三星半導體產業一直都是其利潤支柱和技術基石，從三星創立開始韓國就鼎立支持三星的發展，助力其進入存儲芯片、CMOS圖像傳感器的全球第一梯隊。
2005年，三星電子開始進入12英寸邏輯工藝晶圓代工領域，此後依靠與蘋果的合作三星得到了進一步的發展，從2007年喬布斯發佈第一款iPhone 開始，蘋果的第一代、第二代和第三代都是向三星採購的ARM架構芯片，接下來的A4、A5、A6和A7也都是由三星代工。
2014年，三星在20nm上遲遲無法解決關鍵問題，良率不能滿足。而這時又是三星、臺積電和蘋果A系列處理器代工關係的轉變期。當時，蘋果正在大力推行去三星化，一旦出現在技術、產能上可以與三星匹敵的供應商，蘋果會馬上放棄三星。而臺積電2013年就已經完成了產能提升，且在20nm製程上實現突破，良率也大幅提升。
在三星陷入危難之際，一個人改變了局面，他就是梁孟松，他出生於1952年，是加州大學柏克萊分校電機博士，畢業後曾在美國處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年（一九九二年）返回臺積電。
在美國專利局的資料庫裡，梁孟松參與發明的半導體技術專利有181件，全部都是最先進、最專業、最重要先進製程的技術研發，因此他曾被稱為張忠謀的左右手。他曾經幫助臺積電在130納米“銅製程”之戰中戰勝了IBM，確立了臺積電在晶圓代工市場的地位。
為臺積電立下了赫赫戰功的梁孟松原以為會獲得晉升的機會，卻沒想到臺積電從英特爾挖來先進技術研發協理羅唯仁來做資深研發副總裁。
一怒之下2009年梁孟松從臺積電離職，當年加入韓國成均館大學任教，2011年，三星高薪聘請梁孟松，三星承諾用三年就給梁開出在臺積電10年能賺到的錢，此外三星還出動行政專機，載他和其它臺積電前員工往返臺灣和韓國，在如此豐厚的條件下，梁孟松選擇加入了三星。
梁孟松就力排眾議，主張三星放棄已經跟不上節奏的20nm製程，直接由28nm製程升級14nm。
要知道在之前，芯片都是採用MOSFET 的結構，到現在已使用超過 40 年，當半導體研發人員想要研發20納米以下芯片的時候發現，當閘極長度縮小到 20 納米以下的時候，遇到了許多問題，其中最麻煩的是當閘極長度愈小，源極和汲極的距離就愈近，閘極下方的氧化物也愈薄，電子有可能偷偷溜過去產生“漏電”；另外一個更麻煩的問題，原本電子是否能由源極流到汲極是由閘極電壓來控制的，但是閘極長度愈小，則閘極與通道之間的接觸面積愈小，也就是閘極對通道的影響力愈小。
所以20納米以下的芯片需要採用全新的FinFET 技術，也叫做鰭式場效電晶體。鰭式場效電晶體是閘極長度縮小到 20 奈米以下的關鍵，擁有這個技術的製程與專利，才能確保未來在半導體市場上的競爭力。
而這個技術的發明人是胡正明教授，也就是梁孟松的老師，當梁孟松跳槽到了三星之後，臺積電在研發20納米以下芯片的時候，才發現了這個問題。
也正是因為梁孟松的努力， 2015年2月16日，三星宣佈將量產14nm芯片，並且搭載在手機裡，而此次臺積電才掌握16nm技術。
而臺積電與三星之間矛盾的爆發，是蘋果A9處理器之爭，原本蘋果芯片是三星的獨門生意，後來因為臺積電製程領先，蘋果選擇了臺積電代工A8處理器，而在A9處理器代工上，三星製程又再次領先，等於又有了話語權。
三星14納米FinFET提不僅拿下了蘋果的單，又拿下高通的大單，一時間可謂春風得意。
三星14納米投產
這家曾被張忠謀稱為“雷達上一個小點”的韓國企業，讓臺積電準備了約十年時間的16納米FinFET初嘗敗績，要知道之前，臺積電在28納米制程工藝芯片市場的佔有率接近100%，堪稱在晶圓代工市場擁有壟斷性的地位。這也是臺積電近十多年以來，首度在邏輯製程技術落後亞洲同業。（當然，在此次事件之後，臺積電加緊了研發，在10nm、7nm、5nm上都實現了領先）
在這場最關鍵的一戰中，梁孟鬆起到了決定性的作用。以一人的去留，能左右兩家半導體企業的消長。梁孟松因此被譽為半導體行業的傳奇。
三星在此次之後可以說抓住機會迅速發展，2017年，三星分拆晶圓代工部門，讓該部門獨立發展，並進行鉅額投資。三星下決心讓獨立運營發展的晶圓代工部門與只專注代工的臺積電正面競爭。並且，三星在策略上很激進，就是開出更優惠的價格搶奪客戶訂單。
2019年，晶圓代工市場市佔率前三名分別為臺積電(TSMC)的 52.7%、三星(Samsung)的 17.8% 與格芯(GlobalFoundries)的8%，三星穩坐晶圓代工老二之位。
2018年，三星晶圓代工事業部門的收入100億美元左右，而在2013年，僅有20億美元。目前，三星想要在3nm技術上再次實現領先。從而超越臺積電。
在3nm節點，三星將從FinFET晶體管轉向GAA環繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是第一代GAA晶體管，官方稱之為3GAE工藝。根據官方所說，基於全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。
另外一方面，梁孟松的行為也讓臺積電惱羞成怒，其實早在梁孟松剛剛加入三星的時候，臺積電就擔心梁孟松會帶領三星實現飛速發展，2011年底，臺積電正式起訴梁孟松，指控其2009年離職，並從該年8月到三星集團旗下的成均館大學任教以來，“應已陸續洩漏臺積電公司之營業秘密予三星。”
“他去三星，就算不主動洩漏臺積機密，只要三星選擇技術方向時，梁孟松提醒一下，這個方向你們不用走了，他們就可以少花很多物力、時間，”臺積電法務長方淑華說。
而2014年，臺積電控告梁孟松侵犯營業秘密的民事訴訟，在二審時演出逆轉勝。梁孟松被判決不能給三星提供服務。
而此後中芯國際向梁孟松拋來了橄欖枝，2017年，梁孟松接受了邀請，梁孟松加入中芯國際被業界稱為“對中國半導體行業具有劃時代的意義”，“中國半導體產業進入梁孟松時代”。
中芯國際此前在28nm低階Polysion良率達到85%，但在主流28納米HKMG方面：面向華為的產線良率達到了80%；但高通的產品良率為40%到60%。按照行業60%良率risk production，80%成熟的理論，在高通上的生產更是不如預期。換個角度看，14nm等先進製程能否如期推進這個是值得推敲的。zuo w
而梁孟松在加入了中芯國際之後，僅僅用了300天的時間，中芯國際直接從28nm跨越到14nm，14nm芯片的良品率也從3%提高到了95%。在2019年完成量產，而12nm的工藝開發也取得突破。
作為幫助臺積電成為全球龍頭老大的功勳人物，又幫助三星成為了第二個臺積電，如今在梁孟松的帶領下，中芯國際會有什麼樣的蛻變呢？讓我們拭目以待！
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