莫大康
2019年11月25日
近期中國半導體業要發展自己的存儲器，包括DRAM及3D NAND閃存，有些西方評論發表很直接的看法，其中如美EE Times的論點有三條：
•中國能否自行設計和製造存儲芯片？
•如果沒有，中國能否收購擁有存儲技術的全球芯片公司？•如果美國外國投資委員會（CFIUS）不允許此類併購，中國將向誰購買尖端存儲技術的專利技術？
這是一套西方熟悉的聲音，總是在質問中國存儲器業的技術從那裡來?在他們的邏輯之中，“技術必須向他人購買”。例如1983年三星電子在京畿道器興地區建成首個芯片廠時曾向當時遇到資金問題的美光公司購買64K DRAM技術，然後依賴自身的研發與迅速擴大投資，最終超過日本而奪得存儲器霸主地位。
但是西方卻千方百計阻撓中國獲得存儲器技術，如之前紫光試圖花230億美元兼併美光等，人家不同意，萬般無奈之下中國只能依靠自己的力量進行突破，也只是讓中國恢復應有的尊嚴和地位。
中國發展存儲器的必要性
首先是必要性，存儲芯片是電子系統的糧倉，數據的載體，關乎數據的安全，其市場規模足夠大，約佔半導體總體市場的三分之一。其次是緊迫性，據統計中國市場消耗了全球DRAM產值的48%，及消耗了全球NAND Flash產值的35%，年進口總額高達880億美元，對外依賴度超過90%。最後是安全性，存儲芯片非常重要，但目前存儲芯片中DRAM、NAND的自給率幾乎為零。
對於國產廠商來說，首先中小容量存儲芯片是其中的一個市場機會。據業內預計，中小容量存儲芯片市場規模將保持在120億-200億美元，其中低容量NAND有60億-100億美元，NOR約30億美元，及低容量DRAM約70億美元，隨著物聯網和智能終端的快速發展，將不斷擴大對中小容量存儲芯片的需求，行業格局的演變，因此中國存儲器業的首要目標可以從中小容量的存儲芯片開始，待站穩腳跟之後再向高容量存儲芯片邁進。
為什麼西方不能理解中國
西方站在完全市場化角度來觀察中國半導體業發展，可能是無法理解的。加上其中確有極少數人是從骨子裡根本不希望中國半導體業有任何的進步。
1)，DRAM及3D NAND閃存是中國市場需求量最大類芯片，而西方釆用封鎖，打壓等手段欺負中國，如將晉華、華為等列入實體清單之中，阻止我們發展及獲得芯片，所以是被逼無奈的必然結果。
2)，現階段產業發展必須依靠國家資金等投入為主，所以重點在於要加強研發，積累IP，首先做出產品，然後逐漸國產替代。
3)，存儲器業的特點，它的設計並不難，如NAND閃存基本上有兩種結構類型，一種是Floating Gate浮柵式結構，美光，英特爾採用，另一種是Charge Trap電荷捕獲型結構，在3D NAND閃存中成為主流的選擇，包括三星、東芝、SK Hynix在內的閃存廠商普遍選擇了Charge Trap結構。
DRAM量產關鍵在於生產線的質量控制以及持續的投資，擴大產能，最終以數量與價格取勝。而中國在巨大市場以及國家資金為主的支持下發展，相信一定有能力自主做出產品，但是困難的是產能爬坡速度，及在存儲器的下降週期中能堅持下去。中國做存儲器並不是想稱霸，也缺乏條件。在很大程度上試圖滿足部分國內的需求。
韓國獨霸存儲器業
以2019 Q2計，在DRAM方面，三星市佔45%，Hynix市佔29%，及在NAND閃存中，三星的市佔35%及Hynix的18%，可見韓國壟斷全球存儲器業。這種局面長久下去並不利於產業進步。
因此站在美光、東芝等立場它們具有兩重性，一方面也害怕中國存儲器業的崛起，動了它們的“奶酪”，然而在另一方面，它們也願意希望利用中國的崛起能削弱韓國壟斷的局面。所以中國存儲器業發展中要充分認識目前的格局，找到適合於我們生存與發展的支點。
千萬不要低估中國半導體業的決心與韌性
中國是全球僅次於美國的GDP大國，但是決不是全球第二大半導體強國，與世界先進水平尚有很大差距。據IC Insight數據，2018年國產半導體自給率為15.3%，2019年將可望提升至17%左右，但預計到2023年才可望拉昇至20%自給率。
在貿易戰的格局下，美方把中興，華為，晉華等列入“實體清單”之中，竭力阻礙中國半導體業的發展，而存儲器是中國半導體進口金額最大類之一。如與發展CPU相比較，現階段存儲器作為中國半導體業的突破口是合乎理性的。中國不會謀求存儲器的霸權地位，也不可能，僅是希望能部分替代進口之用，而且這樣的過程用時不會太短。
另外，中國發展半導體業現階段以國家資金投入為主，它不是補貼，而是以股權加入，這也是唯一可能的選擇，相比全球其它半導體業者在初始時的路徑是相似的，僅是中國半導體業已經落後了近20年。
中國要發展自已的半導體業是正確的選擇，也是生存的需要，所以決心是不會動搖的，加上它是集中國家的力量。觀察上世紀80年代，韓國半導體能在存儲器業中的成功，後來居上，一條非常成功的經驗，就是持續投資，用虧損和時間最終打敗了競爭對手。因此在國家資金等支持下，懷疑中國半導體業發展的決心與信心是註定要失敗。
顯然中國半導體業發展中一定會尊重與保護知識產權，並準備好迎接有關專利糾紛的訴訟，它也是中國半導體業發展的必修課之一。
中國半導體業發展一定能取得成功，不是空穴來風，而是有充分理由的，一個是中國擁有全球最大的終端電子市場，而且在不斷增長之中，以及另一個是現階段以
國家資金等投入為主，有足夠能力與實力迎接來自各方面的挑戰。中國半導體業發展的韌性可以體現在：1)，西方一直在壓制與打擊中國半導體業的進步的同時，與在中國市場中繼續謀求利益之間調節平衡，它不太可能讓中國半導體業“徹底停擺”，對它也未必有好處；2)，如打擊華為時，與打擊中興，晉華等大不同，華為的任正非，它是嘴不硬，事紮實，讓美方感覺有些進退兩難。所以對於此次貿易戰的複雜性與長期性一定要有充分的認識；3)，中國半導體業發展不但是可能打亂既有的“平衡格局”，同時對於全球半導體的增長有實質性的推動作用，如中國可能成為全球半導體最大的投資地區之一。
結語
中國半導體業發展有自身的特點，有優勢方面，也有不足之處。在貿易戰下需要付出更多的努力與代價。在存儲器業中，對手已經積累20年以上的經驗，因此要進行突破是不易的，可能最關鍵是信心不可動搖及要堅持到底。
美國可以繼續阻擋與壓制我們，但是在全球化的浪潮下它是不可能成功的，因為中國始終堅持改革開放，走全球化合作道路，任何面對中國的大市場而不顧，只可能是暫時的。同時在
貿易戰下一定會加速國產化的推進步伐，這樣的好時機是千載難逢。儘管中國半導體業發展不可能一帆風順，未來還可能會經歷一些曲折，要尊重“學習曲線”的規律，但是相信中國半導體業最終一定能夠取得成功。免責聲明：本文系網絡轉載，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請第一時間告知，我們將立即刪除內容！本文內容為原作者觀點，並不代表本公眾號贊同其觀點和對其真實性負責。
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