【簡訊】​高通蘋果和解,雙方撤銷所有訴訟;微軟發佈無光驅全數字版Xbox One S…

​高通蘋果和解,雙方撤銷所有訴訟

4月17日凌晨,高通與蘋果同時在官網發佈聲明,宣佈達成和解協議,和解內容包括雙方駁回全球兩家公司之間的所有訴訟,蘋果將向高通支付一筆授權費用,雙方達成一項為期六年的直接授權許可協議等。

在高通投資者關係網站上,高通公佈了此次和解協議的內容概要,其中包括:

此前高通與蘋果授權協議並非直接授權,而是通過向蘋果的合約製造商即代工廠商收取,高通一直希望獲得與蘋果的直接授權,但蘋果拒絕。根據最新的和解協議,這份為其六年的直接許可授權自2019年4月1日生效,蘋果將會支付高通授權費用,該協議帶有兩年的延期選項,也就意味著這是一份“6+2”年的直接授權許可協議。

二、雙方撤回在全球範圍內的所有訴訟。

三、多年的芯片供應協議。

此次高通表示雙方簽訂多年芯片供應協議,並未透露是否重新成為唯一供應商,需要等待雙方進一步的信息釋放。

五、反映了高通專利價值和力量。

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表面上看,雙方和解的結果讓蘋果很“受傷”,但長遠來看,高通與蘋果重新修好,或許是對雙方最好的結果。蘋果可以繼續鞏固其在手機行業的領先地位,高通重新獲得重要客戶訂單,雙方也能將更多精力投入手機行業的創新中,也有助於整個手機行業生態的發展。

Intel宣佈退出5G手機基帶業務

高通和蘋果宣佈在專利訴訟上的官司全部和後,Intel在蘋果供應基帶中會處於一個什麼位置呢?現在最新的消息顯示,後者已經退出了基帶服務。

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Intel宣佈,公司將退出5G智能手機調制解調器業務,專注於5G網絡基礎設施及其他數據中心業務。

如此突然的宣佈,是外界所沒有想到的,之前曾有傳聞稱,Intel考慮將自己的基帶業務出手,而接盤的是蘋果,目前還不知道是不是這樣。

AMD 7nm Navi顯卡規格/價格洩露

根據最新傳聞,AMD Navi GPU將會引入Vega架構上的流式傳輸光柵器(Draw Stream Binning Rasterizer),不過底層架構依然隸屬於GCN。

流處理器仍然不明,一級緩存32KB,二級緩存3MB,顯存位寬256-bit,搭配8GB GDDR6(AMD第一次),可提供410GB/s的帶寬,超過GTX 1080 320GB/s。

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不過照此推算,Navi GDDR6顯存的等效頻率是12.8Gbps,非常奇怪的數字,因為現在三星、SK海力士、美光等提供的GDDR6顯存頻率都是12Gbps、14Gbps、16Gbps這樣的“整數”。

另外,Nvai顯卡的核心加速頻率在1.8GHz左右,整卡熱設計功耗150W。

性能上據稱介於RX Vega 56、GTX 1080之間,這證明Navi終究還是Polaris的繼承者,定位主流市場而非旗艦級,價格只要259美元。

爆料者稱,上述信息的精確度高達99%,不過在發佈之前,這些消息還是僅供參考。

三星Note 10 Pro曝光

日前,有消息稱,三星下半年旗艦機Note 10將和S10採用同樣的產品策略,推出不止一款產品,更有性能更高的Pro版本。

根據當前爆料的信息顯示,三星Note 10 Pro將配備一塊6.75英寸QHD+超感光全視屏,支持HDR+高動態範圍圖像,當然還會搭載高通驍龍855處理器,並內置X50 5G基帶,支持5G網絡。

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拍照方面,三星Note 10 Pro將會配備後置四個攝像頭,規格分別為1200萬像素廣角鏡頭、1200萬像素長焦鏡頭、1600萬像素超廣角鏡頭以及一顆TOF鏡頭,拍照性能進一步提升。

此外,網上還有消息稱,三星Note 10 Pro的S-Pen手寫筆將會內置一顆攝像頭,並支持光學防抖。

另外傳言稱今年的Galaxy Note 10或有多達4款,其中普通款分別為6.28英寸和6.75英寸,支持5G網絡的版本同樣是兩種尺寸。

微軟正式發佈無光驅全數字版Xbox One S

在4月16日舉辦的Inside Xbox活動中,微軟正式發佈了傳言已久的數字版Xbox One主機,最大的特點便是無光驅,除此之外,性能等與目前在售的Xbox One S相較沒有變化。

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數字版Xbox One S內建1TB硬盤、標配一隻無線手柄,預裝三款遊戲,分別是《Forza Horizon 3(極限競速:地平線3)》《Minecraft(我的世界)》和《Sea of Thieves(盜賊之海)》。

同時,購買數字版Xbox One新主機的用戶還可以僅花費1美元就體驗3個月的Xbox Game Pass服務。

價格方面,Xbox One數字版定價249.99美元,5月7日發售。另外,微軟還推出了Xbox Game Pass Ultimate計劃,也就是合併Xbox Game Pass和金會員,價格為單月14.99美元;目前,分開買的話分別是9.99美元。

臺積電官宣6nm工藝

近日,臺積電宣佈5nm EUV工藝已經開始試產,相比7nm可將核心面積縮小45%,性能則可提升15%,同時三星5nm EUV工藝已經設計完畢,相比7nm可將功耗降低20%,性能提高10%。

現在,臺積電又正式宣佈了6nm(N6)工藝,在已有7nm(N7)工藝的基礎上大幅度增強,號稱可提供極具競爭力的高性價比,而且能加速產品研發、量產、上市速度。

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臺積電7nm工藝有兩個版本,第一代採用傳統DUV光刻技術,第二代則是首次加入EUV極紫外光刻,已進入試產階段,預計下一代蘋果A、華為麒麟都會用。

新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術,號稱相比第一代7nm工藝可以將晶體管密度提升18%,同時設計規則完全兼容第一代7nm,便於升級遷移,降低成本。

臺積電6nm預計2020年第一季度試產,適合中高端移動芯片、消費應用、AI、網絡、5G、高性能計算等。


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