国内的闪存史啊，一把屎一把泪的，血泪闪存史啊！
这些年来，棒子和美帝轮番涨价，时时断供，变着法子折腾国内一众企业，大家是敢怒不敢言。
没办法，只能自力更生自救了！
经过艰苦奋斗，排除万难，国产闪存终于跨出最重要一步。
4月13日，长江存储科技有限责任公司（以下简称长存）宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
这是一步到位的跨代产品，了不得啊！
作为业界首发的128层QLC闪存，长存的新品还创下了三个第一：
1、业界单位密度最高；
2 、1.33Tb的最高单颗容量；
3 、最快的1.6G/s的I/O速度。
地处曾经的疫情风暴中心，面对数月的各种压力，长存在技术上的突破实属不易。

长存在成功研发64层3D NAND后，没有循规蹈矩地升级96层，而是直接选择128层。这个看似冒险的决策，现在证明了必要性。
从2019年开始，业界几大主要玩家都陆续跨进了128层时代。产能将逐步稀放，竞争将更加激烈！
根据规划，长江存储128层NAND产品的量产时间将在今年年底到2021年上半年之间，随着产能和良率的逐步提升，预计2021年将实现10万片/月的产能。在时间上，长存并没有明显的落后。
依照目前的情况，128层3D NAND已经开始大量进入企业存储市场。如果不能把握住技术升级带来的机会，就可能在新一轮市场竞争中掉队。
目前，长存对自己的产品也很有信心，认为其成本优势会带来广阔的应用前景，并最终获得盈利。
Xtacking2.0是长存128层产品的独门绝技，是Xtacking技术的重大升级。
采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让NAND获取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。
存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后， Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。
传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。
随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。
从最终表现来看，长江存储的Xtacking更强调存储密度和高速的I/O。
本次发布的产品，由于使用了Xtacking2.0，可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的数据传输速率，为当前业界最高。
主推QLC而非TLC，是本次发布的另一特点。据介绍，每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元 ，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。
相比TLC技术，QLC能带来更大的存储容量以及更低廉的单位成本，但因为其稳定性较差以及P/E寿命而备受质疑。
然而，随着3D NAND技术的进展，随着堆叠技术的发展，QLC已经有了很大的进步。
闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong就认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节（Byte）的成本，更适合作为大容量存储介质。随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上，QLC SSD未来市场增量将非常可观。”
业界大厂纷纷跟进，英特尔已经在660P系列、665P系列和傲腾Memory H10存储解决方案中使用了QLC技术，计划推出的下一代144层3D NAND也将先推QLC架构。
长存本次推出的QLC产品，因为密度更高，所以比同代的TLC更具有价格优势。
而且，长存还专门做了技术升级，提高了QLC产品的读取能力，使其延迟时间比TLC短，非常适合在线会议、在线视频等对写入要求不是很高的场景。
不过，长存也并非放弃了TLC，本次发布的产品还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片，型号为X2-9060，以满足不同应用场景的需求。
据DRAMeXchange数据，2019年Q4季度全球NAND闪存市场营收125.46亿美元，环比增长8.5%，位元出货量增长10%左右，合约价也由跌转涨。
但突发的疫情打乱了节奏，让各大存储厂商纷纷调低了预期。好消息是，占半导体收入约三分之一的存储器市场规模仍将在今年达到1247亿美元，较上年增长13.9%。
这其中最大的原因就是数据中心、企业级等领域在5G建设的推动下对存储芯片需求稳定，再加上“疫情”推动网上直播、线上电子商务、线上教育、远程办公等需求的增加，让存储芯片行情水涨船高。
Gartner研究业务副总裁理查德·戈登就指出，由于从2019年开始严重缺货，NAND 闪存收入预计在2020年将增加40%，而DRAM预计将下滑2.4%。他认为：“由于需要通过持续的战略投资来支持更多的远程工作和在线访问，超大规模数据中心和通信基础设施领域将更能抵抗需求下滑。”
相关行业人士也表示，所有地区的数据中心需求看起来都很强劲，并导致供应短缺。
这种情况将会刺激各大存储器厂商，使得存储器的军备竞赛更趋白热化。
对于初入这扇大门的长存来说，将要应对的是群狗环伺，同时还要面对良率的提升，产能的爬坡，以及扩大市场占有率等一系列挑战，不容易啊！
长江存储啊，率先破局，并且占领了技术的制高点，就等着把产量搞上去了！这样，国内一众企业的配套生态，也将得到改善。
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