5月21日，美光科技（Micron）聯合英特爾（Intel）共同宣佈，基於64層的3D QLC（4bits/cell） NAND產品開始生產和出貨。該款QLC NAND技術讓每顆晶粒的密度達到1Tb，是目前存儲密度最高的閃存，也是全球首款正式發佈的QLC閃存。
英特爾非揮發性存儲器技術開發副總裁RV Giridhar指出，1Tb 4 bits/cell的商用化是非揮發性存儲器（NVM）歷史上一項重大的里程碑。
同日，美光還宣佈，首款採用QLC閃存的SSD——5210 ION也開始對戰略支持合作伙伴和客戶出貨、預計今年秋季將會擴大供貨，這是一款企業級的SATA硬盤，2.5寸7mm的盤型就可提供7.68TB的容量。
美光5210 ION 固態硬盤在美光2018年分析師和投資者大會上首次亮相，面向之前由硬盤驅動器 (HDD) 提供服務的細分市場，可提供高出三層單元 (TLC) NAND 33%的位密度。
美光5210 ION的容量從1.92TB起步，最大容量是7.68TB，目這款產品旨在取代數據中心的SATA/SAS機械硬盤，更小的體型可提供更大的存儲密度，而且性能與功耗的表現都比機械硬盤優秀得多。
耐久度方面，美光的3D QLC閃存其實可以達到1000 P/E，美光指出，QLC NAND較現有TLC NAND的位元密度高出33%。
美光科技執行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana表示，“這個突破性的 QLC固態硬盤將引領新一代存儲產品，幫助企業和雲客戶在不斷擴展的工作負載中體驗到NAND 閃存的優勢，而在以前，這些工作負載是交由耗電量巨大的慢速硬盤驅動器來處理的。這一創新的解決方案，再一次詮釋了美光在為市場帶來高價值解決方案，以及為客戶創造真正價值方面的加速之勢。”
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