128層3D NAND研發成功，存儲進入國產新紀元-200413 4月13日，長江存儲宣佈其128層QLC 3DNAND閃存（型號：X2-6070）研發成功，為國內首款，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。此次同時發佈的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片（型號：X2-9060），以滿足不同應用場景的需求。
產業鏈眾多“小夥伴”受益
長江存儲透露，TLC和QLC兩款128層產品，將於2020年底至2021年上半年陸續開始量產。
長江存儲的設備供應商無疑率先受益。此前，長江存儲副董事長楊道虹曾對媒體表示，長江存儲將盡早達成64層3D NAND閃存月產能10萬片，並按期建成月產能30萬片的二期工程。據此，2020年將成為國產設備獲取訂單的最重要時間節點。
一般來說，一家公司的一期設備供應商，會順理成章地成為其後續項目的供應商。長江存儲一期項目的國內供應商有中微公司、北方華創（002371）、盛美半導體、上海睿勵、瀋陽拓荊等。
點評 長江存儲128層3DNAND研發成功，存儲進入國產替代新維度。X2-6070作為業內首款128層QLC規格的3DNAND閃存，擁有同類型號產品中最高單位面積存儲密度（4bit/cell）、I/O傳輸速度（1.6Gb/s）、單顆NAND閃存芯片容量（1.33Tb）。長江存儲Xtacking升級至2.0，外圍電路和存儲單元分別採用獨立製造工藝，可以進一步釋放3DNAND閃存潛能，應用更先進製程；QLC是繼TLC後新的技術形態，具備大容量、高密度的特點，降低單位字節成本。128層3DNAND閃存將率先應用於消費級SSD，並逐步進入企業級服務器、數據中心等領域，5G、AI計算帶來的增量市場可期。 存儲領域市場集中度高，由日韓美廠商寡頭壟斷。在半導體存儲領域，市場集中度高，市場呈現由日韓美廠商寡頭壟斷的態勢，廠商三星電子、SK海力士、美光等影響力度較大。全球存儲產品中，DRAM市場份額佔比為61%，NAND市場份額佔比為36%，NORFlash、ROM和SRAM瓜分剩餘市場。在DRAM市場領域，韓系廠商合計享有73%的份額，美系廠商市場佔比22%；NANDFlash市場領域，韓系廠商佔比45%，美系廠商佔比35%，日系廠商佔比19%。
國內存儲加快佈局，縮小與海外先進產商差距。目前，我國在中低容量的存儲器如NORFlash上國產替代進步明顯，兆易創新、武漢新芯、上海東芯等均有所佈局，與海外差距主要在產品的穩定性層面。而在大容量領域DRAM與3DNANDFlash，我國廠商正處於不斷追趕階段：DRAM方面，紫光國芯與兆易創新積極拓展，但在先進主流市場DDR4、DDR5上與日韓美廠商仍存在差距，先進製程實現量產也需一定的發展時間；3DNANDFlash方面，技術、良率、可靠性均是我國存儲廠商不斷努力提升的方向，長江存儲128層3DNAND產品的研發成功，以及此前64層3DNAND產品的量產，極大地縮小了與三星、美光、SK海力士等廠商的差距，存儲的國產替代發展階段進入新維度。 受全球疫情影響，存儲價格縮短上漲週期。據Gartner預測，2020年全球半導體收入預計下降0.9%，其中,存儲器業務預計為1247億美元仍增長13.9%。存儲器市場此前因供需不對等，長期處於低價週期，自2019年Q4以來，因庫存出清、供給不足，存儲價格呈現反彈態勢，按產業推斷上漲區間預計維持至2020Q3。但目前受疫情影響，上漲趨勢受阻。供給端，部分存儲器生產地如新加坡與日本陸續封城，短期物流或延遲但影響較小；需求端，5G換機帶來的需求浪潮或延後，國內現已陸續復工復產，但海外消費電子需求恢復預計在Q2季度末。整體來看，存儲器價格上升趨勢短期受阻，需求呈延後狀態，但長期產能提升有限，半導體公司資本開支從投入到產能釋放週期最少在6個季度，存儲器產線擴張時間較長,因此雖存儲漲價週期或縮短，但全年收入仍有望增長。 相關標的：兆易創新（NORFlash）、北京君正(MCU)、瀾起科技（內存接口芯片）、韋爾股份(CIS)、長電科技（封測）、華天科技（封測）、晶方科技（封測）
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