來源：內容由半導體行業觀察翻譯自IC Insights，謝謝。
據國外分析機構IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業一年來第一次在資本支出上花費超過1000億美元。1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9％，比2016年增長了38％。
如下圖所示，超過一半的行業資本支出預計用於內存生產——主要是DRAM和閃存，這些支出包括了對現有晶圓廠線和全新制造設施的升級。總的來說，預計今年內存將佔到半導體資本支出的53％。
數據顯示，存儲設備的資本支出份額在過去六年大幅增加，幾乎翻了一番，從2013年的27％（147億美元）增加到2018年的行業資本支出總額的53％（540億美元），也就是說存儲產業的投資在2013-2018年間的複合年增長率高達30％。
IC Insights也表示，經過兩年的資本支出大幅增加，一個迫在眉睫的主要問題是，高水平的支出是否會導致產能過剩和價格下降。
他們表示，存儲市場的歷史先例表明，過多的支出通常會導致產能過剩和隨後的價格疲軟。 但目前看來，包括三星，SK海力士，美光，英特爾，東芝/西部數據/ SanDisk和XMC /長江存儲技術都計劃在未來幾年內大幅提升3D NAND閃存容量（以及更多中國新內存創業公司進入市場） 。
IC Insights認為，未來3D NAND閃存市場需求過高的風險正在高漲且不斷增長。
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