與非網 1 月 7 日訊，由於三星在 7nm 工藝節點上採用更加激進的 EUV 技術，7nm 工藝量產要比臺積電晚一年。在進入 10nm 節點後，半導體工藝製造越來越困難，但需求卻在不斷提升，導致臺積電、三星通過改進工藝，便推出號稱新工藝的產品。
三星未能趕超臺積電的主要原因是三星在 16 納米和 12 納米工藝之後開發 7 納米工藝的時間很晚。臺積電通過其 7 納米技術，壟斷了蘋果（最大的無晶圓廠客戶）的 AP 供應。
為了再進一步與臺積電競爭，三星則開始發展 6nm 製程產線與臺積電競爭，而且也在 2019 年 12 月開始進行量產。三星希望藉由 6nm 製程的量產，進一步縮小與臺積電之間的差距。
有媒體報道指出，三星於去年 4 月向全球客戶提供 7 納米產品，自開始大規模生產 7nm 產品以來，三星僅在八個月內就推出了 6nm 產品。三星的微加工工藝技術升級週期正在縮短，特別是向 6nm EUV 工藝的過渡有望縮小與全球第一大晶圓代工廠臺積電（TSMC）的差距。
消息人士透露，三星晶圓製造業務的高管已經確認 6nm 工藝的芯片出貨量產，交付給北美的客戶。雖然三星官方沒有提及具體信息，但這個北美客戶應該是高通，只是目前無法確定是哪款芯片。如果 6nm 量產成功，那三星進入量產階段的工藝就有 7nm EUV、6nm LPP 兩種，可以更好地從臺積電手中搶市場。
三星的 6nm 工藝實際上也就是 7nm 工藝的改進版，在 7nm EUV 基礎上應用三星獨特的 Smart Scaling 方案，可以大大縮小芯片面積，帶來超低功耗。三星還希望在 6nm 之後，2020 年推出 5nm EUV 工藝，臺積電預計在 2020 年上半年量產 5nm EUV 工藝，三星總算上追上臺積電的工藝進度，但三星沒有公佈採用 5nm 工藝的客戶有哪些。
三星真正有希望超越臺積電的工藝是 3nm，他們是第一家官宣使用全新 GAA 晶體管的，在 3nm 節點將會用 GAA 環繞柵極晶體管取代 FinFET 晶體管，三星希望 2021 年量產 3nm 工藝，而今年上半年完成 3nm 工藝開發。
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