內存芯片產值2018年將破1000億美元,中國開始起航!

這兩年DRAM內存、NAND閃存行業的瘋狂激盪大家都看在眼裡。內存尤其誇張,價格持續飆升。閃存方面倒是基本穩定了,但市場需求持續異常旺盛。兩大行業空前火熱,從業者自然也是賺得盆滿缽滿。根據市調機構IC Insight的最新報告,2018年全球前DRAM內存芯片產業總價值預計將達1016億美元,年增幅高達39%,繼續穩居第一,佔全年整個IC行業的多達24%。

內存芯片產值2018年將破1000億美元,中國開始起航!


同時,這也將是歷史上第一次,單個領域的IC產業價值突破1000億美元大關。

NAND閃存行業產值有望達到626億美元,與內存行業合計428億美元,佔全產業的38%之多。

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這樣的數字背後,最興奮的當然是韓國企業,尤其是三星電子,畢竟它是DRAM內存、NAND閃存兩大行業的雙料老大,佔據份額分別有45%、37%之多,SK海力士則分別佔28%、10%。

換言之,僅僅是韓國兩大巨頭,就稱霸了幾乎四分之三的DRAM內存市場、幾乎一半的NAND閃存市場。

標準PC和服務器處理器一直是行業龍頭,但這兩年完全被內存、閃存碾壓,年產值預計只有508億美元,年增幅僅5%。即便如此,這也是該行業連續兩年創造新高了。之後是計算芯片、無線通信芯片,分別為276、160億美元左右。

內存芯片產值2018年將破1000億美元,中國開始起航!


佔豪簡評:中國國家存儲器基地位於武漢光谷 。存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴重的芯片細分市場,DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷,尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首,共佔據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國於2013年發佈了自主研發的55納米相變存儲芯片,成為繼美國和韓國後,全球第三個掌握相變存儲技術的國家。

現在,中國國家存儲基地的一期工程已經封頂,今年將進行中小規模的試產和量產,爭取在2019年進行大規模的生產,填補中國在存儲產業領域的空白。一期工程量產規模將達到30萬片/月的產能。年產值超過100億美元。可以預見,隨著我國存儲芯片產業的發展,我國在存儲芯片領域將有可能複製京東方模式。除了長江存儲外,我國還有合肥長鑫、福建晉華兩家存儲器廠商,從2018年開始,它們都要動真格了。

預計,未來兩年手機或用上國產存儲芯片


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