中芯國際聯席首席執行官趙海軍博士和梁孟松博士此前曾表示，中芯國際在14納米FinFET技術開發上獲得重大進展。第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段。除了28納米PolySiON和HKC，我們28納米HKC+技術開發也已完成。28納米HKC持續上量，良率達到業界水平。
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中芯國際獲重大進展，另一家中國芯片製造企業華虹集團也傳來好消息。繼5月21日首臺光刻機移入後，華力二期12英寸先進生產線（華虹六廠）再次迎來重大進展。10月18日，華力二期12英寸先進生產線項目建成投片，首批12英寸硅片也正式進入工藝機臺，開始28納米芯片產品製造，最終將具備14納米三維工藝的高性能芯片生產能力。該線是目前國內工藝最先進的大規模生產線。華虹集團董事長張素心在投產大會上表示，公司目前28納米工藝產品良率達到93-98%，2020年華虹將具備14納米FinFET產品生產能力。
華虹集團以芯片製造業務94.9億元的規模名列“2017中國半導體制造十大企業”前5名。“2017中國半導體制造十大企業”的前5名企業中，其中有三家是國際公司在中國獨資設立專門製造存儲芯片的生產企業。華虹集團旗下華虹宏力、上海華力芯片製造業務收入同比均有不俗的增長，增速大大超越了存儲器之外的國內半導體市場的增長速度。
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目前中國內地芯片製造企業技術水平與國際領先水平還有很大差距。近日三星宣佈正式開始使用其7納米LPP製程制來生產晶圓。三星的7納米LPP製程中使用極紫外光刻（EUV）技術，這將使三星7納米LPP製程能夠明顯提升芯片內的電晶體密度，同時優化其功耗。
另外據透露，臺積電7nm製程工藝出貨營收佔比第四季度將達20%。臺積電採用EUV設備7nm製程加強版約於2019年量產。此外5nm進展也如預期，設計方案已開始向客戶提供，預計明年試產、2020年上半年開始量產。
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在晶圓代工這個市場上，除了臺積電一枝獨秀，其他代工廠都是苦苦支撐，三星也是因為母公司實力強大，再加上過去兩年有高通的訂單才支撐下來。隨著聯電及GF相繼宣佈停止7nm及以下工藝的研發、投資，目前全球能夠研發、投資7nm及以下工藝的半導體公司就剩下臺積電、三星及英特爾了。一些國際大廠退出先進工藝的競爭，但來自中國內地的中芯國際和華虹集團顯然不會退出。相信隨著中國企業在芯片製造技術上一步一步的往前走並堅持不懈，中企最終也將趕上行業最先進水平。
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