著名物理學家洪朝生
洪朝生(1920年10月10日—2018年8月19日)，著名物理學家、我國低溫物理和低溫技術研究的開創者，1952年加入九三學社，1980年當選為中國科學院學部委員(院士)。
2018年8月19日，洪朝生因病在京逝世，享年98歲。
科學沒有國界，可科學家有祖國
1920年，洪朝生出生於北京。父親洪觀濤早年曾加入同盟會，後赴法國、比利時留學8年，專習鐵路工程。回國後任隴海鐵路潼關至西安段工程局局長兼總工程師及鐵道部路政司技正等職。外祖父高夢旦為近代著名出版家。
洪朝生的中學階段是在北京育英學校和匯文中學這兩所教會學校度過的。在匯文讀高中期間，他在物理名師張佩瑚等人的引導下，對物理學產生濃厚興趣，立志做一名物理學家。1936年，洪朝生考取了清華大學物理系，但篤信“工程救國”的父親堅決反對他學物理而令其轉入工科。1937年抗戰爆發後，清華南遷至長沙，他曾和同學商議好奔赴延安，後因交通封鎖等原因，未能成行。1938年，學校再度南遷，他隨學校“湘黔滇旅行團”步行三千餘里至昆明，就讀於西南聯大。1940年聯大畢業後，他又在該校電機系做了4年助教。
1938年，湘黔滇旅行團隊員合影(前排左二為洪朝生)
1938年，湘黔滇旅行團第二大隊一中隊一分隊隊員合影(前排左二為洪朝生)
1944年，洪朝生同時通過了庚款留英和留美考試。在西南聯大老師範緒筠的建議下，他於1945年赴美國麻省理工學院學習電子物理學，1948年獲博士學位。後入普渡大學作研究。其間，洪朝生在半導體鍺單晶低溫運輸現象的實驗中，發現雜質能級上的導電現象，形成雜質導電的概念，引起了國際上對無序系統電子輸運機制的探索，他所發表的論文引用壽命長達60餘年。
1950年，在普渡大學洪朝生(左)與鄧稼先(右)的合影。
1948年，九三學社先賢、“兩彈一星”元勳鄧稼先也赴普渡大學深造，與洪朝生成為親密好友，有一段時間他們合住在一位美國老太太的閣樓裡。儘管留學生活很艱苦，但是還發生一些趣事。有一次他倆去吃飯，兩份牛排端上後，鄧稼先看了看，對洪朝生說：“我這塊小，你那塊大。”洪朝生就把自己那份給了鄧稼先。
在美期間，洪朝生積極參加“北美中國學生會”和“留美科協”進步學生活動。新中國成立時，正在普渡大學留學的他心潮澎湃，按照《華僑日報》轉載的五星紅旗圖樣和製法說明，在座標紙上精心繪製了五星紅旗圖樣，以表達對偉大祖國的熾烈情感。
洪朝生手繪五星紅旗
在普渡大學期間，洪朝生與清華大學聯繫，瞭解回國後從事哪方面的研究工作為宜，得到錢三強、彭桓武兩位先生的回覆說，低溫物理很重要，我國也應開展這方面的基礎研究，並建議他再去西歐一年，以增長低溫物理方面的見識。於是，洪朝生進入以著名物理學家昂內斯命名的荷蘭萊頓大學低溫實驗室，從事超流氦實驗研究。1952年初，洪朝生放棄國外優厚條件，毅然回國，投身到新中國低溫事業的創建和發展中。
多年後，他的學生張殿林問他，如果您當年不回國會是什麼樣的結果、會不會有更大的學術成就時，洪朝生搖搖頭說：“沒有如果”。他從未動搖和後悔回國的決定。
把一生獻給了祖國的科研事業
新中國成立後，我國低溫物理領域是一片空白，低溫研究儀器更是無從說起。那時候，中國還沒有液氦機，歐美國家又不肯將液氦機出售給中國，洪朝生依據這些設備的科學原理，開展先進設備的自主研製工作。
1953年，洪朝生在中國科學院物理研究所組建了國內第一個低溫實驗室，主持研製低溫研究設備。在科研人員的共同努力下，1956年研製出了一臺能夠生產液氫的液化器，1959年成功實現了氦的液化。
這些技術的掌握，打破了西方國家的技術壟斷，邁出了我國低溫物理研究的第一步，為我國科學研究，特別是“兩彈一星”的成功研製做出了貢獻。
1970年，他又領導低溫科研隊伍，完成了大型空間環境模擬系統KM3和KM4低溫氦製冷系統的研製任務，提供衛星上天的空間環境模擬試驗條件，為我國航天事業的發展做出了貢獻。“KM4大型航天環模設備的研製”獲得1985年國家科技進步一等獎。
上世紀80年代初，隨著超導研究和航天技術的發展，國內對低溫技術的需求不斷增加，中科院組建一個綜合性低溫技術研究發展機構“中科院低溫技術實驗中心”，開展氦製冷技術、低溫實驗技術和低溫技術應用的基礎研究，任命洪朝生為中心主任。
洪朝生率領科研團隊除了開展磁製冷等方面的應用基礎研究和製冷系統自動控制裝置等方面的研製外，同時逐步建立起液氦實驗室、低溫強磁場實驗室等多個面向全國開放的公用實驗室，為促進超導技術的進步提供實驗條件。由於在世界低溫物理研究領域取得了卓越成就，國際低溫工程委員會決定把2000年的門德爾森獎授予洪朝生，這一獎勵是對他在液氫、液氦以及超導應用等領域出色的研究能力的高度肯定。
九三學社科技大師為新中國半導體事業奠基
從成立至今，九三學社秉承愛國、民主、科學的優良傳統，雲集了一批在中國乃至世界影響頗大的科技巨擘。洪朝生與九三學社社員、我國固體物理和半導體物理學的先驅、中國科學院院士黃昆也結下深厚情誼。
黃昆1941年北京燕京大學畢業時留影
洪朝生和黃昆的淵源可以追溯到上世紀40年代。1944年，黃昆從西南聯大研究生畢業，考取第八屆“庚子賠款”留英公費生，物理學有兩個名額，另一名額正是洪朝生考取的。由於洪朝生同時考取“庚子賠款”留美公費生，最後選擇去美國麻省理工學院深造。
1951年，黃昆自英國回國。1952年，洪朝生自美國回國。洪朝生在美國曾做過鍺在低溫下的電學測量，提出過雜質導電帶的概念，回國後在中國科學院應用物理所建設低溫實驗室。黃昆回國後，1953年開始主持北京大學物理系的固體物理教研室工作。由於他們都對新興的半導體科學將會給人類社會帶來的重大變革有著共同認識和追求，因此洪朝生和黃昆的交往逐漸增多起來。
1954年下半年, 洪朝生與黃昆等物理學家對我國半導體科學發展進行專題研討，每週討論一個下午。這一工作持續了很長時間。1954年，北京大學物理系為半導體方向學生開設了《半導體物理學》課程，這一新興課程由黃昆、洪朝生、王守武、湯定元四人合作講授。從事“兩彈一星”研究的許多科技人員都從這裡走出，或者曾經聆聽過他們的授課。
2010年6月，洪朝生與師昌緒在中科院第十五次院士大會交流
1956年1月30日到2月4日，“半導體物理討論會”在中國科學院應用物理所大禮堂舉行。會上,洪朝生首先對半導體科學發展的一般性問題作報告，然後由黃昆等9位科學家分別對半導體重要領域的科學內容、發展概況作報告。
中國科學院院士，我國理論物理和近代力學奠基人之一週培源
關於這次討論會，原九三學社中央主席、時任物理學會會長的周培源院士在《半導體會議文集》序言中做了總結:“半導體的研究和利用是科學和技術中的一個新興的領域。直到最近十年內,科學先進的國家才以大量的而且是加速增長的人力和物力來發展這一領域。在我們國內,由於科學基礎薄弱,不用說,在解放以前是沒有這方面的研究工作的,只是到了解放後才有少數人開始準備半導體的研究工作。但研究力量是非常薄弱的。”在我國制定1956—1967年《十二年科學技術發展遠景規劃》中，將半導體技術列為我國新技術的四大緊急措施之一。
2018年8月19日，洪朝生耗盡了生命的最後一束光。大師雖然遠去，可他身上科技報國、求索創新、嚴謹務實的科學精神將被九三學社社員永遠傳承下去。
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