SK海力士發佈8Gb DDR4 DRAM，採用第二代10nm（1ynm）級工藝，與第一代產品（1xnm）相比，第二代生產率提高約20%，功耗降低15%以上，數據傳輸速率可穩定在3200Mbps，這是目前DDR4標準支持的最大速度。
SK海力士8Gb DDR4 DRAM預計將在2019年Q1開始市場供貨，計劃優先供應PC和服務器市場，後續將逐步擴展至移動設備和其他應用。
SK海力士8Gb DDR4 DRAM採用4Phase Clocking設計技術，可使時鐘信號加倍，以提高數據傳輸速度和穩定性。
SK海力士還推出了自己的Sense AMP控制技術，以減少功耗和數據錯誤。憑藉這項技術成功地提高了讀出放大器的性能。SK海力士改進了晶體管結構，降低了數據錯誤的可能性。同時還在電路中增加了一個低功耗電源，以防止不必要的功耗。
其他競爭對手，三星電子在2017年率先宣佈量產第二代10nm(1ynm) DRAM，傳正在進行第三代10nm(1znm)製程開發。美光2018年初開始量產1xnm製程DRAM，也將在2018年底導入1ynm製程量產，2019年正式量產1ynm製程DRAM，2020年計劃進入1znm製程。
SK海力士和美光不斷加速先進製程研發速度，目前DRAM市場價格已有明顯鬆動，再加上Q4市場需求減緩，DRAM跌價趨勢將更加明顯。
雖然三星延緩平澤廠DRAM擴產計劃穩定市場價格，但到2019年，除了三星，SK海力士、美光也都將擴大1ynm DRAM量產，而DRAM產能增加，成本下滑，將加快DRAM價格下滑的速度。
值得注意的是，DRAM工藝從20nm進入1xnm製程已相當不容易，接下來的10nm級1ynm及1znm製程就更為困難，如何在順利轉換至更先進製程的同時確保量產效率成為關鍵。
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