUV的7納米制程，5納米節點的密度號稱可達1.8倍，不過功耗預期只降低20%、速度約增加15%，採用極低閾值電壓(Extremely Low Threshold Voltage， ELTV)技術則或許能提升25%；臺積電並未提供ELTV技術的細節。
EUV功率水平順利朝明年初量產發展
“沒有EUV，他們就無法提供與過去節點相同的微縮優勢；”市場研究機構The Linley Group的分析師Mike Demler表示：“如果你看N7+製程，號稱比N7製程再微縮20%，因此EUV還是更接近傳統摩爾定律(Moore’s Law)微縮水平所需的，而N7到N5節點的微縮效果只會更糟。”
臺積電顯然擁有能在明年初以EUV微影進行量產的好運氣，該公司擁有的系統在4月份以250W維持生產數週，預期明年可達到300W，這是大量生產所需的功率水平。不過要維持每日平均145W的功率，臺積電還需要加把勁；對此該公司研究發展/技術發展資深副總經理米玉傑(Y.J. Mii)表示：“生產量正朝向滿足量產所需發展。”
除了透露在功率以及生產量方面的顯著進步，米玉傑表示，儘管仍超出三分之一，光阻劑量(resist dosage)的減少幅度也朝著該公司在2019年第一季量產的目標邁進；此外EUV光源的光罩護膜(protective pellicle的穿透率目前達到83%，明年應該可以達到90%。
米玉傑以數個案例為證明，表示EUV持續提供比浸潤式步進機更佳的關鍵尺寸(critical dimensions)均勻度；臺積電預期會同時在N7+以及5納米節點的多個層採用EUV，並積極安裝ASML的NXE3400微影設備。
看來臺積電的EUV量產計劃與三星(Samsung)的量產時程差距在六個月之內，後者表示將於今年導入量產，更多相關訊息可望在本月稍晚三星自家活動上曝光。而臺積電與三星的EUV量產時程差距，看來並不足以讓Apple或Qualcomm等大客戶更換代工夥伴；市場研究機構VLSI Research執行長G. Dan Hutcheson表示，只有幾個月的領先在長期看來是微不足道。
仍在萌芽階段的臺積電5納米節點，則預計在6月份釋出0.5版的EDA流程，以及在7月份推出0.5版的設計工具套件；該節點還有許多IP功能區塊要到明年才會完成驗證，包括PCIe 4.0、DDR 4以及USB 3.1接口。
臺積電的目標是在2019年讓10/7納米節點產量增加三倍，達到一年110萬片晶圓；該公司的Fab 18已經在臺灣的臺南科學園區興建中，預計在2020年開始5納米制程量產。
多種封裝技術選項
臺積電已經為GPU與其他處理器打造CoWoS 2.5D封裝技術，還有智能型手機芯片適用的晶圓級扇出式封裝InFO，除了繼續推廣這兩種技術，該公司還將添加其他新技術選項。
從明年初開始，CoWoS技術將提供具備倍縮光罩(reticle)兩倍尺寸的硅中介層選項，以因應該領域的需求；而具備130微米凸塊間距的版本則將在今年通過質量認證。InFO技術則會有四種衍生技術，其中內存基板應用的InFO-MS，將在1x倍縮光罩的基板上封裝SoC與HBM，具備2x2微米的重分佈層(redistribution layer)，將在9月通過驗證。
InFO-oS則擁有與DRAM更匹配的背向RDL間距，而且已經準備就緒；一種名為MUST的多堆棧選項，將1~2顆芯片放在另一顆比較大的芯片頂部，然後以位於堆棧底部的硅中介層來連結。最後還有一種InFO-AIP就是封裝天線(antenna-in-package)技術，號稱外觀尺寸可縮小10%，天線增益則提高40%，鎖定5G基頻芯片的前端模塊應用等設計。
市場研究機構TechSearch International總裁暨資深封裝技術分析師Jan Vardaman表示：“InFO是重要的平臺，臺積電的以PoP形式整合內存與基頻/調制解調器的InFO封裝令人印象深刻──高度較低、尺寸較小而且性能更佳；基板上InFO技術則會在市場上大受歡迎，因為2微米線寬與間距適合多種應用。”
不只如此，臺積電還發表兩種全新的封裝技術選項。其中在4月底問世的WoW (wafer-on-wafer)封裝直接以打線堆棧三顆裸晶，不過使用者還需要確定其EDA流程是否支持這種打線(bonding)技術；該技術還將在6月推出支持EMI的版本。
最後臺積電還大略描述了一種被稱為“整合芯片系統”(system-on-integrated-chips，SoICs)的技術，採用10納米以下的互連來連結兩顆裸晶，但技術細節還要到明年才會透露；該技術鎖定的應用從行動通訊到高性能運算，而且能鏈接採用不同製程節點生產的裸晶，看來是某種形式的系統級封裝(SiP)。
一位分析師在臺積電技術研討會的休息時間表示：“日月光(ASE)一直是封裝技術領域的領導者，但現在我得說臺積電才是。”臺積電的動機很明顯，隨著CMOS製程微縮的優勢漸退，封裝技術能有助於性能表現，一部份是透過更快的內存存取。
在過去幾年，擁有三種後段製程生產線的臺積電拿到了Apple的大訂單，部份是因為InFO與Xilinx還有Nvidia，也有部份是因為CoWoS。而The Linley Groupe的Demler表示，新的封裝技術選項“看來是在摩爾定律終結之後具備長期潛力的替代方案，但成本相當昂貴，也仍有許多問題待克服。”
填滿主流製程選項
臺積電有超過三分之一的營收來自於28納米以上節點，因此該公司除了提及在特殊製程方面的進展，也有比尖端製程舊一至兩個世代的製程節點新進展。
舉例來說，臺積電正在開發22納米平面製程與12納米FinFET製程的超低功耗與超低漏電版本，號稱能與Globalfoundries和Samsung的FD-SOI製程分庭抗禮。新版本的22納米制程採用28納米設計規則，提供10%的光學微縮(optical shrink)與速度增益，或者能降低20%功耗；該製程與相關IP將於今年底準備就緒，鎖定先進MCU、物聯網與5G毫米波芯片等應用。
12納米版本的低功耗/低漏電製程則採用FinFET架構以及更小巧的單元庫(cell libraries)，可提供比臺積電16FFC 製程高16%的速度，高速Serdes等少數幾個IP則要到明年才問世。
內存方面，40納米的電阻式RAM已經準備好取代物聯網芯片中的閃存，只需要添加兩層光罩，並支持10年的儲存時間以及1萬次讀寫週期。將於今年問世的22納米嵌入式MRAM支持高於閃存的速度與更長的儲存期限，鎖定汽車、手機、高性能運算等設計；該技術到目前為止號稱在測試芯片上皆具備高良率。
此外，臺積電也提供小型化的微機電系統(MEMS)製程，預期在今年秋天可提供整合10V與650V驅動器的硅基氮化鎵(GaN-on-silicon)製程，明年則可完成蜂巢式通訊功率放大器採用的100V D-HEMT製程驗證。
臺積電也具備車用16FFC製程的經驗證EDA流程以及IP，計劃今年底可提供7納米車用製程，將於2019年第二級通過完整認證。
中國市場與晶體管研發進展
除了宣佈其位於中國南京的晶圓廠比預期提早數個月展開16納米FinFET製程生產，臺積電也透露了長期研發計劃，以及在製程自動化方面採用機器學習的進度。
臺積電南京廠的第一階段建築包括媲美Apple美國新總部但規模沒那麼大、外觀像宇宙飛船的員工餐廳以及管狀的辦公大樓，以及月產量2萬片晶圓的廠房；而該廠區若完成所有建設，月產量最高可達到8萬片晶圓。
臺積電南京廠外觀設計圖（來源：EE Times）
在此同時，臺積電的研究員在適合2納米以下製程節點應用的下一代晶體管所需之堆棧納米線(nanowires)、納米片(nanosheets)設計上取得了進展，號稱能支持比FinFET更佳的靜電(electrostatics)特性，而且可以藉由調整組件寬度達到功耗與性能的優化。
臺積電認為鍺(germanium)是具備潛力的硅替代材料，因為在相同速度下功耗較低；該公司已經在與CMOS兼容之介電質中利用該材料，達到了創紀錄的低接觸電阻。臺積電也正在研究各種2D後段材料，包括具備原子級光滑表面的二硫化鉬(molybdenum disulfide)。
此外臺積電也在實驗新方法來放大銅晶粒(copper grain)，以降低互連中的電阻；並正在研發選擇性介電質上介電質(selective dielectric-on-dielectric)沉積製程，以實現銅通孔的(vias)的自動對準(self-aligning)。
在內存技術方面，22納米以下節點應用的嵌入式MRAM技術是重點研發項目之一，有可能具備替代性磁結構；在40納米以下電阻式隨機存取內存(ReRAM)部份，高密度的縱橫閂(crossbar)被視為具能源效益的方案，特別是應用於AI加速度芯片。
在製程自動化部份，臺積電正採用機器學習技術系統化分析大量晶圓製程數據，並已經針對特定工具與產品調整了製程參數(recipe)；此外該公司也針對製程變異進行追蹤與分類，以實現找出工具、製程或材料中問題所在的自動化。
臺積電擁有具備超過5萬種製程參數與上千萬製程管制圖(control charts)的數據庫，不過該公司將如何把機器學習運用於自動化任務，以及將運用於何種產品在線，目前並不清楚──毫無疑問，仍有某項工作正在進行中，或許其中也有一些不為外人道的秘方。
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