臺積電宣佈5nm基本完工開始試產:面積縮小45%、性能提升15%

本月3號,臺積電(TSMC)宣佈,率先完成5nm的架構設計,基於EUV極紫外微影(光刻)技術,且已經進入試產階段。

根據官方數據,相較於7nm(第一代DUV),基於Cortex A72核心的全新5nm芯片能夠提供1.8倍的邏輯密度、速度增快15%。同樣製程的SRAM也十分優異且面積縮減。

臺積電同時宣佈提供完整的5nm設計規則手冊、SPICE模型、製程設計套件以及通過硅晶圓驗證的基材,並且全面支持EDA(電子自動化設計工具)。

台积电宣布5nm基本完工开始试产:面积缩小45%、性能提升15%

今年初,臺積電曾表示,5nm將於2020年底之前量產,考慮到還有1年半的時間,完全可以期待。

據悉,此次的第一代5nm是臺積電第二次引入EUV技術,多達14層;而第二代7nm(預計今年蘋果A13、麒麟985/990要用)的EUV,只有4層規模。

隨著格芯(GF)、聯電的退出,目前能夠做7nm以及更先進工藝晶圓的廠商就只剩下了三星、臺積電和Intel,但Intel實際上並不和臺積電直接競爭,因為其晶圓廠甚至連滿足自家需求都還捉急,只是保不齊對手AMD會重金下單。

台积电宣布5nm基本完工开始试产:面积缩小45%、性能提升15%


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