2019-05-12 01:27:22 佚名

3級粒子

可控硅導通需要有兩個條件，一是在陽極和陰極之間加正向電壓，二是在控制極加觸發電壓，兩個條件同時具備可控硅才能導通。根據題主的描述，可控硅並不是單純的兩個二極管串聯，雖然從結構示意圖上看起來是兩個PN結串在一起，但實際上單向可控硅卻是由三個PN結組成的四層半導體，詳細介紹請看下面。

可控硅原理

可控硅的內部結構是由三個PN結組合而成，第一個為最上端的PN結，第二個是中間的反向PN結NP，第三個是最下端的PN結，而控制極是在第三層P型區引出的，目的就是為了給第二個PN結提供偏置電壓，將其導通後，再在可控硅兩端的陽極和陰極上加正向電壓才會整個導通，其整體結構就相當於兩個不同管型的三極管連接，如下圖所示，而不是兩個二極管串聯。

可控硅導通需要有兩個條件：1，在陽極和陰極之間加正向電壓。2，同時在控制極加觸發電壓。兩個條件缺一不可，可控硅才會處於導通狀態，不過一旦導通之後，即使撤去控制極電壓，只要陽極和陰極之間有正向電壓，可控硅依然導通。也就是說控制極在可控硅導通之後即失去了作用。

那麼可控硅導通之後如何關斷呢？可控硅關斷也有兩個條件：1，使可控硅的正向導通電流低於其工作維持電流，將電源關閉。2，使陽極和陰極間的電壓反向。兩個條件只要具備其一即可，比如交流電通過單向可控硅之後，在交流電壓過零點之後，可控硅的陽極和陰極之間會因為承受反向電壓而關閉，在反向期間，即使在控制極施加觸發信號可控硅也不會導通。所以，單向可控硅也具有整流的作用。

綜上所述，單向可控硅相當於兩個三極管連接在一起，絕不會相當於兩個二極管拼湊，而雙向可控硅則相當於兩個單向可控硅反向連接在一起，原理和單向可控硅類似，但它可以正反兩個方向導通。

電子維修

有觸點設備在大功率系統中，容易產生打火拉弧現象，輕則導致觸點燒毛，重則導致觸點熔接而損壞電路甚至整個設備。而用可控硅如拉弧打火，噪聲等現象就不存在了，而且安全可靠、使用壽命長，是無觸點理想元件。

為什麼可控硅需要觸發？這個得從可控硅得陽極伏安特性曲線入手，也就是說可控硅具有陽極伏安特性，也是可控硅的內部結構所決定的。

一支可控硅是由PNPN四層構成，然後再把這四層分成兩部分，再把每一部分繪製成晶體管，繪製好的可控硅再把它按電路圖連接好，它的過程如下a~e圖所示。
根據上e圖的連接電路，電源Eg在晶體管Tr2的b,e之間提供電流Ig，那麼晶體管Tr2的集電極將會有Ic2＝B2×Ig的電流流過。而從e圖中看的出，此時Ic2的電流恰好是晶體管Tr1的基極電流，因此晶體管Tr1發射極將產生的電流為（B1+1）Ic2~B1Ic2，即B1.B2.Ig的發射極電流。從其連接電路圖中可知，此時晶體管Tr1的發射極電流又是晶體管Tr2的基極注入電流，又經過晶體管Tr2又一次放大，使得Tr2的電流進一步增加。這樣循環下去在很短時間內則晶體管Tr1與Tr2就會達到飽和導通，此時e圖中A,C之間的電壓會降至1V之內，那麼負載電流流過可控硅幾乎由e圖的電阻R所決定。

綜上所述，e圖的電源Eg不是隨意加就會使可控硅觸發導通，而是需要滿足條件。晶體管Tr1的電流放大係數與晶體管Tr2的電流放大係數之和不低於1，可控硅才能由阻斷到觸發導通。因此一個好的可控硅晶體管Tr1的電流放大係數很低，而Tr2的電流放大係數也不是很高的，正常情況下它們的係數之和是低於1的，也就是說可控硅是在阻斷狀態的。因此只要Ig電流逐漸增加，它們之間的電流係數之和會慢慢增加，直至不低於1，此時可控硅由阻斷態變成導通態。只要它導通後它們的電流係數之和是不低於1的，這個時候不管有沒有電流Ig，可控硅是仍然保持導通的狀態。