國內的閃存史啊，一把屎一把淚的，血淚閃存史啊！
這些年來，棒子和美帝輪番漲價，時時斷供，變著法子折騰國內一眾企業，大家是敢怒不敢言。
沒辦法，只能自力更生自救了！
經過艱苦奮鬥，排除萬難，國產閃存終於跨出最重要一步。
4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱長存）宣佈其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，並已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。
這是一步到位的跨代產品，了不得啊！
作為業界首發的128層QLC閃存，長存的新品還創下了三個第一：
1、業界單位密度最高；
2 、1.33Tb的最高單顆容量；
3 、最快的1.6G/s的I/O速度。
地處曾經的疫情風暴中心，面對數月的各種壓力，長存在技術上的突破實屬不易。

長存在成功研發64層3D NAND後，沒有循規蹈矩地升級96層，而是直接選擇128層。這個看似冒險的決策，現在證明了必要性。
從2019年開始，業界幾大主要玩家都陸續跨進了128層時代。產能將逐步稀放，競爭將更加激烈！
根據規劃，長江存儲128層NAND產品的量產時間將在今年年底到2021年上半年之間，隨著產能和良率的逐步提升，預計2021年將實現10萬片/月的產能。在時間上，長存並沒有明顯的落後。
依照目前的情況，128層3D NAND已經開始大量進入企業存儲市場。如果不能把握住技術升級帶來的機會，就可能在新一輪市場競爭中掉隊。
目前，長存對自己的產品也很有信心，認為其成本優勢會帶來廣闊的應用前景，並最終獲得盈利。
Xtacking2.0是長存128層產品的獨門絕技，是Xtacking技術的重大升級。
採用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利於選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。
存儲單元同樣也將在另一片晶圓上被獨立加工。當兩片晶圓各自完工後， Xtacking技術只需一個處理步驟就可通過數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。
隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。Xtacking技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。
從最終表現來看，長江存儲的Xtacking更強調存儲密度和高速的I/O。
本次發佈的產品，由於使用了Xtacking2.0，可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數據傳輸速率，為當前業界最高。
主推QLC而非TLC，是本次發佈的另一特點。據介紹，每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過3,665億個有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲單元 ，每個存儲單元可存儲4字位（bit）的數據，共提供1.33Tb的存儲容量。
相比TLC技術，QLC能帶來更大的存儲容量以及更低廉的單位成本，但因為其穩定性較差以及P/E壽命而備受質疑。
然而，隨著3D NAND技術的進展，隨著堆疊技術的發展，QLC已經有了很大的進步。
閃存和SSD領域知名市場研究公司Forward Insights創始人兼首席分析師Gregory Wong就認為：“QLC降低了NAND閃存單位字節（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲介質。隨著主流消費類SSD容量邁入512GB及以上，QLC SSD未來市場增量將非常可觀。”
業界大廠紛紛跟進，英特爾已經在660P系列、665P系列和傲騰Memory H10存儲解決方案中使用了QLC技術，計劃推出的下一代144層3D NAND也將先推QLC架構。
長存本次推出的QLC產品，因為密度更高，所以比同代的TLC更具有價格優勢。
而且，長存還專門做了技術升級，提高了QLC產品的讀取能力，使其延遲時間比TLC短，非常適合在線會議、在線視頻等對寫入要求不是很高的場景。
不過，長存也並非放棄了TLC，本次發佈的產品還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片，型號為X2-9060，以滿足不同應用場景的需求。
據DRAMeXchange數據，2019年Q4季度全球NAND閃存市場營收125.46億美元，環比增長8.5%，位元出貨量增長10%左右，合約價也由跌轉漲。
但突發的疫情打亂了節奏，讓各大存儲廠商紛紛調低了預期。好消息是，佔半導體收入約三分之一的存儲器市場規模仍將在今年達到1247億美元，較上年增長13.9%。
這其中最大的原因就是數據中心、企業級等領域在5G建設的推動下對存儲芯片需求穩定，再加上“疫情”推動網上直播、線上電子商務、線上教育、遠程辦公等需求的增加，讓存儲芯片行情水漲船高。
Gartner研究業務副總裁理查德·戈登就指出，由於從2019年開始嚴重缺貨，NAND 閃存收入預計在2020年將增加40%，而DRAM預計將下滑2.4%。他認為：“由於需要通過持續的戰略投資來支持更多的遠程工作和在線訪問，超大規模數據中心和通信基礎設施領域將更能抵抗需求下滑。”
相關行業人士也表示，所有地區的數據中心需求看起來都很強勁，並導致供應短缺。
這種情況將會刺激各大存儲器廠商，使得存儲器的軍備競賽更趨白熱化。
對於初入這扇大門的長存來說，將要應對的是群狗環伺，同時還要面對良率的提升，產能的爬坡，以及擴大市場佔有率等一系列挑戰，不容易啊！
長江存儲啊，率先破局，並且佔領了技術的制高點，就等著把產量搞上去了！這樣，國內一眾企業的配套生態，也將得到改善。
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