三星开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片 写入速度达1.2GB

3月18日消息,据国外媒体报道,三星电子日前公告称,该公司开始大规模量产512GB eUFS3.1芯片,适用于旗舰智能手机。

三星开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片 写入速度达1.2GB/s

三星电子公告截图

和之前的eUFS3.0芯片相比,新款芯片的连续读取速度(Sequential Read)虽然还是2100MB/s,但其连续写入(Sequential Write)和随机读取速度(Random Read)分别是原来的3倍(1.2GB/s)和1.6倍(100,000IOPS)。

eUFS为embedded Universal Flash Storage的简称,即嵌入式通用闪存。

三星表示,8K视频、高清图片将能被快速地保存入手机,无需缓冲。

除了512GB的eUFS3.1芯片以外,三星表示,还讲推出256GB和128GB的版本。

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