日前三星正式宣布，其基于第二代 10nm 制程的 8Gb DDR4 RAM 芯片已经开始了大规模量产。跟上代产品相比，它的速度快了 10%，同时功耗也降低了 15%。除此之外，新品的生产率也上升了 30%，有望降低一些 RAM 的售价。值得一提的是，在这次的开发过程中三星使用了效率更高的查错方案，并且还特意在位线间加入「独特的空气间隔」来减少寄生电容。另外，三星在公告中还表示「自己将加快引入下一代的 DRAM 芯片和系统，包括 DDR5、HBM3、LPDDR5 和 GDDR6，用于企业服务器、移动设备、超级电脑、HPC 系统和高速显卡」。与此同时，更主流的第一代 10nm 级制程芯片生产量也会增加。
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