不久前，臺積電官方宣佈了6nm(N6)工藝節點，在已有7nm(N7)工藝的基礎上增強而來，號稱可提供極具競爭力的高性價比，而且能加速產品研發、量產、上市速度。
臺積電CEO兼副董事長魏哲家(CC Wei)最新披露，絕大多數7nm工藝客戶，都會轉向6nm工藝，使用率和量產產能都會迅速擴大。
考慮到6nm工藝沿用了7nm工藝的設計規則，升級遷移還是相當容易的，成本增加不大，性能功耗方面又有提升(雖然不會特別明顯)，客戶自然也樂得上新工藝，看起來這代工藝會相當流行。
臺積電現在的7nm工藝有兩個版本，第一代7nm(N7)採用傳統DUV光刻技術，第二代7nm+(N7+)則是首次加入EUV極紫外光刻，已進入試產階段，預計下一代蘋果A、華為麒麟都會用，2019年兩者合計可貢獻大約25％的收入。
新的6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術，相比7nm+(N7+)增加了一個極紫外光刻層，同時相比7nm(N7)可將晶體管密度提升18％，而且設計規則完全兼容7nm(N7)，便於升級遷移，降低成本，相比之下7nm+(N7+)則是另一套設計規則。
臺積電6nm預計2020年第一季度試產，再往後的5nm工藝也已經開始試產，號稱相比於第一代7nm晶體管密度提升45％，可帶來15％的性能提升或20％的功耗下降。
事實上，臺積電預計多數7nm工藝客戶會轉向6nm然後再次升級到5nm，7nm+則不會那麼普及，不少客戶可能會選擇跳過。
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