01.16 長江存儲 3D NAND 直接跨入 128 層,下一代 Xtacking 2.0 堆棧架構加速推進

與非網 1 月 17 日訊,昨日,長江存儲召開市場合作夥伴年會,向早期在市場佈局和生態合作上發揮關鍵價值的企業頒發榮譽獎項,同時也披露了自主閃存的一些特性和規劃。

本次頒獎的名單如下:

  • 年度市場表現獎:江波龍電子(Longsys)、群聯電子(Phison)
  • 年度市場潛力獎:威剛科技(ADATA)、國科微(GOKE)、憶聯(UMIS)
  • 年度生態夥伴獎:群聯電子(Phison)、慧榮科技(SMI)
  • 年度潛力夥伴獎:聯芸科技(MAXIO)、美滿電子科技(Marvell)

長江存儲董事長、紫光集團董事長兼首席執行官趙偉國首次揭開中國第一顆自研 64 層 3D NAND 芯片的低調面紗,作夥伴年會更攜手合作夥伴一起展示強大的產業生態鏈。

长江存储 3D NAND 直接跨入 128 层,下一代 Xtacking 2.0 堆栈架构加速推进

圖源:長江存儲 下同

趙偉國回首長江存儲自研 3D NAND 芯片這三年多來的過程,以“雄關漫道真如鐵,而今邁步從頭越”來闡述這一路以來的心路歷程,更透露長江存儲的“造芯”之路,共投入超過 1000 億元的資源。

過去,談到國產芯片,大眾的刻板印象是技術低端、策略低價,總是走不出“雙低”格局。

長江存儲開創的 3D NAND 新局,對於國內半導體產業的意義,不單是打破 3D NAND 技術國際壟斷,其創造的另一個高度,是無論在產品質量、知識產權,都比肩國際大廠,追求世界級的標準。

據長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,長江存儲 64 層閃存的存儲密度是全球第一的,和友商 96 層閃存相比差距也在 10%之內,並且絕非低端產品,質量有保證,是可以保證盈利的。

接下來,長江存儲將跳過如今業界常見的 96 層,直接投入 128 層閃存的研發和量產工作,但暫時沒有分享具體時間表。

2020 年,全球閃存行業將集體奔向 100+層,比如 SK 海力士已在近期出貨 128 層閃存並將在年底做到 176 層,三星有 128 層、136 層,西數、鎧俠(原東芝存儲)都是 112 層但存儲密度更高,美光 128 層,Intel 則會做成 144 層。

此外,技術創新層面,長江存儲研發了自己的 Xtacking堆棧架構,已經可以保證可靠性問題,下一代的 Xtacking 2.0 也正在推進中,會重點拓展性能、功能,也是直接上 128 層堆疊的重要保障。

长江存储 3D NAND 直接跨入 128 层,下一代 Xtacking 2.0 堆栈架构加速推进

據介紹,長江存儲 Xtacking 架構可以實現在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元,有利於選擇更先進的邏輯工藝,提升閃存 I/O 接口速度、存儲密度,芯片面積也能減少約 25%。

當兩片晶圓各自完工後,只需一個處理步驟,就可通過數百萬根垂直互聯通道(VIA),將兩片晶圓鍵合在一起。得益於並行的、模塊化的產品設計及製造,Xtacking 閃存的開發時間也可縮短三個月,生產週期則可縮短 20%。


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