與非網 1 月 8 日訊，美光科技稱，最新的DDR5內存已開始送樣，該內存採用了先進的 DRAM 技術，基於 1Znm 工藝，能滿足下一代服務器工作負載及數據中心繫統對內存高帶寬和高容量的要求。
DDR5 標準性能更強，與 DDR4 內存相比，提高了 85%以上，內存密度也提高了一倍，功耗更低，起步頻率至少 4800MHz，最高 6400MHz。其它變化還有，電壓從 1.2V 降低到 1.1V，同時每通道 32/40 位（ECC）、總線效率提高、增加預取的 Bank Group 數量以改善性能等。
美光現在出樣的 DDR5 內存使用了最新的 1Znm 工藝，大概是 12-14nm 節點之間，ECC DIMM 規格，頻率 DDR5-4800，比現在的 DDR4-3200 內存性能提升了 87%左右，不過距離 DDR5-6400 還有點距離，後期還有挖掘的空間。
整體性能方面 DDR5 設定了前所未有的標準，將推動服務器應用體現出極限潛力。相較於 DDR4 最大數據速率 3200MT/s，DDR5 更有望提高到 4800MT/ s 的數據速率。此外，DDR5 的帶寬預計達 32 GB/s，相較 DDR4 25.6 GB/S 帶寬提高了 25%。
美光計算與網絡業務部高級副總裁兼總經理湯姆·埃比表示：“在加速增長中獲取價值，數據中心、工作負載將面臨越來越大的挑戰。實現這些的工作負載關鍵是提供更高性能、更高容量、更高質量的存儲器。美光 DDR5 RDIMM 送樣代表了一個重要的里程碑，使業界朝著下一代數據為中心的應用釋放價值邁出了一大步。
對於 DDR5 內存來說，平臺的支持才是最大的問題，目前還沒有正式支持 DDR5 內存的平臺，AMD 預計會在 2021 年的 Zen4 處理器上更換插槽，支持 DDR5 內存，而 Intel 這邊 14nm 及 10nm 處理器都沒有明確過 DDR5 內存支持，官方路線圖顯示 2021 年的 7nm 工藝 Sapphire Rapids 處理器才會上 DDR5，而且是首發服務器產品，消費級的估計還要再等等。因此預計 DDR5 產品最快要到 2021 年才會正式面世。
DDR5 是 DDR4 的後繼產品，而且 DDR4 向 DDR5 過渡所代表的意義遠不止技術迭代所帶來的變化，因為以前 DRAM 新一代產品升級著重於降低功耗，且受到移動和終端等因素的推動，而 DDR5 則驅動更大帶寬需求增加，滿足當下 CPU 內核數提升的速度，美光基於先進的技術不僅將 DRAM 密度提高了一倍，同時也提高了可靠性。
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