與非網 1 月 13 日訊，在先進半導體工藝上，國內最大的晶圓代工廠中芯世界 SMIC 的14nm工藝現已量產，改進版的 12nm 工藝也在導入中，取得了優異的成果。考慮到國內半導體工藝上的落後，光盼望中芯世界一家也是不可的，上海華虹集團日前洩漏其 14nm FinFET 工藝也全線貫通，SRAM 良率已達 25%。
1 月 12 日下午，，華虹集團在無錫新完工的華虹七廠研製大樓舉行“敞開、立異、協作—華虹集團 2020 年全球供貨商迎新座談會”，邀請了國內 30 多家、國外 50 多家供貨商協作夥伴到會，華虹集團高管共享了該公司的最新發展。
華虹方面表明，2019 年是華虹集團產能擴張、工藝提高的要害年，該公司多個項目都取得了重要發展：
作為華虹集團在上海市域以外的第一個製作項目，華虹七廠於 9 月 17 日完結順暢投產，首期 1 萬片產能的機臺順暢串線並完結一系列工藝驗證，進入正常出產階段，發明了業界同類產線建成投產的最快記載，成為中國大陸第一條 12 英寸特徵工藝產線，也是中國大陸第一條 12 英寸功率器材代工產線；
華虹六廠自 2018 年 10 月 18 日投產以來，產能爬坡順暢，現在現已完結月產 2 萬片的裝機產能；
華虹五廠完結接連兩年盈餘，年度出貨量、單日作業量屢立異高；
華虹宏力 8 英寸特徵工藝製作渠道（華虹一、二、三廠）在產能規劃、營運功率方面繼續堅持搶先，並接連 9 年完結盈餘。
華虹集團成為業界僅有一家接連兩年建造並投產運營兩條 12 英寸出產線的企業
除了產能建造之外，華虹集團在技能研製上也獲得了多項重要打破，新研製的 65/55 納米節點得射頻和 BCD 特徵工藝渠道，處於世界先進水
平；28 納米工藝（28LP/28HK/28HKC+）均完結量產；22 納米研製快速推動；14 納米研製或重大發展；更先進的技能節點的先導工藝研製快
速佈置。
尤其是最新一代的工藝，華虹集團總工程師趙宇航指出其 14nm FinFET 工藝現已全線貫通，SRAM 良率 25%，2020 年將快速推動。
這也是華虹集團初次對外發布 14nm 工藝的詳細良率狀況，SRAM 芯片的 25%良率對出產來說必定不可，可是對研製、試驗來說現已是一大前
進。
在整體進度上，華虹的 14nm 工藝必定是不如中芯世界的 14nm 快的，後者的 14nm 工藝上一年良率就達到了 95%，並漸漸的開端進入量產階段，比國家預訂方針提早一年，現在正在產能提高及新工藝導入階段。
中芯國際 14nm 提前一年量產、12nm 開始客戶導入
中芯國際(SMIC)官網近日刊登媒體文章，以第三方的口吻透露不少技術進展。
中芯南方集成電路製造有限公司(中芯南方廠)位於上海市浦東張江哈雷路，這裡有國內第一條 14nm 工藝生產線，在去年第三季度成功開始量產 14nm FinFET，成為中國內地最先進的集成電路生產基地。
按規劃達產後，中芯南方廠將建成兩條集成電路先進生產線，月產能均為 3.5 萬片晶圓。
根據 2014 年發佈的《國家集成電路產業發展推進綱要》：到 2020 年，16/14nm 工藝要實現規模量產，封裝測試技術達到國際領先水平，關鍵裝備和材料進入國際採購體系，基本建成技術先進、安全可靠的集成電路產業體系。
這意味著，中芯國際提前一年完成了國家賦予的重任。
據悉，中芯國際從 2015 年開始研發 14nm，目前良品率已經達到 95％。
另據披露，中芯國際的 12nm 工藝已開始客戶導入(官方稱比 14nm 功耗降低 20％、性能提升 10％、錯誤率降低 20％)，而下一代工藝的研發也已穩步開展。
這裡說的下一代具體是什麼還不清楚，但是中芯國際很可能會跳過 10nm，而直奔 7nm。
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