從應用角度對常用半導體元件模型作總結。
1.晶體管(Transistor)模型
放大狀態:發射結D正偏,集電結Dz反偏並處於反向擊穿狀態;
飽和狀態:D和Dz均正偏,基極電流失去對集電極電流的控制作用,D處於穩定反向擊穿狀態;
截止狀態:發射結正偏電壓小於開啟電壓Uon
晶閘管(Thyristor)
觸發電流Ig流入晶體管Q2基極,產生集電極電流Ic2 ,Ic2構成了Q1的基極電流,放大而成Q1集電極電流Ic1 ,Ic1又反饋至Q2基極,從而形成強烈正反饋,使Q1和Q2快速進入飽和狀態,晶閘管導通。
3.絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
由NMOS管和PNP型三極管組成的達林頓結構,由MOSFET去驅動厚基區的PNP晶體管。Rn為晶體管基區內的調製電阻。
4.二極管(Diode)
其為半導體元件基本單元,圖中彈簧彈力,類似二極管門檻電壓,A端相當於陽極,K端相當於陰極。
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