作為全球首款的消費級QLC閃存NVMe固態硬盤，英特爾660p已經低價上市。不過據外媒援引消息人士的話說，目前英特爾製造QLC閃存的成本甚至超過了TLC閃存，有點賠錢賺吆喝的意思。
英特爾使用的QLC閃存源自與美光合資的IMFT工廠，該閃存使用64層3D堆疊工藝製造。早些時候宣佈QLC閃存的東芝目前並沒有把64層堆疊3D QLC帶到市場上來，反而是將QLC閃存大規模量產的計劃推遲至明年初的96層堆疊工藝下。三星的3D QLC固態硬盤目前還處在產品宣佈的階段，上市時間未知。
據報道，IMFT目前生產的QLC閃存良率不足一半，只有大約48%可用於製造固態硬盤。而相比之下，當前IMFT 64層堆疊TLC閃存的良率已達到九成左右，製造QLC的成本甚至不比TLC低。通常來說良率會隨著工藝成熟而逐漸上升，不過3D閃存轉向96層堆疊節點已經迫在眉睫，660p可能等不到64層3D QLC成熟的那一天。
令人欣慰的是，作為QLC閃存固態硬盤，英特爾660p的定價依然足夠低。目前淘寶上512G容量售價699元左右，1TB和2TB版本暫未上市。
目前從紙面性能來看，空盤狀態下的英特爾660p還是非常漂亮的，外媒評測的1TB版本在PCMark 8存儲測試中5075分，這個成績已經和定位高端的3D TLC型號英特爾760p基本一致。
但是，空盤跑分的紙面成績如果落實到日常使用中還能剩下多少就很難說了。通常來說，採用全盤SLC緩存的固態硬盤都會在空間使用率上升到一定程度、不得不隨時做垃圾回收的時候發生較為明顯的掉速。PCEVA目前尚未了解到660p在這種情況下的性能表現，也暫時沒有發現有媒體對QLC閃存進行大家喜聞樂見的耐久度試驗。
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