在調試開關電源時，有時發現副邊整流二極管DS電壓尖峰很高，有什麼辦法抑制呢，下面列舉10種方法。
1、選用軟恢復特性的肖特基二極管，或採用在整流管前串聯電感的方法比較有效，或在開關管整流管的磁珠。磁芯材料選用對高頻振盪呈高阻抗衰減特性的鐵氧體材料等。
2、在二次側接入RC吸收回路可進一步減小前沿尖峰的幅值，降低二極管恢復過程中的振盪頻率。
3、多個整流二極管並聯；適當增大整流二極管的電流容量，可相對減小反向恢復時的關斷時間，限制反向短路電流的數值，可抑制電流尖峰和降低導通損耗。
4、儘量使元件佈局走線合理 ，減小大電流回路的面積，對EMI的抑制也比較有效。
5、選用開關速度快的整流二極管
6、選用高導磁率的磁芯，變壓器設計時激磁電流盡可能小
7、選用高磁通密度的材料，確保在惡劣環境下變壓器不會飽和。可取B值為飽和值的一半或1/3
8、選用閉合磁路的罐形或PQ磁芯減小漏磁。
9、高頻變壓器繞制儘量減小漏感。採用夾心繞法或三文治繞法。繞線儘量均勻分佈在骨架上。選用漆包線時要考慮到趨膚效應。
10、在初級高壓MOS開關管的D-S之間並聯RC吸收回路，降低初級MOS 管的DS電壓尖峰，也可利於降低二次側整流二極管DS電壓尖峰。
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