5G之下，ROHM將如何乘勢而為？

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如今，5G商用進程不斷提速，加之前段時間高層多次點名”新基建”，5G基站建設或將迎來高峰，這些訊號將會給半導體產業帶來哪些利好？作為全球知名半導體廠商，羅姆（ROHM）在5G方面的戰略佈局是怎樣的？5G之下，羅姆將如何乘勢而為？

據瞭解，羅姆針對無線基站推出了多款解決方案，包括SiC功率元器件、MOSFET和DC/DC轉換器等，助力電信運營商及設備生產商更好地完成4G到5G的平穩升級。

羅姆面向基站的解決方案示意圖

羅姆針對UPS供電方式(上圖中①)，提供外置FET的升降壓開關控制器“BD9035AEFV-C”、1ch同步降壓型DC/DC轉換器“BD9B304QWZ”以及“BD9F800MUX”。

BD9035AEFV-C的輸入電壓範圍為3.8V~30V，開關頻率在100kHz~600kHz，能夠在-40℃~+125℃工作溫度範圍內穩定運轉。這些優質特性讓其不僅能夠用於基站建設，還能夠應用於汽車設備、工業設備和其他電子設備。

BD9F800MUX輸入電壓範圍為4.5V~28V，開關頻率在300kHz或600kHz，最大輸出電流為8.0A，封裝尺寸為3.5mm×3.5mm×0.6mm。在基站建設方面，可用於DSP、FPGA、微處理器等的降壓電源。此外，也可用於液晶電視、DVD /藍光播放器、錄像機、機頂盒等消費電子設備。

BD9B304QWZ的主要優點是通過高效率實現低功耗工作。Deep-SLLM控制(升級版低負荷高效率模式)可實現80%以上的效率。同時，BD9B304QWZ是內置MOSFET的同步整流器，無需外部FET和二極管，節省安裝空間，實現了低成本。

基於上述各自的優點，BD9B304QWZ和BD9F800MUX雖然特性各不相同，但是應用範圍基本相同，可用於基站建設中DSP、FPGA、微處理器等的降壓電源，也可用於液晶電視、DVD /藍光播放器、錄像機、機頂盒等消費電子設備。

針對HVDC供電方式(上圖中②)，羅姆提供80V/3A DC/DC 轉換器“BD9G341AEFJ-LB”等產品。

BD9G341AEFJ-LB內置80V/3.5A/150mΩ的Nch功率MOSFET，採用電流模式控制，實現了高速瞬態響應和簡便的相位補償設定。除了內置過流保護、欠壓鎖定、過熱保護、過壓保護等這些基本保護功能外，還能實現了0µA待機電流和軟啟動。相比一般產品，BD9G341AEFJ-LB實現了諸多方面的突破，包括更高的工作電壓、更大的工作電流和更小的封裝尺寸等。在300kHz、Vo=5V、VCC=24V的工作條件下，當輸出電流在0~100mA範圍時，BD9G341AEFJ-LB相較於一般產品在能效上提高了8%-17.6%。

為了滿足未來包括基站電源在內的龐大的市場需求，羅姆將在DC/DC轉換器方面繼續開發相關產品。

當然，除了供電方式發生變化，5G基站建設對器件材料變革也有推動作用。由於高頻、高溫、抗輻射以及大功率等挑戰，以SiC功率元器件（上圖中③）為首的高性能半導體材料將在5G建設上有重要應用。為了幫助客戶更好地應對5G基站建設過程中的上述挑戰，羅姆已經推出第三代碳化硅材料的肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。相較於第二代產品，第三代擁有更好的正向電壓(VF)特性和更好的反向電流(IR)特性。

得益於羅姆第三代SiC-SBD更好的VF和IR特性，客戶在設計產品的過程中可以採用更低的開啟電壓，在正向切為反向時，為了降低功耗，器件將產生更小的瞬態電流。但是，因為SiC-SBD的瞬態電流本質上不隨正向電流變化，恢復時產生的恢復電流很小，降低了系統噪聲。

相比一般產品，第三代 650V SiC-SBD表現出更好的產品性能，包括實現更高的IFSM，更低的漏電流，以及進一步降低VF等。

目前，羅姆在650V SiC-SBD方面擁有豐富的產品組合。

羅姆650V SiC-SBD產品陣容

面對5G基站建設多樣化的需求和複雜的應用環境所帶來的挑戰，羅姆將持續保證所供應電源器件的穩定性和耐久性，助力運營商和設備廠商完成高速穩定的網絡覆蓋。當然，除了我們熟知的電源器件，羅姆還供應電流傳感器和LVDS接收器等其他元器件，瞭解更多器件,請登錄羅姆官網查看詳情。