業績逐季改善，IOT等下游需求持續增長。從季度數據來看，公司在Q1/Q2/Q3單季度的營收增速分別為-15.7%/32.0%/63.0%，而淨利潤增速分別為-55.6%/1.4%/98.2%，Q3業績延續向好趨勢，主要仍是受益於下游需求轉向景氣，NOR和MCU銷售持續超預期。值得注意的是，IOT市場需求的快速增長十分關鍵，可穿戴設備和智能家居等產品放量跡象明顯，從而拉動公司相關營收快速增長。
產品結構優化驅動Q3毛利率改善，Q4仍有向好空間。公司前三季度毛利率為39.1%，而Q3單季毛利率則達到40.6%，同/環比分別提升1.2/3.1個百分點，毛利率大幅改善的原因在於新產品導入帶來的產品結構優化。當前時點來看，隨著公司55nmNOR於Q4開始逐步量產，其相較65nmNOR的成本優勢有望驅動毛利率繼續下行。同時，考慮到公司256Mb以上的高容量NOR未也有巨大放量空間，預計公司未來業務結構將持續優化，支撐利潤進一步走強。
不斷加碼研發，存儲、MCU、傳感器產品全面佈局。前三季度研發費用達到2.4億元，同比增長73.0%，研發領域主要聚焦三方面：1）在存儲方面持續進行技術迭代，針對物聯網、可穿戴、工控和汽車電子推出新產品。值得注意的是，當前公司38nmSLC製程的NANDFlash已穩定量產，而24nm製程產品推出在即，產品優勢再獲強化；2）在MCU方面持續打造超市化MCU產品體系，推出多款新產品，並在8月領先於業內推出基於RISC-V的32位MCU，產品生態構建完善；3）在傳感器領域通過併購思立微，進入光學指紋傳感器領域，預計Q3、Q4貢獻的營收與利潤較為可觀。
DRAM推進超預期，擬定增加碼自主研發。公司於2017年與合肥產投開展長鑫存儲12英寸DRAM研發項目，2019年10月公司又擬定增募資43.2億用於DRAM芯片自主研發,重點研發1Xnm級（19nm、17nm）工藝製程下的DRAM技術，計劃開發DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。目前，合肥長鑫已經正式投產，預計2020年開始銷售。根據TrendForce數據，2020年DRAM市場將達到近千億規模，而目前其96%的份額被三星（46%）、SK海力士（29%）、美光（21%）所寡頭壟斷，因此公司和長鑫的合作以及自主研發DRAM項目意義重大，將成為存儲領域國產替代的關鍵佈局，同時也將極大拓展公司的長線成長空間。
盈利預測與投資建議：公司兼具存儲、MCU、傳感器（屏下指紋識別）三大領域的技術優勢與業務實力，同時DRAM項目打開巨大中長期空間。考慮到公司Q3的超預期業績表現，我們上調其2019-2021年EPS至1.88/2.61/3.70元，對應當前PE分別為92.3/66.5/46.9倍，維持“增持”評級。
風險因素：產品研發進展不及預期；中美貿易摩擦升級；產品價格波動風險
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