MOS管

功率MOSFET的正向導通等效電路

（1）：等效電路

2）：說明：

功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關係曲線可從製造商的手冊中獲得。

功率MOSFET的反向導通等效電路（1）

（1）：等效電路（門極不加控制）

（2）：說明：

即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。

功率MOSFET的反向導通等效電路（2）

（1）：等效電路（門極加控制）

2）：說明：

功率 MOSFET 在門級控制下的反向導通，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關係曲線可從製造商的手冊中獲得。此工作狀態稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開關電源中非常重要的一種工作狀態。

功率MOSFET的正向截止等效電路

（1）：等效電路

2）：說明：

功率 MOSFET 正向截止時可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環境溫度等有關，大小可從製造商的手冊中獲得。

功率MOSFET的穩態特性總結

（1）：功率MOSFET 穩態時的電流/電壓曲線

（2）：說明：

功率 MOSFET 正向飽和導通時的穩態工作點：

當門極不加控制時，其反向導通的穩態工作點同二極管。

（3）：穩態特性總結：

-- 門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態；當VgsVth時，器件處於導通狀態；器件的通態電阻與Vgs有關，Vgs大，通態電阻小；多數器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V；

-- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來標稱的；只要實際的漏極電流有效值沒有超過其額定值，保證散熱沒問題，則器件就是安全的；

-- 器件的通態電阻呈正溫度係數，故原理上很容易並聯擴容，但實際並聯時，還要考慮驅動的對稱性和動態均流問題；

-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態電阻很小；

-- 器件的同步整流工作狀態已變得愈來愈廣泛，原因是它的通態電阻非常小（目前最小的為2-4 毫歐），在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關鍵的器件；

包含寄生參數的功率MOSFET等效電路

（1）：等效電路

（2）：說明：

實際的功率MOSFET 可用三個結電容，三個溝道電阻，和一個內部二極管及一個理想MOSFET 來等效。三個結電容均與結電壓的大小有關，而門極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時的通態電阻。

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關鍵字: 電壓 等效 嚮導