01.16 长江存储 3D NAND 直接跨入 128 层,下一代 Xtacking 2.0 堆栈架构加速推进

与非网 1 月 17 日讯,昨日,长江存储召开市场合作伙伴年会,向早期在市场布局和生态合作上发挥关键价值的企业颁发荣誉奖项,同时也披露了自主闪存的一些特性和规划。

本次颁奖的名单如下:

  • 年度市场表现奖:江波龙电子(Longsys)、群联电子(Phison)
  • 年度市场潜力奖:威刚科技(ADATA)、国科微(GOKE)、忆联(UMIS)
  • 年度生态伙伴奖:群联电子(Phison)、慧荣科技(SMI)
  • 年度潜力伙伴奖:联芸科技(MAXIO)、美满电子科技(Marvell)

长江存储董事长、紫光集团董事长兼首席执行官赵伟国首次揭开中国第一颗自研 64 层 3D NAND 芯片的低调面纱,作伙伴年会更携手合作伙伴一起展示强大的产业生态链。

长江存储 3D NAND 直接跨入 128 层,下一代 Xtacking 2.0 堆栈架构加速推进

图源:长江存储 下同

赵伟国回首长江存储自研 3D NAND 芯片这三年多来的过程,以“雄关漫道真如铁,而今迈步从头越”来阐述这一路以来的心路历程,更透露长江存储的“造芯”之路,共投入超过 1000 亿元的资源。

过去,谈到国产芯片,大众的刻板印象是技术低端、策略低价,总是走不出“双低”格局。

长江存储开创的 3D NAND 新局,对于国内半导体产业的意义,不单是打破 3D NAND 技术国际垄断,其创造的另一个高度,是无论在产品质量、知识产权,都比肩国际大厂,追求世界级的标准。

据长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示,长江存储 64 层闪存的存储密度是全球第一的,和友商 96 层闪存相比差距也在 10%之内,并且绝非低端产品,质量有保证,是可以保证盈利的。

接下来,长江存储将跳过如今业界常见的 96 层,直接投入 128 层闪存的研发和量产工作,但暂时没有分享具体时间表。

2020 年,全球闪存行业将集体奔向 100+层,比如 SK 海力士已在近期出货 128 层闪存并将在年底做到 176 层,三星有 128 层、136 层,西数、铠侠(原东芝存储)都是 112 层但存储密度更高,美光 128 层,Intel 则会做成 144 层。

此外,技术创新层面,长江存储研发了自己的 Xtacking堆栈架构,已经可以保证可靠性问题,下一代的 Xtacking 2.0 也正在推进中,会重点拓展性能、功能,也是直接上 128 层堆叠的重要保障。

长江存储 3D NAND 直接跨入 128 层,下一代 Xtacking 2.0 堆栈架构加速推进

据介绍,长江存储 Xtacking 架构可以实现在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元,有利于选择更先进的逻辑工艺,提升闪存 I/O 接口速度、存储密度,芯片面积也能减少约 25%。

当两片晶圆各自完工后,只需一个处理步骤,就可通过数百万根垂直互联通道(VIA),将两片晶圆键合在一起。得益于并行的、模块化的产品设计及制造,Xtacking 闪存的开发时间也可缩短三个月,生产周期则可缩短 20%。


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